使用65度入射角ATR的硅晶片表面的FTIR分析

2023/07/06   下载量： 0 次

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使用65度入射角ATR评价硅晶片表面

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对于最常见的配置45度入射ATR，具有高折射率的Si晶片的样品的测量是困难的，因为这种配置不满足ATR测量所需的全反射条件。随着最近开发的单反射65度入射ATR（图1），具有高折射率（n=4.0）的Ge晶体被用于棱镜，并且光到样品的入射角被设置为65度，从而获得最上面的信息，并提供对具有高折射系数的样品的测量，例如Si（折射率＝约3.4）和折射率可以为2.8或更高的炭黑填充橡胶。（见表1:JASCO FT/IR应用数据280-AT-0003）

应用中的这些结果表明，使用65度入射ATR能够获取无法通过使用透射方法确定的样本表面上的信息。


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佳士科商贸有限公司
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