晶体生长炉

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晶体生长炉相关的厂商

  • 南京光宝光电科技有限公司
    南京光宝光电科技有限公司成立于2014年，是由南京市领军型科技人才创办的高科技企业，属于中科院上海光学精密机械研究所南京先进激光技术研究院孵化企业，于2018年成功申报国家高新技术企业。南京光宝光电以光学晶体材料的生产制造起家，包括激光晶体，非线性晶体，调Q晶体，闪烁晶体等，随着企业的不断发展，除了晶体材料的业务，依靠自己生长晶体的优势，现已研发生产晶体材料的下游产品，包括普克尔盒，不同种类及用途的固体激光器及晶体生长设备等。其中，由公司自主研发生产的1535nm用于测距和目标识别的人眼安全激光器已投入市场，凭借其各方面优势与许多厂家达成合作，用于军工领域。
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  • 合肥科晶材料技术有限公司 金牌12年
    400-860-5168转2205
    合肥科晶材料技术有限公司是美国MTI公司与中科院合肥物质科学研究院于1997年合资(MTI公司占80.23%的股份)兴办的高新技术企业，位于安徽省合肥市科学路10号，注册资金4200万元, 公司董事长江晓平博士毕业于东北大学（1981）。在中科院金属所授教师昌绪院士获博士学位（1988），并在美国麻省理工学院师从M.C.Flemings教授任博士后研究员（1988-1991）。是较早回国创业的留学生之一。曾获教育部“优秀留学生”称号。　 公司专业从事光电晶体材料的生长、定向、切割、研磨、抛光、镀膜等，拥有成套先进加工设备和工艺。公司员工大都具有10年以上晶体生长、定向、切割、研磨、抛光等丰富而专业的加工经验，公司率先在行业内成立了MgAl2O4，LaAlO3, SrTiO3等十多种氧化物基片质量标准。拥有先进而完善的检测手段: 万能工具显微镜、rocking curve摇摆曲线测定仪、X Ray定向仪、AFM原子力显微镜、XRD粉末衍射仪等，加工的产品达到超光滑(小于5A)、超洁净(1000级超净室检验、100级超净台和100级超净袋封装）、超平（厚度公差最高达3um）。 目前主要产品有高温超导薄膜基片；磁性铁电/压电外延薄膜基片；半导体基片；金属单晶/多晶基片；溅射靶材（包括近50余种陶瓷靶材、单晶靶材、金属靶材和合金靶材等）以及各种粉料、包装盒等。晶体基片从A~Z达上百种，规格型号上千种，是目前全球最大的能批量生产单晶基片的厂家之一；产品从原材料采购、生产制作、包装检验，每一步都严格控制，确保品质。从而保证了产品质量优、价位低、交货迅速。　 为满足客户需求，公司从01年开始推出材料实验室成套设备，包括“混料-压料-烧料-分析料”(混料机、压片机、箱式炉、真空管式炉和小型X射线衍射仪)以及“定向-切割-研磨-抛光”(X射线定向仪、低速外圆锯、金刚石线切割机、802自动抛光机和1502自动抛光机等)。在过去的一里年又新增添了成套新型能源材料制备相关设备产品，其中包括“混料-烧料-分析-涂层-成型-封装-测试”（球磨机、高温高压炉、材料分析仪、涂层机、轧机、切片机、封装机、电池分析仪）。公司自主研发生产可提供上百款产品不同规格尺寸、温度、高温高压及超快速升温产品其中包括：箱式炉、气氛炉、管式炉、井式炉、RTP快速升温炉、高温高压炉及电池研发相关等实验室设备，设计独特、人性化，性能优异，质量可靠，性价比高，环保节能、返修率低，广泛应用于材料、物理、化学、冶金、灰化、齿科、新型能源研发等领域，受到客户极端好评，同时，由于我们产品的优良性能，科晶的设备更是远销美国，欧洲，日本等许多国家，令挑剔的外国客商也称赞不已。　　 为了更好的服务客户，我公司设有材料制备体验中心、电池研发制备体验中心及材料检测中心，可对外提供晶体材料生长、切磨抛、样品检测等相关服务，欢迎客户带样品来我公司实验室进行试加工，以方便客户了解我们产品的性能；同时我公司的专业技术人员也可以提供技术建议与方案，使客户能够了解买到最适合的加工工艺及设备；另外，我公司还提供完善的售后服务，您在购买产品后遇到疑难问题时，我们将全力为您排忧解难。　 科晶公司成立二十年来，我们正以实际行动努力将自己打造成国内晶体材料及材料制备相关设备领域的第一品牌。相信不久的将来，科晶的品牌同样会在国际市场上成为专业与杰出性价比的代名词。美丽的科学岛期待您的光临，科晶期待您的光临。
    主营产品： 马弗炉   切割机   干燥箱   磨抛机  
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  • 泰兴市和宸晶体科技有限公司
    泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市，距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内，交通方便，公司主要产品有：蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等，其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队，并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于：深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导！
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晶体生长炉相关的仪器

