国产
覆盖膜;导电高分子膜,高、低温电热膜;隔热、导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料,其他半导体材料、薄膜材料方阻测试采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.
双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
采用四探针组合双电测量方法,液晶显示,自动测量,自动量程,自动系数补偿.高集成电路系统、恒流输出;选配:PC软件进行数据管理和处理.
双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准。利用电流探针、电压探针的变换,进行两次电测量,对数据进行双电测分析,解决样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响.
概述:采用四端测量法适用于生产企业、高等院校、科研部门,实验室;是检验和分析导体材料和半导体材料质量的工具。可配置不同测量装置测试不同类型材料之电阻率。液晶显示,温度补偿功能,自动量程,自动测量电阻,电阻率,电导率数据。恒流源输出;选配:PC软件过程数据处理和标准电阻校准仪器,薄膜按键操作简单,中文或英文两种语言界面选择,电位差计和电流计或数字电压表,量程为1mV¯100mV,分辨率为0.1%,直流输入阻抗不小250μm的半球形或半径为50 μm~125 μm的平的圆截面。探针(带有弹簧及外引线)之间或探针系统其他部分之间的绝缘电照至少为10°Ω.探针排列和间距,四探针应以等距离直线排列,探针阀距及针突状况应符合GB/T 552 中的规定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=与(R; +R,)计算试样平均直径D与平均操针间距S之比,由表3中查出修正因子F,也可以见GB/T11073中规定的几何修正因子。 9.4计算几何修正因子F,见式(4)。对于薄层厚度小于3μm的试样,选用针尖半径为100μm250μm的半球形探针或针尖率径为50μm~125 pm平头探针,针尖与试样间压力为0.3 N¯0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试样,选用针尖半径为35μm100 pm 半球形操针,针尖与试样间压力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… … R,=V,R,/V_=V,/I,-双刀双撑电位选择开关。.定。欧娇表,能指示阻值高达10°日的漏电阻,温度针0℃-40℃,小刻度为0.1℃。光照、高频、需动、强电磁场及温醒度等测试环境会影响测试结果,甲醇、99.5%,干燥氮气。测量仪器探针系统操针为具有45"~150°角的圆罐形破化鸭振针,针实半径分别为35μm~100μm.100 μm…… … ………(5)电压表输入阻抗会引入测试误差,硅片几何形状,表面粘污等会影响测试结果,R(TD-R_xF式中:计算每一测量位置的平均电阻R.,见式(3).试剂优级纯,纯水,25℃时电阻率大于2MN.cm,s=号(二[R,(TD-瓦(7D羽yt ..计算每一测量位置在所测温度时的薄层电阻(可根据薄层电阻计算出对应的电阻率并修正到23℃,具体见表4)见式(5).用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上,试样放置的时间应足够长,到达热平衡时,试样温度为23 ℃±1℃.接通电流,令其任一方向为正向,调节电流大小见表1测量范围电阻率:1×10-4~2×105 Ω-cm,分辨率:1×10-5~1×102 Ω-cm方 阻:5×10-4~2×105 Ω/□,分辨率:5×10-5~1×102 Ω/□电 阻:1×10-5~2×105 Ω ,分辨率:1×10-6~1×102 Ω 材料尺寸(由选配测试台决定和测试方式决定)直 径:A圆测试台直接测试方式 Φ15~130mm, 方测试台直接测试方式180mm×180mm, 长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm, 测量方位: 轴向、径向均可
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