阻变存储器

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阻变存储器相关的资讯

  • 微电子所阻变存储器集成应用研究获进展
    p   中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。 /p p   以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在RRAM方向具有长达10年的研究积累,于2015年开始联合中芯国际、国网智芯等单位,以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化。经过两年多的努力,在中芯国际28nm平台上完成了工艺流程的开发与验证,并在此基础上设计实现了规模为1Mb的测试芯片。 /p p   垂直结构的高密度三维交叉阵列,结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势,具有制备工艺简单,成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计,进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。 /p p   相关研究成果分别以 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 和 8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 为题在2017年国际电子器件大会上进行了汇报发言。 /p p style=" text-align: center " img title=" 001.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/10c005fa-4af7-4604-a95e-bb344b43bed0.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong (a)28nm RRAM 1Mb芯片版图 (b)28nm RRAM单元TEM界面图 /strong /p p style=" text-align: center " img title=" 002.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201712/insimg/6df25f82-957f-4a8a-814d-0bad67c4979d.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong 8层堆叠RRAM截面图 /strong /p p /p
  • 基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展
    二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内沿z轴获得更高密度集成。因此,基于垂直架构的二维纳米电子学器件,已成为当前延续摩尔定律的重要研究方向之一。迄今为止,针对铁电二维材料忆阻晶体管的研究仍然匮乏,尤其缺失具有垂直构型的门电压可调的忆阻器件的研究,主要原因在于传统基于隧穿架构的二维忆阻器难以在垂直方向兼具更高性能和有效栅极调控特性。   近日,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作,设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式,将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装,首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。11月17日,相关研究成果以A gate programmable van der Waals metal-ferroelectric-semiconductor vertical heterojunction memory为题,在线发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。   科研团队使用二维层状材料CuInP2S6作为铁电绝缘体层,利用二维层状半导体材料MoS2和多层石墨烯分别作为铁电忆阻器的上、下电极层,形成金属/铁电体/半导体(M-FE-S)架构的忆阻器;在顶部半导体层上方通过堆叠多层h-BN作为栅极介电层引入了MOSFET架构。底部M-FE-S忆阻器件开关比超过105,具有长期数据存储能力,且阻变行为与CuInP2S6层的铁电性存在较强耦合(图1)。此外,研究通过制备3×4的阵列结构展示了该型铁电忆阻器件应用于存储交叉阵列【crossbar array,实现随机存取存储器(RAM)的关键结构】的可行性(图2)。进一步,研究在上方MOSFET施加栅极电压,有效调控了二维半导体层MoS2的载流子浓度(或费米能级),从而对下方M-FE-S忆阻器的存储性能进行操控(图3)。基于上述成果,科研人员展示了该型器件的门电压可调多阻态的存储特性(图4)。   本研究展示的门电压可编程的铁电忆阻器有望在未来人工突触等神经形态计算系统中发挥重要作用,并或推动基于二维铁电材料制备多功能器件的开发。此外,该工作提出的MOSFET与忆阻器垂直集成的架构可进一步扩展到其他二维材料体系,从而获得性能更加优异的新型存储器。   研究工作得到国家重点研发计划“青年科学家项目”、国家自然科学基金青年科学基金项目/面上项目/联合基金项目、沈阳材料科学国家研究中心等的支持。图1.器件结构设计及两端铁电忆阻器的存储性能。a、器件结构示意图;b、器件的阻变行为;c、少层CuInP2S6的压电力显微镜相位和幅值图;d、器件在不同温度下的输运行为;e、存储器的数据保持能力测试;f、存储器开关比统计图。图2.铁电忆阻器存储阵列演示。a、二维铁电RAM结构示意图;b、CuInP2S6/MoS2界面的HAADF-STEM照片;c、3×4阵列的SEM图像;d、局部放大图;e、3×4阵列的光学照片;f-g、通过读取3×4阵列中每个交叉点的高阻态和低阻态编码的“I”“M”“R”的简化字母。图3.器件的可编程存储特性。a、器件结构示意图;b、MoS2层的转移特性曲线;c-d、异质结的能带结构图;e-f、通过施加门电压实现了对存储窗口从有到无的调控。图4.门电压可编程存储器的多阻态存储特性。a-d、器件在不同门电压下的存储窗口;e、器件的多阻态存储性能演示;f、栅极调控的耐疲劳特性。
  • 上海微系统所在相变存储器研制方面取得进展
    当今,电脑系统采用层次化存储架构:缓存、内存和闪存。离CPU越近,对存储器存储速度需求越高,如内存的速度为纳秒级别,而缓存则需要皮秒级别。   作为下一代存储器的有力竞争者,相变存储器的速度决定了其应用领域,而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度(写速度)所决定。   研究表明,相变存储器的热稳定性越差,结晶速度越快,而单质锑(Sb)是目前已知热稳定性最差的相变材料,可能具有最快的操作速度。   中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算,发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件,研究发现随着器件尺寸减小,单质锑相变存储器的速度越快。   200 nm 单质锑器件最快的写速度为359 ps(见图1),当器件尺寸微缩至60 nm时,写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍(20 ns)。通过与已报道的相变存储器的速度对比(见图2),单质Sb器件的速度明显快于传统Sb-Te、Ge-Te以及 Ge-Sb-Te基相变存储器,其~242 ps的操作速度是目前相变存储器速度的极限。此结果表明,通过选择合适的相变材料,相变存储器有望具备替代内存甚至缓存的潜力。   该成果于1月31日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上(10.1002/adma.202208065)。该工作得到中科院战略性先导科技专项、国家自然科学基金等的支持。

