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产品名称： | |
常规尺寸： | dia 2" |
InP晶向： | <100> |
掺杂类型： | 掺Fe ；半绝缘型 |
电阻率： | >1x10^7)ohm.cm |
InP EPD： | <1x10^4 /cm^2 |
薄膜参数： | Lattice matched In/Ga alloy layer of N-type InGaAs(Si-doped) |
薄膜Nc: | >2x10^18 /cc |
薄膜厚度： | 0.5 um (± 20%) |
生长方法： | MOCVD deposition |
抛光: | 双面抛光 |
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