数据存储器

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数据存储器相关的厂商

  • 青岛东方惠诚电子有限公司
    温湿度测量是现代测量新发展出来的一个领域，时至今日，由于我们不再满足于温湿度的测量，尤其是一些场所的监控直接要求实时记录其全过程温湿度变化，并依据这些变化认定储运过程的安全性，导致了新的温湿度测量仪器——温湿度记录仪的诞生。 温湿度记录仪是将温湿度参数进行测量并按照预定的时间间隔将其储存在内部存储器中，在完成记录功能后将其连接到电脑，利用适配软件将存储的数据提出并按其数值、时间进行分析的仪器。利用该仪器可确定存储运输等相关过程没有任何危及产品安全的事件发生。青岛东方惠诚电子有限公司是一家以科研为主，集生产和销售于一体的综合型高科技企业，致力于温湿度记录仪、温湿度监控系统及设备的开发与创新，并拥有一支成熟而年轻的研发、销售、管理团队。公司在温湿度测控领域积累了多年经验，能提供各类成熟的温湿度监控方案，广泛应用于冷库、冷链物流、制药厂、医院、血库、防疫站、仓库、蔬菜大棚、养殖场、档案室等环境监测场合，大大提高了对温湿度数据的现代化管理水平，工作人员足不出户即可将所需监测场所的温湿度状况尽收眼底，做到及时降温降湿，避免因控温不及时而可能发生的损失。目前公司自主产品主要有GSP认证专用温湿度记录仪，冷库专用温湿度监控系统，冰箱、冷柜专用温度记录仪，车载温湿度记录仪，智能冷链保温箱，温湿度显示屏，农业大棚温湿度监控系统，大型粮食储备库温湿度监控系统等温湿度监控设备。东方惠诚自创建以来始终以“立足客户，创新求实”为核心价值，秉承“以客户为中心”的经营理念，坚持“不断进取，勇于创新，品质第一，服务至上”的工作作风，以市场为导向，不断拓宽业务范围，提高服务水平。
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  • 济南晶正电子科技有限公司
    济南晶正电子科技有限公司成立于2010年, 坐落于济南市综合保税区，是一家致力于纳微米级厚度光电、压电单晶薄膜材料研发、生产及销售为一体的高新技术企业。公司拥有产业化生产基地，研发团队由海归学者领军，凭借在晶体材料和半导体领域丰富的经验，在国际上率先开发出并产业化300-900纳米厚度铌酸锂单晶薄膜材料产品。晶正产品具有完全自主知识产权，并拥有多项相关技术专利。公司产品涵盖多种规格高技术难度、高规格晶体薄膜材料，可用于制作高性能调制器、滤波器、探测器、晶振及高密度信息存储器件等，在光电、压电、铁电、太赫兹、红外探测等领域具有广泛的发展前景和显著的应用优势，能够带来巨大经济效益和社会效益。
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  • 成都中科测控有限公司
    我们是谁？ 成都中科测控成立于2006年，位于中国科学院成都分院内，专注于振动测试领域产品的研发、生产及销售。公司测振核心技术传承自上世纪八十年代中国科学院成都科学仪器研制中心的：BC-2型波形存储器。三十年来在技术革新方面我们从未停歇、不断有更高技术含量的产品问世。 TC4850系列爆破测振仪经四川省科技厅组织专家进行科技成果鉴定为“处于国内领先水平” 我们还能做什么？ 中科测控www.zkck.com主要产品有：爆破测振类TC 3850/TC 4850型爆破测振仪；机械测振类TCT-1运输测振仪；远程测振类TC4850N网络测振仪…… 提供工程爆破环境安全评估及类似领域的各种振动监测！ 我们的目标？ 现在，公司专注地服务于全国各大专院校、科研院所及各工程施工单位。在国内已拥有上千家用户。公司竭诚为新老顾客提供一流的售后服务。公司矢志不渝的目标是为国内外用户打造国际精品测振仪器！
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  • Model DL6018 数据采集器 400-805-8969
    Model DL6018 数据采集器用于环境空气质量自动监测和固定污染源烟气排放连续监测主要特点工业标准4U，19寸上架式机箱。机箱采用SECC规格材料，料厚1.2mm，整体结 实稳固。硬盘架采用高强度弹簧防震，专业特殊抗震功能。整机系统采用高转数12cm 滚珠风扇，利于恶劣环境散热，确保昼夜高温差变化也能工作自如。使用i-7000系列数模转换模块，可靠性高，16位AD转换精度，250V过压保护。使用MS Access数据库，数据可存储为文本格式、Excel表格、DBase数据库等通用文件格式。可与本公司的监测中心站软件通讯，远程监测采集的数据、远程控制校准时序、远程校准时钟。可由用户自定义数据采集的计算公式。简介Model DL6018是专门设计的以当前被广泛应用于工业领域的工业控制用计算机为基础的，用于环境空气质量自动监测和固定污染源烟气排放连续监测的数据采集器。目前已在环境和污染源监测系统中被大量采用，被认为是一种可以为用户提供符合国家技术规范的数据报告、方便实用的数据采集器。DL6018是现代技术与实用型相结合的先进数据采集器。以工业控制用计算机为主体，配置电话或网络通讯设备而构成的数据采集系统为用户提供了极为广泛的应用范围、三年的数据存储空间以及良好的用户接口和二次开发能力。DL6018配有专用的16或32通道模拟信号输入端口和16通道数字输入输出端口，能同时采集多台仪器的标准模拟输出信号，通过数字输入输出端口对系统的运行状态进行控制和管理，并可以定时使仪器进入校准状态，完成系统的质量保证工作。DL6018既可以作为一个数据处理的独立系统，在数据采集现场实现数据采集、处理和报告显示及打印，也可以通过电话线、GSM无线通信网、串行电缆或局域网等多种通讯方式与中心站计算机连接，作为一个大系统中的子系统。