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  • 相变存储器有哪些功能?存储器选片技术了解吗?

    一、相变存储器的特性和功能   相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存,也有RAM或EEpROM特定的属性。   1.1位变量   与RAM或EEPROM一样,PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0,也可以从0更改为1,而无需单独的删除步骤。   2.非挥发性   NOR闪存和NAND闪存一样是非易失性内存。RAM需要稳定的电源供应来维持电池支援等信号。DRAM有一个缺点,也称为软错误。粒子或外部辐射引起的随机位损伤。早期英特尔的兆比特 PCM存储阵列能够存储大量数据,实验结果表明PCM具有良好的非易失性。   3.读取速度   与RAM和NOR闪存一样,PCM技术具有随机存储速度快的特点。因此,您可以直接在阵列上运行代码,PFC(功率因数校正)而无需中途复制到RAM。PCM读取响应时间类似于最小单位1位的NOR闪存,带宽类似于DRAM。另一方面,NAND闪存的随机存储时间达数十微秒,因此无法直接完成代码的执行。   4.写入/清除速度   PCM可以获得与NAND相同的写入速度,但PCM的响应时间缩短,不需要单独的删除步骤。NOR闪存的写入速度稳定,但删除时间较长。与RAM一样,PCM不需要单独的擦除步骤,但写入速度(带宽和响应时间)低于RAM。随着PCM技术的不断发展,存储设备将缩小,PCM将不断改进。   5.缩放   变焦比率是PCM的第五个不同点。由于NOR和NAND存储的结构,存储很难缩小体形。这是因为门电路的厚度是恒定的,能量计量需要10V以上的电源,CMOS逻辑语句需要1V以下。这种缩小通常是摩尔的规律,存储每缩小一次,密度就会增加一倍。随着存储设备的缩小,GST材质的体积也在缩小,PCM也在缩放。   二、内存选择和总线概念   发送到每个设备的存储器的8条线来自哪里?   那在计算机上,一般来说,这8条线不仅连接一条内存,还连接其他部件,所以这8条线在记忆和计算机之间不是专用的,所以如果总是把一个设备连接到这8条线上,那就不好了。例如,如果这个内存单位的数字是0FFH,另一个存储单位的数字是00H,那么这条线到底是00H。岂不是非要打架看谁受伤了吗?所以我们要把它们分开。方法当然很简单。如果外部线路连接到集成电路的针脚上,则无需直接连接到每个设备,只需在中间添加一组开关即可。通常只需关闭开关,将数据写入此内存,或从内存中读取数据,打开开关即可。 这套开关由三条引线选择:读控制端、写控制端和切片选择。要将数据写入片,请先选择片,然后发送写入信号,开关将关闭,传输的数据(电荷)将写入片。要读取,首先选择片,然后发送读取信号,交换机关闭后发送数据。读写信号同时连接到不同的内存,但由于切片选择不同,有读写信号,但没有切片选择信号,所以不同的内存不会“误解”,而是打开门,造成碰撞。那么,如果在不同的时候选择两个芯片呢?如果是设计良好的系统,就不会这样。因为它不是我们的人,而是由计算控制的。如果实际上同时出现了两种拔掉的情况,那就是电路坏了。这不包括在我们的讨论中。(约翰f肯尼迪)。   那么,在高温存储中的工作原理也像通过电荷使用一样。在这里,高温环境的稳定性突破是最重要的。因为温度越高,电子越活跃,在高温下保持电荷记录并存储刻录是关键。 [b]创芯为电子[/b]主要从事各类[url=https://www.szcxwdz.com][b]电?元器件[/b][/url]的销售。提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]服务,减少采购物料的时间成本,在售商品超60万种,原?或代理货源直供,绝对保证原装正品,并满?客??站式采购要求,当天订单,当天发货,免费供样!

