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等离子沉淀设备
等离子沉积设备SI 500 D
产品介绍
高端ICPECVD设备SI 500 D为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产
生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线 （PTSA）保证了沉积薄膜的优异性能，
如在非常低的沉积温度下（＜100°C）实现低刻蚀速率， 低应力和低界面态密度。
特点
*高密度等离子体
*平行板ICP等离子体源
*优异的沉积性能
*动态温度控制
带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD
产品介紹
灵活的PECVD系统SI 500 PPD具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积 SiO2、SiNx、
SiOxN揷口a-SL灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。
特点
*工艺灵活性
*预真空室
*SENTECH控制软件
PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200
产品介绍
直接置片的PECVD设备Depolab 200结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一 起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺（使用载片 器或直接加载到衬底电极）。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。
特点
*低成本效益高
*升级扩展性
*SENTECH控制软件
原子层沉积设备
SENTECH ALD
产品介紹
ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行 性。利用ALD、
PECVD和ICPECVD, SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉 积到数微米的薄膜沉积。
特点
*简易的腔体清洗
*集成手套箱
*节省前驱体
*前驱体控制
等离子沉淀设备
正片晶片扫描MDPinline
优势
在不到一秒的时间内，实现对一个晶片全电子晶片特性的测量,测量参数：少子寿命（全形貌），电阻率 （两行扫
描），迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺，因为来自数千 个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。
适合于测量出料或进料晶片的材料质量，以及在晶片级别内识别结晶问题，例如在光伏行业.适用于扩 散工艺的完
整性控制、钝化效率和均匀性控制。
快速自动扫描系统MDPinline ingot
优势
测量速度，用于先进的光伏工厂的在线多晶硅表征。用1毫米分辨率测量少子在两块上的寿命。同时测 量了导电
类型变化的空间分辨测量和电阻率线扫描.
客户定义的切割标准可以传送到工厂数据库，该数据库允许为下一代光伏工厂进行全自动材料监测。从 而实现了材料质量控制，监测炉的性能，以及失效分析.
特殊的"表面以下”测量技术大大减少了由表面复合造成的数据失真。
激光扫描系统MDPpro
优势
机或晶圆的整体工具系列•少子寿命、光电导率、电阻率、p/n导电类型变化和几何样品平整度的同 时自动扫描.
对于156x156x400mm标准砖，测量速度小于4分钟，分辨率为1mm,所有5幅测量图形同时绘制。
坚固耐用的设计和易于设置的性能.对于安装，仅需要电源。带有数据库的工作站包含。
1年
是
有
安装时提供免费的现场培训服务
依据具体情况和设备而定
提供免费的工程师上门服务
2小时内相应，24小时内到达现场
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