技术规格td valign="top" colspan="1" rowspan="1" wi 主机尺寸：482.6 X 450 X 177 (mm)工作温度范围：0 - 50℃电源：AC100-240V/50-60 HzCPU： Intel 3.0G CPU双核四线程 内存：2G及以上存储器：SATA 硬盘 500G (固态硬盘 120G 可选配)显示：外接19寸显示屏或者KVM接口：10串口，4个USB 2.0，2个USB3.0，2个1000M以太网卡外设：外置56K调制解调器，外置USB鼠标/键盘（系统维护时使用，平时可收起）操作系统 ：Windows XP 中文版模拟输入方式：0-1V，0-5V，0-10V或4-20mA模拟输入：16通道双端电压输入(可扩展至32通道)，250V过压保护输入阻抗：0.5A@120VAC/1.0A@24VDC继电器输出；或650mA@40VDC源极开路驱动门输出
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    厂商： 赛默飞世尔环境与过程
    品牌： 赛默飞/Thermo Fisher
    型号： Model DL6018
    价格： 5万 - 10万元
  • 超低温存储器
    24万只@0.5ml冻存管，双压缩机制冷备份。箱体厚150mm，能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电，1.4kw平均功率。可配备程序降温模块。也可选配-40度低温气体传输模块
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    厂商： fosunlifescience
    品牌： --
    型号： FX-C10
    价格： 300万元
  • 超低温存储器
    140万只@0.5ml冻存管，双压缩机制冷备份。箱体厚度150mm，能保障-80度到-60度温升超过48h。380v供电，8kw平均功率。可配备程序降温模块，一键调库/一键移库功能。也可选配-40度低温气体传输模块
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    厂商： fosunlifescience
    品牌： --
    型号： FX-C1M
    价格： 160万元
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数据存储器相关的资讯

  • 存储器和高能激光芯片设备有新突破！
    近日，《nature》杂志更新了两则最新研究，明尼苏达大学团队研究出计算随机存取存储器CRAM，可以极大地减少人工智能（AI）处理所需的能量消耗；斯坦福大学的研究人员则在芯片上设计开发出一台微型的钛蓝宝石 (Ti:Sa) 激光器，可用于未来的量子计算机、神经科学等领域。明尼苏达大学研究出计算随机存取存储器CRAM近期，《nature》杂志的同行评议科学期刊《npj Unconventional Computing》发布了一项名为计算随机存取存储器（Computational Random-Access Memory, CRAM）的最新研究，该新技术能够极大地减少人工智能（AI）处理所需的能量消耗。图片来源：《nature》截图据悉，这项技术由明尼苏达大学双城分校的一组工程研究人员开发，该校电气与计算机工程系博士后研究员、论文第一作者杨吕表示，这项工作是 CRAM 的首次实验演示，其中数据可以完全在存储器阵列内处理，而无需离开计算机存储信息的网格。国际能源署（IEA）于2024年3月发布了全球能源使用预测，预测人工智能的能源消耗可能会从2022年的460太瓦时（TWh）增加一倍至2026年的1,000 TWh。这大致相当于日本整个国家的电力消耗。目前，随着人工智能应用需求的不断增长，许多研究人员一直在寻找方法来创建更节能的流程，同时保持高性能和低成本。通常机器或人工智能流程在逻辑和内存之间传输数据会消耗大量的电力和能源。据悉，这项研究已经进行了二十多年，其最早可以追溯到电气与计算机工程系教授王建平在使用MTJ（磁隧道结）纳米设备进行计算方面的开创性工作。“我们20年前直接使用存储单元进行计算的最初想法被认为是疯狂的”，该论文的资深作者、明尼苏达大学电气与计算机工程系杰出 McKnight 教授兼 Robert F. Hartmann主席王建平 (Jian-Ping Wang) 表示。2022年1月3日，明尼苏达大学理工学院宣布，明大“Distinguished McKnight University Professor”王建平博士当选美国国家发明家科学院（National Academy of Inventors - NAI）院士。MTJ器件是一种纳米结构器件，这是一种利用磁性材料实现存储的新兴技术。在王建平的专利 MTJ研究的基础上，这个团队开发出了磁性RAM (MRAM)，目前这种技术已用于智能手表和其他嵌入式系统。在CRAM中，MTJ不仅仅用于存储数据，还被用来执行计算任务。通过精确控制MTJ的状态，可以实现诸如AND、OR、NAND、NOR和多数逻辑运算等基本逻辑操作。CRAM技术采用了高密度、可重构的自旋电子（spintronic）计算基底，直接嵌入到内存单元中。与三星的PIM技术相比，CRAM技术使数据无需离开内存即可进行处理，消除了数据在内存单元与处理单元之间的长距离传输。CRAM通过消除数据在内存和处理单元之间的移动，显著降低了能耗。此外，由于CRAM的计算直接发生在内存中，它还提供了更好的随机访问能力、可重构性以及大规模并行处理能力。CRAM 架构实现了真正的在内存中进行计算，打破了传统冯诺依曼架构中计算与内存之间的瓶颈——冯诺依曼架构是一种存储程序计算机的理论设计，是几乎所有现代计算机的基础。