半导体加热器

“日本发条株式会社”(NHK SPG)将在2023年之前，提高面向半导体制造设备的零部件生产能力。除了投入约100亿日元来增产长野县的工厂外，还计划建设新的车间。2026年度该零件的销售额将达到300亿日元规模，是现在的3倍。目前半导体供求紧张，汽车行业也出现半导体供应不足的情况。半导体制造设备的世界市场预计将更加活跃，“日本发条”为该部件需求的提高做好准备。目前，由于零部件供应不足，有的半导体设备交货期达到了1年半以上。“日本发条”将在宫田工厂（长野县宫田村）进行投资，工厂内还将建设新的生产车间。该工厂生产的是被称为“成膜设备用多源控制工作台加热器”和“蚀刻设备用熔射冷却板”的部件。“日本发条”在2019年受到半导体需求扩大的影响，投资了约80亿日元，新建了该工厂。受需求急剧高涨的影响，该工厂现在已经处于全负荷运转状态。该公司2020年度面向半导体制造设备的零部件业务销售额约为100亿日元。今后5年内会将这个数字提高到300亿日元左右。“日本发条”刚刚制定了以2023年为目标的3年中期经营计划，但是该计划的销售额目标有可能在21年内就能被超过。半导体制造设备市场如此旺盛。据SEMI 7月公布的半导体制造设备的世界销售额预测，2021年将比2020年增加34%，达到953亿美元，2022年将突破1000亿美元，刷新历史最高记录。同时，设备制造商的增产投资也正在相继开始。

近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）官方微信消息，其标准化委员会（CASAS）公布了13项标准新进展，包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。01 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》已形成委员会草案，两项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成。起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会，得到了很多CASAS正式成员的支持。委员会草案已经由秘书处邮件发送至联盟常务理事及理事单位。T/CASAS 34—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。02 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完成征求意见稿的编制，该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法，2024年7月25日起开始征求意见，截止日期2024年8月24日。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至：casas@casa-china.cn。T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》规定了采用辉光放电质谱法测定等静压石墨构件纯度的方法，包括术语和定义、试验原理、试验环境、仪器设备、试剂与材料、试样、试验步骤、试验结果及试验报告。本文件适用于单个杂质元素含量范围为0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定，所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件，以及碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995%）以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨，包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件，以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。03 SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。其中，T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法》由闻泰科技股份有限公司、重庆大学、工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学、泰克科技（中国）有限公司等联合提出。T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法》针对SiC MOSFET器件的开关动态特性，基于当前SiC半导体行业的市场需求，对SiC MOSFET器件进行特定测试电路下的脉冲测试，提案规定了测试所需要包含的设置条件、测试工具、测试项目以及计量方法等，包括：1、总则、规范性引用文件；2、术语、定义、文字符号；3、电路构成和测试要求；4、操作方法和测试流程；5、计量方法和评价方案；6、其他安全注意事项等技术性内容。

科创板IPO即将迎来“科八条”发布后的第二家上会企业。8月9日，上交所上市委审议公告显示，江苏先锋精密科技股份有限公司（下称“先锋精科”）将于8月16日在科创板上会审核。招股书显示，先锋精科聚焦半导体设备核心零部件，是国内半导体设备精密零部件行业有影响力的企业之一，也是国内半导体刻蚀和薄膜沉积设备细分领域关键零部件的精密制造专家。公司自设立起即坚持面向经济主战场、面向国家重大需求、优先服务国内本土半导体设备企业的战略方针，深耕半导体设备精密零部件“卡脖子”领域。公司是全球为数不多的已量产供应7nm及以下先进制程国产刻蚀设备关键零部件的供应商，直接与国际厂商竞争，2023年度，公司可应用于7nm及以下先进制程的产品收入占比达16.80%。在国产CCP高容性高能等离子体刻蚀领域，公司批量生产的腔体已规模化应用在国际最先进的7nm及以下芯片刻蚀设备；在国产主流等离子LED芯片刻蚀领域，公司是该类设备反应腔室套件的核心供应商；在氮化镓基LED MOCVD领域及12寸PECVD领域，公司是该类设备关键工艺部件——匀气盘的核心供应商。从全球范围看，半导体设备内使用的高端器件市场主要为国外厂商所垄断，其中加热器是半导体设备零部件中技术难度较高、工艺制造较为复杂且具备完整功能的高端器件之一。经过多年自主研发，先锋精科已是国内少数已实现量产晶圆加热器。为持续推动半导体产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，我国近年来推出了一系列鼓励和支持半导体产业发展的政策，如《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（2020 年 8 月颁布）等，明确支持国内半导体设备领域企业发展，给国内相关领域的优质企业提供了难得的发展机遇。强大的产品能力优势叠加政策的利好，先锋精科表示，将继续坚持面向经济主战场、面向国家重大需求的战略方向，聚焦服务民族半导体设备企业，持续陪伴及助力中国半导体设备发展壮大，与客户共同迭代创新技术，努力保障我国半导体供应链安全。