  • 晶体生长炉 400-860-5168转2205
    产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：
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    厂商： 合肥科晶材料技术有限公司
    品牌： 合肥科晶
    型号： SKJ-50
    价格： 面议
  • 激光加热基座晶体生长炉 400-860-5168转0980
    激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学
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    厂商： QUANTUM量子科学仪器贸易（北京）有限公司
    品牌： Cyberstar
    型号： LHPG
    价格： 100万 - 150万元
  • SKJ-M50-16金属晶体生长炉 400-860-5168转1374
    SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒
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    厂商： 沈阳科晶自动化设备有限公司
    品牌： 沈阳科晶/KJ GROUP
    型号： SKJ-M50-16金属晶体生长炉
    价格： 面议
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晶体生长炉相关的资讯

  • 半导体晶体生长设备供应商南京晶升装备29号上会
    南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升装备”）9月21日正式发布上会稿，9月29号上会。晶升装备聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等定制化的晶体生长设备。其产品半导体级单晶硅炉下游行业为硅片厂商，下游应用行业具有技术壁垒高、研发周期长、资金投入大、下游验证周期长等特点，市场集中度较高。根据 Omdia 统计1，全球硅片市场份额主要被日本信越化学、日本胜高、中国台湾环球晶圆、 德国世创和韩国 SK 五大企业占据，五大企业占全球硅片市场份额约为 90%，由于国内半导体硅片行业起步较晚，国内硅片市场份额不足 10%，相对较低，增速及进口替代空间巨大。中国大陆半导体硅片厂商技术发展相对落后，国内主要硅片厂商以生产 200mm（8英寸）及以下抛光片、外延片为主，300mm（12英寸）产能规模占比相对较低，仅有沪硅产业（上海新昇）、TCL 中环（中环股份）、立昂微（金瑞泓）、奕斯伟等少数厂商可实现12 英寸半导体级硅片批量供应。目前国内自产12英寸产能仅为54万片/月，总需求为150万片/月至200 万片/月，自产供给和需求之间存在较大差距，主要依赖进口。从全球趋势来看，由于成本和制程等原因，国内12 英寸需求也将越来越大。因此，12英寸半导体级硅片成为未来国内硅片市场主要增长点，带动上游晶体生长设备行业实现规模化增长。晶升装备在三轮问询回复中表示，公司已于2018年率先实现了12英寸半导体级单晶硅炉国产化。虽然产品设备规格指标参数、晶体生长控制指标参数与国外厂商基本处于同一技术水平，但因产业应用时间较短，验证经验相对不足，目前与国外厂商的竞争中还处于相对劣势。以国内12英寸硅片龙头企业沪硅产业（上海新昇）为例，其采购国外厂商S-TECH Co., Ltd半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例超过85%，采购晶升装备12英寸半导体级单晶硅炉产品占采购同类产品比例约为10%-15%。然而，相比国内厂商，晶升装备具有先发及领先优势。其12英寸半导体级单晶硅炉产品技术水平、市场地位及市场占有率国内领先，随着产业应用时间及下游认证的逐步推进，晶升装备将在半导体级单晶硅炉国产化替代进程中具备较强的竞争优势。根据三轮问询回复，目前晶升装备在半导体级单晶硅炉的国内竞争对手主要为晶盛机电及连城数控。晶盛机电及连城数控的的晶体生长设备下游应用领域主要为光伏级硅片领域，晶升装备产品聚焦于半导体级单晶硅炉领域。晶升装备的12英寸半导体级单晶硅炉已实现为国内领先半导体硅片企业沪硅产业（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）的批量化销售。其产品的定制化能力、可应用制程工艺、下游量产进度较国内竞争对手具有领先性。晶升装备根据国内硅片行业整体预计新增产能对公司半导体级单晶硅炉市场空间进行测算，预计未来2-3年，公司半导体级单晶硅炉市场空间可达约9-29亿元。
    时间： 2022-09-30
    作者： KPC
