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该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。
主要技术参数:
PC控制软件
RF发生器 0~3000W 脉冲模式
腔体防腐处理,400*400*1500mm,240L
腔体加热80℃
带观察窗
多路工艺气体通道,MFC控制 防腐处理
HMDSO单体通道
易燃易爆气体安全阀
Gas Shower气浴电极
设备外尺寸2000*600*1700mm
进口真空泵组
电压 3项400V
材料 2022-01-12
地矿 2021-08-27
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