晶体恒温炉

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晶体恒温炉相关的厂商

  • 泰兴市和宸晶体科技公司位于长江之滨泰兴市,距无锡常州苏州扬州泰州距离均在150公里以内,交通方便,公司主要产品有:蓝宝石精密光学窗口片保护片、蓝宝石精密部件、蓝宝石光学透镜棱镜等,其中高面型蓝宝石产品享誉市场。拥有技术研发团队和多年浸染光电加工行业的高素质技工团队,并采购了国内和国际顶尖水平的加工和检测设备。和宸晶体的蓝宝石产品已广泛应用于:深海探测、高铁监控监测、油田监测、航空航天等领域。热忱欢迎国内外客商莅临我公司参观指导!
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  • 1. 提供氟化物晶体材料,CAF2, BAF2, MGF2, LIF2. 提供光学元件:透镜,柱面,棱镜,楔角,平面3. 质量稳定,信誉可靠
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  • 北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区代理商。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供最先进的仪器、设备,最周到的技术、服务和完美的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,光电技术、材料科学、光电子科学与技术、半导体等等领域,都需要与欧美发达国家完全接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。主要产品: 1.飞秒激光元件飞秒激光反射镜、飞秒激光透视镜、飞秒激光棱镜、飞秒偏振光学器件、飞秒非线性激光晶体2.非线性光学和激光晶体BBO晶体, LBO晶体, KTP晶体, KDP晶体, DKDP晶体, LiIO3晶体, LiNbO3晶体, MgO:LiNbO3晶体, AGS晶体 (AgGaS2晶体), AGSe晶体 (AgGaSe2晶体), ZGP (ZnGeP2) 晶体, GaSe晶体, CdSe晶体等。Nd:YAG晶体, Nd:YVO4晶体, Nd:KGW晶体, Nd:YLF晶体, Yb:KGW晶体, Yb:KYW晶体, Yb:YAG晶体, Ti:Sapphire晶体, Dy3+:PbGa2S4晶体等晶体恒温炉、晶体温控炉等3.普克尔斯盒及驱动KTP普克尔斯盒、DKDP普克尔斯盒、BBO普克尔斯盒、高重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、低重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、普克尔斯盒支架等4. Nd:YAG激光器元件Nd:YAG激光反射镜、Nd:YAG激光棱镜、Nd:YAG激光窗口、Nd:YAG激光偏振片、Nd:YAG激光晶体等5.激光器和激光器模块连续半导体激光器、连续DPSS激光器、调Q DPSS激光器、超快光纤激光器等6.光学元器件光学材料、光学镀膜、介质镜、金属镜、激光器窗口、棱镜、光学滤光片、光学柱面镜、偏振镜、紫外和红外光学元件7.光学整形系统高斯光转平顶光光束整形系统、扩束镜、F-Theta镜(聚焦镜)、望远镜、可调激光衰减器、可变光圈、精密空间滤光片、束流捕捉器8.光学精密位移机构防震桌、光学支架、光学导轨、固定座、光学固定、光学定位、传输和定位台、自动定位和控制器等9.半导体激光器高功率半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器10.铒玻璃掺铒磷酸盐激光玻璃、铒玻璃、铒镱共掺激光玻璃、1550nm激光器、人眼安全激光器11. DPSSL激光谐振腔设计软件和数据库12. F-P扫描干涉仪13.应力测试仪日本UNIOPT公司应力双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应(MOKE)测试仪、薄膜残余应力测试仪。应力双折射测试仪、应力测试仪、应力分析仪、偏振相机14.精密划片机日本APCO公司手动精密划片机、自动精密划片机。日本NDS公司半自动自动划片机、贴膜机、UV解胶机、清洗机、晶圆划片(切割)刀、电畴划片刀、陶瓷划片刀、金属烧结划片刀、树脂划片刀等15.材料表征仪器霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、低温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪、低温探针台、变温探针台、椭偏仪联系电话:010-57034898,15313084898 邮箱地址:info@pcm-bj.com
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晶体恒温炉相关的仪器

