砷化铟(InAs)晶体基片
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品牌

合肥科晶

型号

砷化铟(InAs)晶体基片

产地

中国大陆安徽

应用领域

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产品名称：

砷化铟（InAs）晶体

产品简介：


技术参数：

晶体结构：立方  a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型：N型掺杂类型：不掺杂载流子浓度：2 ~ 5E16 / cm3 迁移率：>18500cm2/V.S 

 

常规尺寸：

常规晶向：<100>、<111>；

常规尺寸：10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注：

1000级超净室100级超净袋

 

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