  • 中国科大实现99.9%世界最高保真度的固态量子存储器

    中国科技网合肥5月12日电 中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组,在固态系统中首次实现单光子偏振态的量子存储器,保真度达99.9%,刷新世界纪录。研究成果5月11日发表在美国《物理评论快报》上,并被美国物理学会网站“物理概要”栏目作亮点报道。 量子存储器是量子信息领域的核心器件之一,是量子隐形传态、量子密集编码等基本量子信息过程的必需元件。同时,它还可用来实现量子中继,以解决远程量子通信中的信息损耗问题,以及用于分布式量子计算、量子精密测量等。 国际上常用的量子存储器存在带宽窄和扩展性差等缺点,难以应用于实用化的量子网络。近几年兴起的基于稀土离子掺杂晶体的固态量子存储器,具有寿命长、稳定性高、带宽较宽、扩展性强等优点,但由于这种晶体有双折射效应,不能用光的偏振状态(光波的振动状态)来加载信息,而光的各种偏振态是量子信息最方便的载体。因此,怎样实现光子偏振态的固态量子存储器是国际学术界一大难题。 李传锋小组利用两块1.4毫米厚的掺钕钒酸钇晶体,分别处理光的两种正交偏振态,同时把一片特殊设计的光学元件(波片)置于两块晶体之间,来实现这两种偏振态的互换。整个量子存储器就像一片很小的“三明治”,紧凑而稳定,扩展和集成都十分方便。在实验中,他们摈弃了传统的固态量子存储方案中使用的“共线式”光路,设计出交叉式光路,使得预处理用的泵浦光与待存储的光不再重合,降低了泵浦光带来的噪声,从而极大地提高了存储器的保真度,可达99.9%,远高于此前单光子偏振存储95%的最高保真度。 该成果对进一步提高实用化量子通信网络元件的小型化和集成化具有重要意义。该超高保真度量子存储可应用于容错量子计算等具有苛刻要求的研究领域。(通讯员 杨保国 记者 吴长锋) 《科技日报》(2012-05-13 一版)

  • 液氮存储器具的选择与保养,关乎样品保存质量!

    选择和保养液氮存储器具关乎样品保存质量,对于实验室工作者来说至关重要。正确的选择和维护液氮存储器具可以确保样品的长期保存和稳定性,从而保证科研工作的顺利进行。[b]  液氮存储器具的选择[/b]  在选择液氮存储器具时,首先需要考虑的是其保温性能。保温性能直接影响着液氮存储器具内部的温度稳定性,而温度稳定性又是样品保存质量的关键因素。一般来说,液氮存储器具的保温性能以制冷剂蒸发率来衡量,通常以每日蒸发率(RDE)来表示。RDE值越低,说明液氮存储器具的保温性能越好,样品保存质量也更有保障。因此,在选择液氮存储器具时,需要优先考虑RDE值较低的产品。  除了保温性能,液氮存储器具的密封性也是十分重要的因素。良好的密封性可以有效防止外界空气和水分的侵入,避免样品受潮或氧化,从而保证样品的长期保存质量。因此,在选择液氮存储器具时,要确保其密封性能良好,可以通过检查密封圈和阀门等部件来评估产品的密封性能。  此外,还需考虑液氮存储器具的耐用性和易用性。耐用性可以通过材料的质量和制造工艺来评估,而易用性则包括产品的操作便捷性和维护保养的便利性等方面。选择耐用且易于操作的液氮存储器具可以减少因设备故障或误操作而导致的样品损失,从而提高样品保存质量。[b]  液氮存储器具的保养[/b]  正确的保养对于液氮存储器具的使用寿命和样品保存质量同样至关重要。首先,定期清洁液氮存储器具是保持其良好状态的关键。在清洁过程中,要注意使用专用的清洁剂,避免留下残留物或对材料产生腐蚀,同时要彻底清洗干净,并在清洁后充分晾干。  其次,定期检查和更换密封圈也是保持液氮存储器具密封性能的重要步骤。密封圈的老化和磨损会导致密封性能下降,从而影响样品保存质量,因此需要定期检查并及时更换密封圈。[url=http://www.mvecryo.com/]mve液氮罐[/url]  另外,定期检测液氮存储器具的保温性能也是保养的重要内容。通过定期测量RDE值,可以及时发现保温性能的变化,并采取相应的维护措施,以确保液氮存储器具的温度稳定性和样品保存质量。[url=http://www.yedanguan1688.com/]液氮罐[/url]  样品保存质量  正确选择和保养液氮存储器具对于保证样品保存质量具有重要意义。良好的液氮存储器具可以提供稳定的低温环境,有效延长样品的保存时间,减缓样品的老化速度,保证样品的完整性和稳定性。因此,对于需要长期保存的样品,正确的液氮存储器具是保证样品保存质量的关键。

