方案摘要
方案下载| 应用领域 | 电子/电气 |
| 检测样本 | 电子元器件产品 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | Si膜表征、反射光谱拟合 |
样品悬浮在Si晶片上的Si膜上，中间层为SiO2。硅吸收在可见光谱范围内，对于厚膜测量，应在近红外范围内进行。使用FR基本型工具在900-1700nm红外光谱范围内进行测量。本次应用中使用的反射探头的光学反射直径约为500x500μm2。
显示了硅膜在900-1700nm范围内的反射光谱。膜面积为300x900μm2。在这种情况下，考虑的堆叠是空气/Si（100）/SiO2/空气，即超薄SiO2层上的悬浮Si膜，由支撑Si晶片的背面蚀刻制成。
显示了用于拟合的光谱区域（930-1200 nm）中的放大。计算得到的薄膜厚度为5.25μm。
显示了SOI晶片的实验和拟合反射光谱。空腔为300x900μm2。Si覆盖层和SiO2层的计算厚度分别为5.04μm和0.48μm。
WLRS方法能够测量从几十纳米到数微米（取决于fr的基本配置）的大厚度范围内的硅膜厚度。 KOH蚀刻产生的表面蚀刻对于WLRS方法来说太高了。如果是背面蚀刻或正面蚀刻，则应使用Si空腔/膜双面晶圆
FR的工具基于白光反射光谱(Reports) 。
准确同步的厚度测量及薄膜的折射率
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