产品名称: | Al2O3镀GaN薄膜(进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type) |
技术参数: | GaN类型:N 型掺SiGaN 薄膜厚度:<0001> 5um ±1umGaN 电阻率:<0.02 Ohm-cmGaN 载体浓度Carrier concentration:5x10^17-1x10^19/cc 正面 Front surface:Ga-faceAl2O3 参数:<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane,单抛
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产品尺寸: | dia 4inch +/- 0.25mm |
标准包装: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒 |
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