  • 新一代高功率激光浮区法单晶炉助力哈尔滨工业大学 极端材料晶体生长实验及相关研究
    Quantum Design公司近期推出了激光浮区法单晶生长系统，该系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，具有更高功率、更均匀的能量分布和更加稳定的性能，其优越的技术性能将助力同行学者和专家的晶体生长工作！浮区法单晶生长技术因其在晶体生长过程中具有无需坩埚、样品腔压力可控、生长状态便于实时观察等诸多优点，目前已被公认为是获取高质量、大尺寸单晶的重要手段之一。激光浮区法单晶生长系统可广泛应用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合端材料（诸如：高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等），以及常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作！跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：■ 功率更高，能量密度更大，加热效率更高■ 采用技术五路激光设计，确保熔区能量分布更加均匀■ 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力■ 采用了特的实时温度集成控制系统新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数：加热控制激光束 5束激光功率 2KW熔区高温 ～3000℃*测温范围 900℃～3500℃温度稳定性 +/-1℃晶体生长控制大位移距离 150mm*晶体生长大直径 8mm*晶体生长大速度/转速 300 mm/hour 100rpm晶体生长监控 高清摄像头晶体生长控制 PC控制其它 占地面积 D140 xW210 x H200 (cm)* 具体取决于材料及实验条件哈尔滨工业大学科学工程专项建设指挥部暨空间基础科学研究中心致力于各种高熔点、易挥发的超导、磁性、铁电、热电等材料的单晶生长实验及相关物性研究，近日，我司再次同院校哈尔滨工业大学合作，顺利完成新一代高功率激光浮区法单晶炉设备采购订单，推动单晶生长工作迈向更高的台阶，我们也将一如既往，秉承精益求精的研发、设计和加工理念，为用户提供优质的技术和服务，助力用户科研事业更上一层楼!RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物图 采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
    时间： 2019-09-30
    作者： QUANTUM量子科学
  • 北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
    天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“碳化硅晶体生长装置”专利公布，申请日期为2023年2月8日，公开日为2024年8月9日，申请公布号为CN118461121A。背景技术随着第三代半导体材料使用领域的扩大，碳化硅单晶材料作为第三代半导体的代表材料，因其特性具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子漂移速率高和击穿场强高等性质。在多个领域具有广阔的应用前景，尤其电动汽车、轨道交通和电机驱动(Motor driving)领域增长迅速，占比逐年增大。碳化硅单晶材料普遍采用物理气相传输(Physical Vapor Transport，PVT)法生长，在PVT法中，采用碳化硅粉料作为生长单晶的原料，将碳化硅籽晶粘接在石墨坩埚顶部(石墨盖)作为籽晶，通过电磁感应线圈加热石墨坩埚，石墨坩埚通过热传导将碳化硅原料加热至升华，气相碳化硅在轴向温度梯度作用下输送到籽晶位置开始生长，在特定温度下可生长单晶碳化硅。碳化硅晶体生长中，坩埚是主要的发热源，粉料通过吸收坩埚壁的热量实现升华。由于热量通过粉料间热传导的方式从石墨壁向粉料中心传递，这导致粉料中心的温度始终低于边缘温度。发明内容本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅单晶材料的制造技术领域，为解决坩埚内的粉体温度均匀性差的问题而设计。碳化硅晶体生长装置包括坩埚、感应线圈组件和盖设于坩埚上方的盖板，盖板用于在盖板的中心设置籽晶，坩埚内设置有至少一个的感应加热件；感应加热件具有封闭连续的外周面，且能够在感应线圈组件的作用下产生感应涡电流。本发明提供的碳化硅晶体生长装置可以改善坩埚内的粉体温度均匀性。
    时间： 2024-08-16
    作者： Jansky
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晶体生长炉相关的论坛