CRAM技术展现了巨大的潜力，尤其是在机器学习、生物信息学、图像处理、信号处理、神经网络和边缘计算等领域。例如，一项基于CRAM的机器学习推理加速器的研究表明，它在能量延迟乘积方面的性能比现有技术提高了大约1000倍。此外，CRAM在执行MNIST手写数字分类任务时，能耗和时间分别降低了2500倍和1700倍。当下CRAM技术展现出巨大的潜力，但其真实计算能力的局限在于连续CRAM数组内部。任何需要跨越不同CRAM数组的数据访问和计算都会增加额外的数据移动开销。未来，研究人员仍需应对可扩展性、制造和与现有硅片集成方面的挑战。他们已计划与半导体行业领导者进行演示合作，以帮助将CRAM变成商业现实。高能激光芯片设备研究有新突破！近日，斯坦福大学的研究人员在芯片上设计开发出一台微型的钛蓝宝石 (Ti:Sa) 激光器，相关研究已于6月26日更新在《nature》杂志上。原型机的体积仅为传统传统钛宝石激光器的万分之一，而生产成本也仅有原来的千分之一。总体而言，新设备同时解决了体积大、价格高等挑战，而且在规模效率方面也具有优势。目前传统激光器成本高达10万美元。但科学家认为，采用杂志上提及的最新方法，每台激光器的成本可能会降至100美元。他们还声称，未来可以在一块四英寸晶圆上安装数千台激光器，而每台激光器的成本将降至最低。这些小型激光器可用于未来的量子计算机、神经科学，甚至微观手术。图片来源：《nature》截图实验性激光依赖于两个关键过程。首先，他们将蓝宝石晶体研磨成厚度仅为几百纳米的一层。然后，他们制作出一个由微小脊线组成的旋涡，并用绿色激光笔照射其中。随着旋涡的每次旋转，激光的强度都会增加。“最棘手的部分之一是平台的生产，”这项研究的共同第一作者、斯坦福大学博士生Joshua Yang告诉《生活科学》。“蓝宝石是一种非常坚硬的材料。当你研磨它时，它常常不喜欢它，它会破裂，或者损坏你用来研磨的东西。”激光的强度通过晶体表面的一系列涡流增加（图源：Joshua Lang 等人，《自然》杂志）该学术团队对这项技术十分看好，主要原因在于这台最新激光器可以调节到不同的波长；具体来说，从 700 到 1,000 纳米，或从红光到红外光。杨教授以固态量子比特为例，指出这对于原子研究人员来说至关重要。“这些原子系统需要不同的能量（才能从一种状态过渡到另一种状态），”他说。“如果你购买的激光器增益带宽较小，而另一种过渡超出了该带宽，那么你就必须购买另一种激光器来解决该问题。”目前， Joshua Yang和他的同事已创建了一家名为Brightlight Photonics 的公司，以实现这项技术商业化。
    时间： 2024-08-01
    作者： Jansky
  • 上海微系统所在相变存储器研制方面取得进展
    当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。 　　作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。 　　研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。 　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算，发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件，研究发现随着器件尺寸减小，单质锑相变存储器的速度越快。 　　200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1)，当器件尺寸微缩至60 nm时，写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2)，单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器，其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明，通过选择合适的相变材料，相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。 　　该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。
    时间： 2023-02-02
    作者： 情绪波动
  • 基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展
    二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内沿z轴获得更高密度集成。因此，基于垂直架构的二维纳米电子学器件，已成为当前延续摩尔定律的重要研究方向之一。迄今为止，针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏，尤其缺失具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究，主要原因在于传统基于隧穿架构的二维忆阻器难以在垂直方向兼具更高性能和有效栅极调控特性。 　　近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。11月17日，相关研究成果以A gate programmable van der Waals metal-ferroelectric-semiconductor vertical heterojunction memory为题，在线发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。 　　