  • 晶体生长炉 400-860-5168转2205
    产品型号:SKJ-50产品简介:SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等)的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时,为了避免可变因数造成的影响,一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的,然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定,价格适中的SKJ 50 单晶生长炉,可生长多种氧化物高熔点晶体,晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员健康造成损害!主要特点:中频感应电源:25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ,机械泵真空度可达 10-3 torr , 扩散泵真空度(选配)可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压:0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件:提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈(铜管)可选配件:铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看:
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  • PPLN晶体-温控炉 400-860-5168转3067
    激光晶体温控炉Temperature controller (TC-038D) & Oven 晶体需要控制其温度以保证位相匹配条件,我们开发研制了适用于超晶格样品的温控系统包括温控炉与控制器。炉体可放置晶体尺寸为(长宽高)50mm×10mm×2mm,温度调谐范围室温~200oC,温度调谐方便速度快。炉体设计为上开盖形式,方便实验中调节;温控炉与控制器为分体结构,更换灵活;底座采用铝合金材质可定制螺孔,方便与多维调节架的连接与装夹,牢固耐用。产品特色:PID控制自动调谐&可编程温度调谐范围:室温-200℃存储温度:-20℃-70℃最大功耗:24V/60W通讯接口:USBGUI程序尺寸:150(L)X 90(W)X 65(H)mm^3炉子选项:OV-30D(203g),OV-50D (380g)TC-038D:约900gCE,RoHS/REACH认证PPLN chip holder 用来夹持非线性晶体尤其是PPLN/PPLT晶体的各种安装座,包括普通类型,飞秒类型。我们提供的OV-30D或者OV-50D安装座可以夹持1mm到40mm的普通类型晶体。飞秒类型PPLN晶体(极短的PPLN)将会安装在CD类型(约3g)huozhe fs 9605/9610/1410.
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  • 一、设备概况1.1设备用途:晶体材料生长设备。1.2 VGF 、HB 、HGF 、VB产品特点:1.2.1用于GaAs等化合物晶体的生长;1.2.2按结构形式:垂直生长,水平生长;1.2.3按生长方式:梯度生长及移动生长 ;1.3晶体生长尺寸:2-6寸1.4设备分类:HB 、HGF 、VGF 、VB二、主要技术参数提供专用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的晶体薄膜生长制成专用设备,以满足化合物半导体器件的生产、研发工艺。结构形式单管水平式,加热炉体可左右移动适合晶体(可定制)2~4寸炉体有效加热长度1600mmzui高工作温度1300℃恒温区精度(静态闭管)±0.5℃升温速率斜变升温速率可控在0~15℃/min降温速率0~5℃/min供电电源三相五线~380V±10% ,50Hz 三、售后服务及培训3.1技术培训设备试生产运行前,卖方负责培训买方相关操作和维修人员,内容包括设备操作维护、故障的分析和处理。3.2售后服务质保期内设备如发生故障,在得到买方通知后 4 个小时给答复,24 小时内卖方派有经验的工程师到现场进行维修。卖方对设备提供终生的免费技术支持,随时处理、解答买方提出的技术问题。质保期内每年派出 1~2 名相关技术人员到厂作指导及进行相应维护。技术培训和售后服务期间卖方人员的费用由卖方承担。四、设备验收4.1设备交货期见商务合同4.2交货方式设备在买方的施工现场安装调试完毕、连续试生产正常运行 30 日后,验收合格整体交货。 设备到货开箱前卖方应提前3天通知买方,由买方、卖方和监理共同进行设备的初验。卖方在设备包装发货前10天通知买方到卖方制造现场验收,经买方验收人员验收合格签字后确定发货时间 设备验收时须提供相关验收资料,但不作为设备的结束验收。
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晶体恒温炉相关的资讯

