仪器对比
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仪器简介：
·显示半导体器件的各种特性曲线
·测量半导体器件的静态参数
·能在不损坏器件的情况下，测量半导体器件极限参数
技术参数：
集电极电流范围：10μA/div~0.2A/div(可扩展×10)；
集电极峰值电压范围：
0.05V/div~50V/div，分10档，误差不超过±5%；
基极电压范围：
0.05V/div~0.5V/div，分4档，误差不超过±5%；
阶梯电流范围：
5μA/div~10mA/div，分11档，误差不超过±5%；
阶梯电压范围：
0.05V~0.5V，分4档，误差不超过±5%；
串联电阻：0，10kΩ，误差不超过±10%；
簇数：0~10连续可调；
功耗限制电阻：0~100kΩ；
电流容量：0~50V/2A，0~500V/500mA；
容性电流：500V时小于5μA；
外形尺寸：160H×310W×450D（mm）；
重量：约9.5kg；产地：中国
主要特点：
您如果想进一步了解产品及其它LAB信息，
敬请致电EHSY西域中国各地区代表处，谢谢！
公司网站 www.ehsy.com
Tel:(021)400-880-8822
Fax:(021)400-880-8812
·显示半导体器件的各种特性曲线
·测量半导体器件的静态参数
·能在不损坏器件的情况下，测量半导体器件极限参数
技术参数：
集电极电流范围：10μA/div~0.2A/div(可扩展×10)；
集电极峰值电压范围：
0.05V/div~50V/div，分10档，误差不超过±5%；
基极电压范围：
0.05V/div~0.5V/div，分4档，误差不超过±5%；
阶梯电流范围：
5μA/div~10mA/div，分11档，误差不超过±5%；
阶梯电压范围：
0.05V~0.5V，分4档，误差不超过±5%；
串联电阻：0，10kΩ，误差不超过±10%；
簇数：0~10连续可调；
功耗限制电阻：0~100kΩ；
电流容量：0~50V/2A，0~500V/500mA；
容性电流：500V时小于5μA；
外形尺寸：160H×310W×450D（mm）；
重量：约9.5kg；产地：中国
主要特点：
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