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在过去的一年,传感器和探测技术得到广泛发展的同时,也呈现出许多新特点和趋势。探测技术逐渐由室内向室外转移,而电子脉冲围栏、电缆泄漏探测器等周界设备崭露头角,逐渐取代传统红外对射等室外探测设备。 电子围栏是由脉冲发生器(主机)和前端围栏组成的智能型周界系统。现代公共安全用电子围栏经过演变和改进,成为一种新型的周界报警产品,它一改以前周界防范中单纯的事后报警的传统模式,强调了以阻挡(有形围栏,制造入侵障碍)为主,报警(声光报警并可与其他安防系统联动)为辅兼有威慑(降低作案欲望)作用的国际周界安防新概念。 电子脉冲围栏克服了交流电网致命、影响美观的缺点,与传统的红外、微波、静电感应等周界安防系统相比,具有误报率低、不受地形和环境限制、安全性高等明显优点。脉冲电子围栏在起到阻挡作用的同时,对人体无伤害,能够真正实现阻挡、威慑和报警。而传统的红外对射对外来入侵者起不到阻挡作用,而高压电网虽然能起到强力阻挡作用,但由于强大的交流电作用会导致人的伤害甚至死亡,十分危险。这也是电子脉冲围栏逐渐受到欢迎的原因。 室内探测器目前则仍然以被动红外探测器为主,但是其误报率依然是困扰用户的主要问题,也成为个厂家不断攻克的问题。目前很多厂商都通过不同的技术来实现降低误报率的目的,包括采用特殊的透镜和双红外传感器检测相结合、采用双红外的对称原理、采用万向穿线型支架等,并取得了不断的效果。
半导体探测器(semiconductor detector)是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚,1949年麦凯(K.G.McKay)首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后,晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极,加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时,即产生电子-空穴对。在两极加上电压后,电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷,从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中,入射粒子产生一个电子-空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右,因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料,而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度,必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型(下图由左至右)。金硅面垒型探测器1958年首次出现,锂漂移型探测器60年代初研制成功,同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]
最近单位采购,一直纠结于某款热场电镜和冷场电镜。热场电镜的景深十分出色,但分辨率较为一般,除二次电子探测器(低位和高位)外,还配了单独的背散射电子探测器、主流能谱仪、五轴马达台、红外CCD相机。。。冷场电镜的景深也不错,分辨率十分出色,出二次电子探测器外,背散射电子的探测功能通过高位探测器改变偏压实现,不是那么主流的能谱仪、三轴马达台。。。价格估计两家都做得蛮拼的。各位前辈有没有什么建议?