  • 分子大小的晶体管新鲜出炉
    在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。  新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。  构成晶体管的每个铟原子的直径是167皮米(0.167纳米),比目前的最小电路——IBM公司刚刚推出的7纳米芯片(晶体管尺寸为7纳米)要小42倍。人类发丝厚度为10万纳米,大约是铟原子尺寸的60万倍 红血球直径6000纳米,是它的36000倍 甚至只有2.5纳米宽的DNA链,大小也达到了铟原子的15倍。  在这样的原子尺度上,电子流通常很难得到可靠地控制,电子会跳到晶体管外,导致晶体管无效。英国《卫报》网站21日报道称,研究团队使用一个扫描隧道电子显微镜,将铟原子放置在精确位置上,并对通过栅极的电子流进行控制。他们意外发现,位于晶体管中心的酞菁染料分子的方向是由其电荷决定的,这意味着,与传统晶体管只有一种简单的类似开关的状态相比,新型晶体管可能并不只限于此。  研究证明,通过精确控制原子来创建一个比现有任何其他量子系统都要小的晶体管是可能的,它也为进一步研究如何将这些微晶体管应用于处理能力超过目前水平几个数量级的计算机和系统打开了大门。  摩尔定律说,集成电路上可容纳的元器件的数目约每隔18个月到24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。芯片上集成的晶体管越多,其功能越强大。目前最新款计算机芯片已经突破7纳米尺度,向更小型化发展越来越难。虽然单分子晶体管距离集成到芯片中还很遥远,但这项新研究仍将有助于下一代计算机——量子计算机的开发。
  • 新一代高功率激光浮区法单晶炉助力哈尔滨工业大学 极端材料晶体生长实验及相关研究
    Quantum Design公司近期推出了激光浮区法单晶生长系统,该系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念,具有更高功率、更均匀的能量分布和更加稳定的性能,其优越的技术性能将助力同行学者和专家的晶体生长工作!浮区法单晶生长技术因其在晶体生长过程中具有无需坩埚、样品腔压力可控、生长状态便于实时观察等诸多优点,目前已被公认为是获取高质量、大尺寸单晶的重要手段之一。激光浮区法单晶生长系统可广泛应用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合端材料(诸如:高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等),以及常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作!跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势:■ 功率更高,能量密度更大,加热效率更高■ 采用技术五路激光设计,确保熔区能量分布更加均匀■ 更加科学的激光光斑优化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力■ 采用了特的实时温度集成控制系统新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数:加热控制激光束 5束激光功率 2KW熔区高温 ~3000℃*测温范围 900℃~3500℃温度稳定性 +/-1℃晶体生长控制大位移距离 150mm*晶体生长大直径 8mm*晶体生长大速度/转速 300mm/hour 100rpm晶体生长监控 高清摄像头晶体生长控制 PC控制其它 占地面积 D140 xW210 x H200 (cm)* 具体取决于材料及实验条件哈尔滨工业大学科学工程专项建设指挥部暨空间基础科学研究中心致力于各种高熔点、易挥发的超导、磁性、铁电、热电等材料的单晶生长实验及相关物性研究,近日,我司再次同院校哈尔滨工业大学合作,顺利完成新一代高功率激光浮区法单晶炉设备采购订单,推动单晶生长工作迈向更高的台阶,我们也将一如既往,秉承精益求精的研发、设计和加工理念,为用户提供优质的技术和服务,助力用户科研事业更上一层楼!RIKEN(CEMS)设计的五束激光发生器原型机实物图 采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例: Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
  • 新一代高性能激光浮区法单晶炉落户天津理工大学功能晶体研究院
    近日,国内套新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ在天津理工大学晶体研究院顺利完成安装调试。该设备(型号:LFZ-2KW)是由Quantum Design Japan公司传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念研发的,具有功率高、能量分布均匀和性能稳定等诸多技术优势,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!该设备可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。与传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design Japan公司推出的新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ具有以下技术优势:► 功率更高(激光功率2KW)► 采用全新五束激光设计,确保熔区能量分布更加均匀► 更加科学的激光光斑优化方案,可优化晶体生长过程中的温度梯度,进而改善晶体开裂问题► 采用了特的实时温度集成控制系统 天津理工大学功能晶体研究院是在天津理工大学、天津市及同行专家群策群力下成立的,旨在响应创新驱动发展战略,落实“双一 流”建设等重大战略决策,瞄准科技前沿和重大战略需求,同时服务天津区域经济发展而设立。Quantum Design中国非常荣幸将新一代高性能激光浮区法单晶炉安装于该平台,该系统将为用户单位在氧化物光学晶体及各种新材料等诸领域提供相关单晶样品制备支持! 新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ外观图系统内部结构实物图 参考信息来源:https://yjt.tjut.edu.cn/yjyjj.htm

