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HERA-DLTS
高能分辨率深能级瞬态谱（DLTS）
PhysTech在1990年推出了第一台数字DLTS，随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。
半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
特点：
自动接触检查
常规测试和加强软件
自动电容补偿
三终端FET电流瞬态测量
大电容和浓度范围
灵活性高、模块化硬件
支持各种冷却仓和温度控制器
傅里叶转换（F-DLTS），比例窗口和用户自定义校正功能
DLTFS（深层瞬态傅里叶光谱仪）评价
操作模式：
C-DLTS
CC-DLTS
I-DLTS
DD-DLTS
Zerbst-DLTS
O-DLTS
FET-Analysis
MOS-Analysis
ITS（等温瞬态光谱仪）
缺陷分析
俘获截面测量
I/V, I/V(T)理查森标绘图
C/V, C/V(T)
TSC/TSCAP
PITS（光子诱导瞬态谱）
DLOS(特殊系统)
规格：
分辨率： | 1*108 atoms/cm3 |
脉冲发生器 | |
| 电压范围： | ±20.4V（±100opt.） |
| 电压分辨率: | 0.3mV |
| 最大电流: | ＞±15mA |
| 脉冲宽度: | 20ns-1000s |
| 快速脉冲选配 | |
| 电容表 | |
| HF信号: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范围[pF]: | 0 pF-8000 pF（4个范围，可选满量程） |
| 电容补偿: | 0pF-6000pF(自动反向偏置电容补偿和自动范围设置) |
| 灵敏度: | 0.01 fF |
| 电压测量 | |
| 范围: | ±10V |
| 灵敏度: | ＜1μV |
| 输入电阻: | 106Ohm |
| 可提供偏压补偿: | |
电流测试 | |
范围: | 5，从±1μA 到±10mA |
灵敏度: | ＜1pA |
| 可提供漏电保护 | |
| 瞬态记录 | |
样品速率: | 2μs到2000s |
样品数量: | 16-16384（opt.64k） |
可调节抗失真滤膜 | |
| 标准冷却仓 | |
| 温度范围: | 4K-450k/4K-500K/11K-450K/11K-500K/77K-800K |
| 温度扫描方式： | 使用28个不同的相关功能（软件）通过一次温度扫描，给出28个温度扫描信号。 |
| 典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 灵敏度: | 10-7T/(ND-NA)<10-5 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 发射率: | 10-3/s<104/s |
1年
是
有
5人次内全方位培训
1年一次
免费更换零部件及软件调试
8小时内当日响应
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