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  • 24万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电,1.4kw平均功率。可配备程序降温模块。也可选配-40度低温气体传输模块
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  • 140万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚度150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。380v供电,8kw平均功率。可配备程序降温模块,一键调库/一键移库功能。也可选配-40度低温气体传输模块
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  • 47万只@0.5ml冻存管,双压缩机制冷备份。箱体厚度150mm,能保障-80度到-60度温升超过48h。220v供电,2.8kw平均功率。可配备程序降温模块,一键调库/一键移库功能。也可选配-40度低温气体传输模块
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阻变存储器相关的耗材

  • GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管
    产品信息:固相萃取附件【GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管】在GL-SPE浓缩管上,刻有校准为1.0mL或0.5mL的计量刻度,可以方便地对样品进行定容操作※。GL-SPE吸引分流装置使用SPITZ管(2种)以及GL-SPE浓缩管7mL;SPS24可使用SPITZ管12mmφ与GL-SPE浓缩管7mL;empore分流器可使用GL-SPE浓缩管10mL。注)※2.0mL以上的刻度,以及SPITZ管的刻度是用来标示基准量的。GL-SPE 浓缩管内装1mL、2mL量瓶的20mL浓缩管订货信息:GL-SPE 带浓缩管、共栓存储器的SPITZ管品 名包装单位 (根)刻度(容量) (mL)栓Cat.No.带共栓、刻度的SPITZ管12mmφ206(6.5)共通配研5010-51001带共栓、刻度的SPITZ管16mmφ2014(7)5010-51002GL-SPE 浓缩管1.0mL母/7mL106(7)5010-51010GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL105010-51011GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL※105010-51012GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL10透明圆锥5010-51013GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/7mL※105010-51014GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/10mL1010(10.5)共通配研5010-51015GL-SPE 浓缩管1.0mL&2.0mL&5.0mL母/6mL106(6)5010-51017GL-SPE 浓缩管0.5mL&1.0mL母/10mL※1010(10.5)5010-51016GL-SPE 浓缩管1.0mL&2.0mL母/20mL620(20.5)5010-51020GL-SPE 试验管5.0mL母/16mL透明圆锥105(16)透明圆锥5010-51040GL-SPE 试验管(25mL)65010-51041GL-SPE 用废液铰链 不锈钢制1个5010-50122
  • 安捷伦 Capillary Flow Technology (CFT) Supplies G2855-20590 色谱柱存储器接头 其他色谱配件
    Capillary Flow Technology (CFT) Supplies部件号 :G2855-20590色谱柱存储器接头接头、密封垫圈和备件如果希望微板流路控制附件,如Deans Switch 和QuickSwap MS 接口,与色谱柱的连接无泄漏、低死体积、高惰性,采用SilTite 密封垫和专用螺帽。对于微板流路控制装置,要使用脱活的熔融石英管。不要使用涂渍了固定相的毛细管。接头、密封垫圈和备件说明单位部件号内螺帽G2855-20530Swaging 螺帽,适用于带可塑金属密封垫圈的MS 接口G2855-20555三通,惰性G3184-60065色谱柱存储接头G2855-20590UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.4 mm 10 个/包G3188-27501UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.5 mm 10 个/包G3188-27502UltiMetal Plus 可塑金属密封垫圈,内径0.8 mm 10 个/包G3188-27503密封圈预成形工具G2855-60200柱/保留间隙安装备件 说明部件号250 μm 保留间隙管,5 m 长的一段160-2255-5320 μm 保留间隙管,5 m 长的一段160-2325-5530 μm 保留间隙管,5 m 长160-2535-5熔融石英,脱活,0.15 mm x 1 m 160-2625-1熔融石英,脱活,0.15 mm x 5 m 160-2625-5熔融石英,脱活,0.15 mm x 10 m 160-2625-10
  • 色谱柱存储器接头
    专为微板流路设备而设计安捷伦提供了一系列基于我们的专利 微板流路控制技术的气相色谱附件。这些附件提高了系统的工作效率和性能。若要得到与惰性色谱柱无渗漏连接、死体积低的微板流路附件(例如 Deans Switch 或 QuickSwap MS 接口),只能采用 SilTite 密封垫圈和专用螺母。对于微板流路设备,请使用脱活处理的熔融石英管。不要使用涂渍了固定相的毛细管。 Deans Switch 中心切割装置简化了复杂样品的分析 带吹扫的流出物分流器用于无泄漏惰性色谱柱流出物的分流
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