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立式PECVD设备
，在基片上沉积出所期望的薄膜，此立式PECVD设备由真空立式管式炉、射频电源、供气系统、石英真空室、真空测量系统组成。
PECVD系统配置：
1.1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统
产品特性：
此立式PECVD设备温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。立式PECVD系统以含钼电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
售后服务
1年
是
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1年
一年免费维修质保
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