晶体恒温炉相关的方案

晶体恒温炉相关的资料

晶体恒温炉相关的试剂

晶体恒温炉相关的论坛

  • 怎样确定晶体表面暴露的原子呢?

    对于片状ZnO纳米晶体,其中一面是Zn暴露的0001面,另一面是O暴露的000-1面,请问有什么方法可以分析实验合成的ZnO哪面是Zn暴露,哪面是O暴露吗?谢谢了!

  • 石英晶体振荡器

    石英晶体振荡器分非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、电压控制晶体振荡器(VCXO)、恒温控制式晶体振荡器(OCXO)和数字化/μp补偿式晶体振荡器(DCXO/MCXO)等几种类型。其中,无温度补偿式晶体振荡器是最简单的一种,在日本工业标准(JIS)中,称其为标准封装晶体振荡器(SPXO)。现以SPXO为例,简要介绍一下石英晶体振荡器的结构与工作原理。   石英晶体,有天然的也有人造的,是一种重要的压电晶体材料。石英晶体本身并非振荡器,它只有借助于有源激励和无源电抗网络方可产生振荡。SPXO主要是由品质因数(Q)很高的晶体谐振器(即晶体振子)与反馈式振荡电路组成的。石英晶体振子是振荡器中的重要元件,晶体的频率(基频或n次谐波频率)及其温度特性在很大程度上取决于其切割取向。石英晶体谐振器的基本结构、(金属壳)封装及其等效电路如图1所示。   只要在晶体振子板极上施加交变电压,就会使晶片产生机械变形振动,此现象即所谓逆压电效应。当外加电压频率等于晶体谐振器的固有频率时,就会发生压电谐振,从而导致机械变形的振幅突然增大。与金属板之间的静电电容;L、C为压电谐振的等效参量;R为振动磨擦损耗的等效电阻。石英晶体谐振器存在一个串联谐振频率fos(1/2π),同时也存在一个并联谐振频率fop(1/2π)。由于Co?C,fop与fos之间之差值很小,并且R?ωOL,R?1/ωOC,所以谐振电路的品质因数Q非常高(可达数百万),从而使石英晶体谐振器组成的振荡器频率稳定度十分高,可达10-12/日。石英晶体振荡器的振荡频率既可近似工作于fos处,也可工作在fop附近,因此石英晶体振荡器可分串联型和并联型两种。用石英晶体谐振器及其等效电路,取代LC振荡器中构成谐振回路的电感(L)和电容(C)元件,则很容易理解晶体振荡器的工作原理。   SPXO的总精度(包括起始精度和随温度、电压及负载产生的变化)可以达到±25ppm。SPXO既无温度补偿也无温度控制措施,其频率温度特性几乎完全由石英晶体振子的频率温度特性所决定。在0~70℃范围内,SPXO的频率稳定度通常为20~1000ppm,SPXO可以用作钟频振荡器。