  • 【求助】有关晶体生长方向的疑问

    对于三斜硼酸镁，如果只观测到了(210)的晶格纹，则可以判定晶体平行(210)生长。能否判定其沿[001]生长？如果需要判定其沿[001]生长，还需要什么条件？能否通过电子衍射的衍射斑以及它与相应TEM照片的几何关系，直接判断晶体生长方向？

  • 【求助】关于薄膜晶体生长方向

    刚刚接触电子衍射，想问个问题，希望各位前辈指点。在论坛看到关于晶体生长方向的帖子说：晶体的生长方向就是和电子衍射同方向上最低晶面指数的一个面。哪位能举个具体的例子说明一下，我实在太笨了先谢谢了！

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晶体生长炉相关的耗材

  • Nd:YAP晶体
    Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体由孚光精仪进口,孚光精仪公司是中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。I)Nd:YAP晶体棒标准产品为0.7 at.％ Nd:YAP（连续激光）和0.9 at.％ Nd/Y（脉冲激光），都是b定向产品，可根据用户要求提供其他掺杂浓度的产品；II）掺钕铝酸钇晶体在1079nm的斜效率与Nd：YAG在1064nm的类似；III) Nd:YAP晶体b轴定向切割适合多种应用； IV) Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体线性极化，无热双折射问题，易于产生1.3微米激光。Nd：YAG晶体和Nd：YAP晶体比较 晶体名称Nd:YAP晶体Nd:YAG晶体介质主体YAlO3Y3Al5O12掺杂离子NdNd晶体结构正交，斜方晶系立方晶胞体积a0=0.518nm b0=0.531nm c0=0.736nmak=1.201nm折射率（1064nm) a:1.914 b:1.925 c:1.940 1.816热导率0.11W/cm K0.11W/cm K密度5.35g/cm3 4.56g/cm3莫氏硬度8.58.25荧光寿命（1％Nd）170微秒235微秒激光波长930nm 1079nm 1340nm946nm 1064nm 1319nm我们提供的Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体采用Czochralski法生长而成，在Nd:YAP晶体生长过程中使用了保护性的大气，精确控制退火，保证了Nd:YAP晶体,掺钕铝酸钇晶体良好的激光产生效率。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • SBN晶体
    SBN晶体又名铌酸锶钡是一种非常优异的光折变晶体材料。我们提供欧洲生长的高纯度SBN晶体或Ce,Cr,Co,Fe掺杂的SBN晶体。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体,用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我们提供的SBN晶体采用新的晶体生长技术 (Stepanov Method)， 提供出色的光学质量,晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均性现象。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。SBN晶体和铌酸锶钡晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的SBN晶体等光折变晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。SBN晶体和铌酸锶钡元素满足不同的应用要求，基于这种生长技术，我们提供的SBN晶体具有尺寸大，品质高的特点。此外，我们还提供如下特殊掺杂的铌酸锶钡晶体：Ce, Cr, Co, Ni, La, Tm, Yb, Nd， Ce+La, Ce+Ti, Ce+Cr铌酸锶钡晶体应用： 1.SBN晶体用于双波混频：光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 铌酸锶钡晶体用于四波混频：高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. SBN晶体用于电光器件和声光器件；4. 铌酸锶钡晶体用于Pyroelectrical 探测器；5. SBN晶体晶体用于自倍频，自合频。
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体
    光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。 光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi 12 SiO 20（BSO） Bi 12 GeO 20（BGO）Fe：LiNbO 3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23 三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.10 10.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-7 0.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μmn e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r 13 = 47，r 33 = 235r 13 = 67，r 33 = 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm 39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33） 8803400暗电阻，欧姆厘米10 1410 14-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm -1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下---- 0.008 W / cm * K热光系数dn e / dT---3×10 -4 K -1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
    供应商： 上海屹持光电技术有限公司
    品牌： Eachwave
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