科研团队使用二维层状材料CuInP2S6作为铁电绝缘体层，利用二维层状半导体材料MoS2和多层石墨烯分别作为铁电忆阻器的上、下电极层，形成金属/铁电体/半导体(M-FE-S)架构的忆阻器；在顶部半导体层上方通过堆叠多层h-BN作为栅极介电层引入了MOSFET架构。底部M-FE-S忆阻器件开关比超过105，具有长期数据存储能力，且阻变行为与CuInP2S6层的铁电性存在较强耦合(图1)。此外，研究通过制备3×4的阵列结构展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列【crossbar array，实现随机存取存储器(RAM)的关键结构】的可行性(图2)。进一步，研究在上方MOSFET施加栅极电压，有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度(或费米能级)，从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控(图3)。基于上述成果，科研人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性(图4)。 　　本研究展示的门电压可编程的铁电忆阻器有望在未来人工突触等神经形态计算系统中发挥重要作用，并或推动基于二维铁电材料制备多功能器件的开发。此外，该工作提出的MOSFET与忆阻器垂直集成的架构可进一步扩展到其他二维材料体系，从而获得性能更加优异的新型存储器。 　　研究工作得到国家重点研发计划“青年科学家项目”、国家自然科学基金青年科学基金项目/面上项目/联合基金项目、沈阳材料科学国家研究中心等的支持。图1.器件结构设计及两端铁电忆阻器的存储性能。a、器件结构示意图；b、器件的阻变行为；c、少层CuInP2S6的压电力显微镜相位和幅值图；d、器件在不同温度下的输运行为；e、存储器的数据保持能力测试；f、存储器开关比统计图。图2.铁电忆阻器存储阵列演示。a、二维铁电RAM结构示意图；b、CuInP2S6/MoS2界面的HAADF-STEM照片；c、3×4阵列的SEM图像；d、局部放大图；e、3×4阵列的光学照片；f-g、通过读取3×4阵列中每个交叉点的高阻态和低阻态编码的“I”“M”“R”的简化字母。图3.器件的可编程存储特性。a、器件结构示意图；b、MoS2层的转移特性曲线；c-d、异质结的能带结构图；e-f、通过施加门电压实现了对存储窗口从有到无的调控。图4.门电压可编程存储器的多阻态存储特性。a-d、器件在不同门电压下的存储窗口；e、器件的多阻态存储性能演示；f、栅极调控的耐疲劳特性。
    时间： 2022-11-28
    作者： 情绪波动
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  • 相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

    一、相变存储器的特性和功能 　　相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存，也有RAM或EEpROM特定的属性。 　　1.1位变量 　　与RAM或EEPROM一样，PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0，也可以从0更改为1，而无需单独的删除步骤。 　　2.非挥发性 　　NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点，也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据，实验结果表明PCM具有良好的非易失性。 　　3.读取速度 　　与RAM和NOR闪存一样，PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此，您可以直接在阵列上运行代码，PFC（功率因数校正）而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存，带宽类似于DRAM。另一方面，NAND闪存的随机存储时间达数十微秒，因此无法直接完成代码的执行。 　　4.写入/清除速度 　　PCM可以获得与NAND相同的写入速度，但PCM的响应时间缩短，不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定，但删除时间较长。与RAM一样，PCM不需要单独的擦除步骤，但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展，存储设备将缩小，PCM将不断改进。 　　5.缩放 　　变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构，存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的，能量计量需要10V以上的电源，CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律，存储每缩小一次，密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小，GST材质的体积也在缩小，PCM也在缩放。 　　二、内存选择和总线概念 　　发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里？ 　　那在计算机上，一般来说，这8条线不仅连接一条内存，还连接其他部件，所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的，所以如果总是把一个设备连接到这8条线上，那就不好了。例如，如果这个内存单位的数字是0FFH，另一个存储单位的数字是00H，那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗？所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上，则无需直接连接到每个设备，只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关，将数据写入此内存，或从内存中读取数据，打开开关即可。 这套开关由三条引线选择：读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片，请先选择片，然后发送写入信号，开关将关闭，传输的数据(电荷)将写入片。要读取，首先选择片，然后发送读取信号，交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存，但由于切片选择不同，有读写信号，但没有切片选择信号，所以不同的内存不会“误解”，而是打开门，造成碰撞。那么，如果在不同的时候选择两个芯片呢？如果是设计良好的系统，就不会这样。因为它不是我们的人，而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况，那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。 　　那么，在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里，高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高，电子越活跃，在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。 [b]创芯为电子[/b]主要从事各类[url=https://www.szcxwdz.com][b]电?元器件[/b][/url]的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]服务，减少采购物料的时间成本，在售商品超60万种，原?或代理货源直供，绝对保证原装正品，并满?客??站式采购要求，当天订单，当天发货，免费供样！

  • 【原创大赛】认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”

    【原创大赛】认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”

    [align=center][font=宋体][size=14px]认识非易失性随机存储器，自己更换仪器另类“电池”[/size][/font][/align][size=14px][font=宋体] 现在的仪器中，许多电路板上已经看不见常见的纽扣电池。前些年的部分仪器通常将非易失性时钟随机存储器用于系统通讯时的数据交换缓冲区，备份系统工作参数及存储系统实时时钟、常用数据等。当这个IC内部的锂电池失效后，系统无法通过自检，不能开机，这就需要换这个另类“电池”。[/font][font=宋体] 这个“电池”不是人们头脑里通常关于纽扣锂电池的形象，往往打开机器后，不知道它在何方。下面通过更换[color=black]安捷伦7694E顶空[/color]机内的非易失性随机存储器，来认识它。[/font][font=黑体]一、非易失性随机存储器简单常识[/font][font=宋体][color=#333333] NV SRAM[/color][/font][font=宋体][color=#333333]（Non-volatile SRAM）是非易失性静态随机存取存储器。在早期（EPROM时代）的时候一些电子仪器想要保存一些数据（比如校准数据、机器设置等）是比较麻烦的事情，因为那时候没有EEPROM，也没有Flash，只有EPROM。EPROM是不可能实现IAP的。人们想出了一个办法，就是使用SRAM，在系统掉电之后由后备电池为SRAM提供电力保障数据不丢失。还有专门设计的SRAM。典型的例子就是电脑存放BIOS设置的RAM，它的保持电池是主板纽扣锂电池，缺电后，BIOS的个性化设置丢失，电脑系统时间失调，每次开机会要求重新设置。[/color][/font][font=宋体][color=#333333] 通俗地解释非易失性[/color][/font][font=宋体][back=white]存储器[/back][/font][font=宋体][color=#333333]，是指仪器断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器，IC内部自带电池。[/color][/font][font=宋体][color=#333333]常见的是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体]（美国[color=black]达拉斯半导体[/color]）[color=#333333]公司的DS1230Y系列。[/color][/font][/size][img=,690,453]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345148560_6868_1807987_3.jpg!w690x453.jpg[/img][size=14px][font=宋体][color=#333333] DS1230Y 256k[/color][/font][font=宋体][color=#333333]非易失NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使用、防止数据被破坏。DIP封装的DS1230器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。