  • 新出炉的溴化钾单晶体

    新出炉的溴化钾单晶体

    新鲜出炉的溴化钾单晶体,刚从炉里生长出来的,在切成溴化钾窗片之前给大家晒晒http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/em09502.gif 如果有需要的朋友也可以联系我,长期需要的可以给样品哟http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/em09506.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212162350_412991_2537041_3.jpg

晶体恒温炉相关的耗材

  • Ce:LuAG晶体
    优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体,可根据用户要求做成薄片的荧光屏,典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器,包括:棱镜型/球形或薄片型,并提供当面抛光,双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测,具有如下典型应用: 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择: *标准的成像屏:直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于:X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏:超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm,耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是:厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏,不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下: LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏:厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏:厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆,极易损坏,为此,我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏,或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件,根据不同的闪烁材料和应用,我们提供如下多种材料的导光元件: 有机玻璃(PMMA),近紫外的特殊有机玻璃,光学玻璃BK7, 石英玻璃,有机玻璃或石英玻璃光纤,蓝宝石,YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成,特别适合电子探测和成像,并配备多样的导光元件,非常方便测量。闪烁探测器:提供多种类型的探测器用于电镜,这些探测器具有工作寿命长,荧光效率好等特点,提供的标准产品有: 标准探测器:SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器:带镜头的探测器,阵列探测器,阴极荧光探测器(CL)
  • LuAG:Ce晶体
    优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体为闪烁体,可根据用户要求做成薄片的荧光屏,典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器,包括:棱镜型/球形或薄片型,并提供当面抛光,双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测,具有如下典型应用:荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择: *标准的成像屏:直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于:X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏:超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体厚度可小到为0.005mm,耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是:厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏,不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下: LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏:厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏:厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆,极易损坏,为此,我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏,或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件,根据不同的闪烁材料和应用,我们提供如下多种材料的导光元件: 有机玻璃(PMMA),近紫外的特殊有机玻璃,光学玻璃BK7, 石英玻璃,有机玻璃或石英玻璃光纤,蓝宝石,YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成,特别适合电子探测和成像,并配备多样的导光元件,非常方便测量。 闪烁探测器:提供多种类型的探测器用于电镜,这些探测器具有工作寿命长,荧光效率好等特点,提供的标准产品有: 标准探测器:SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器:带镜头的探测器,阵列探测器,阴极荧光探测器(CL)
  • Yb:LuAG晶体
    Yb:LuAG是应用前景广阔的激光工作物质,Yb:LuAG更适合激光二极管泵浦系统,并不适合传统的掺钕激光系统的泵浦结构。Yb:LuAG晶体或掺镱钇铝石榴石可输出0.94 μm激光,与传统的Nd:YAG晶体相比,Yb:LuAG晶体或掺镱钇铝石榴石具有更大的吸收带宽,更长的上能级寿命,3-4倍更低的单位泵浦功率热负 荷。Yb:LuAG晶体或掺镱钇铝石榴石在高功率半导体泵浦激光器领域,被人们认为是取代Nd:YAG 晶体的最佳选择。更多Yb:LuAG晶体资料请浏览:领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!Yb:LuAGUndoped YAG has higher thermal conductivity compared to undoped LuAG. Increasing Yb3+ doping leads to a drop of in thermal conductivity. In Yb:YAG thermal conductivity decreases to almost half of its initial value, while Yb:LuAG displays a drop of only 10%. Heavily doped Yb:LuAG can be advantageously used in thin disc lasers.Physical properties Yb:YAG Yb:LuAG Pump wavelength941 nm938 nmAbsorption cross section 8,2 . 10-21 cm27,2 . 10-21 cm2Emission wavelength1030 nm1031 nmEmission cross section2,1 . 10-20 cm22,6 . 10-20 cm2 Laser transition2F5/2 -- 2F7/22F5/2 -- 2F7/2Refractive transition1,821,84Crystal structurecubiccubic
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