还有专为表面贴装设计的小尺寸模块封装。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。使用寿命确保10年以上。[/color][/font][font=宋体]（[color=black]2011[/color][color=black]年[/color]MIXIM（美信）公司[color=black]并购了达拉斯半导体公司，如果在[/color]DALLAS[color=black]的一些资料和产品上有[/color]MIXIM的logo，是正常情况）。[/font][/size][img=,690,811]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345334930_2830_1807987_3.jpg!w690x811.jpg[/img][size=14px][font=宋体]下面摘引网上[/font][font=宋体][color=#333333]DS1230[/color][/font][font=宋体]拆解图，可以看见[/font][font=宋体][color=#333333]这个[/color][/font][font=宋体]DS1230Y-100[/font][font=宋体][color=#333333]是[/color][/font][font=宋体]DALLAS[/font][font=宋体]（美国[color=black]达拉斯半导体[/color]）公司[/font][font=宋体][color=#333333]将超低功耗的赛普拉斯的SRAM芯片CY62256LL-70与自家的专用控制芯片DS13D12及松下的BR1632锂电池封装在一起组成的。[/color][/font][/size][img=,690,1186]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345338602_6287_1807987_3.jpg!w690x1186.jpg[/img][size=14px][font=黑体]二、更换仪器失效的非易失性随机存储器[/font][font=宋体]一台2008年购入的安捷伦7694E顶空，最近时常出现时钟混乱、自检通不过、不能开机故障。怀疑是机内记忆电池失效。[/font][/size][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345341266_1166_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][size=14px][/size][align=left][size=14px][font=宋体]拔下仪器电源插头，打开侧面盖板，看见内部电路板。箭头所指位置，是2只非易失性随机存储器（非易失SRAM），用作系统时钟、参数设置、实时信号处理、部分数据备份（[/font][font=宋体][color=#333333]校准数据、机器设置等[/color][/font][font=宋体]）等：[/font][/size][/align][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345344205_5246_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][font=宋体][size=14px]近距离看看，两只DALLAS公司的DS1230Y-100+安装在28脚插座上。非常奇怪，这2只非易失性随机存储器的出厂时间相差7年。上面那只2007年第8周生产的IC应该是2008年购机时的原装，下面那只2000年第45周生产的DS1230Y-100，不知道来历（该仪器多年前维修过），距今近20年，应该是内部的纽扣锂电池寿终正寝了：[/size][/font][img=,690,516]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345347850_7648_1807987_3.jpg!w690x516.jpg[/img][font=宋体][size=14px]下面是新购的两只DS1230Y-100+，2016年第13周生产：[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345349979_84_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][font=宋体][size=14px]更换很简单。将旧的IC拔下，将新的IC插到位就可以。装还原，开机，通过自检，进行初始化设置后，显示“READY”，仪器处于就绪状态：[/size][/font][img=,690,517]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2020/07/202007241345351913_1258_1807987_3.jpg!w690x517.jpg[/img][size=14px][/size][size=14px][font=黑体]结束语：[/font][font=宋体]当仪器开机出现自检不过，日期乱跳，以前设置的参数混乱，屏显数据异常等现象，如果购机时间较长（10年左右），平时封存停运时间多，应该考虑机内的非易失性随机存储器失效问题（有的仪器设计专用非易失性时钟随机存储器，只是出现系统时间混乱），开机检查一下这类IC，有无松动接触不良问题，插拔两次。如果排除接触不良问题，应考虑更换新的同型号IC。[/font][/size]

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