纳米标准华

市场上最精确的纳米划痕测试仪主要特点施加较小的载荷时具有极快的响应时间纳米划痕测试仪带有载荷传感器，采用双悬臂梁用于施加载荷，以及压电式驱动器用于对施加的载荷快速响应。这一设计理念还修正了在划痕过程中发生的任何事件（例如出现裂纹和故障、缺陷或样品不平整）而导致的测量结果偏差。适用于弹性恢复研究的专利真实划痕位移测量在划痕之前、过程和之后，位移传感器 (Dz) 一直记录样品的表面的轮廓。这让您可以在划痕过程中或之后评估针尖的位移量，从而可以评估材料的弹性、塑性和粘弹性能（专利：US 6520004)不打折扣：施加任何微牛级的载荷闭环主动力反馈系统可在 1 μN 以下进行更精确的纳米划痕测试。纳米划痕测试仪包含一个 传感器测量载荷，可以直接反馈给法向载荷驱动器。这确保施加的载荷就是用户设置的载荷。高质量光学成像带“跟踪聚焦”功能集成显微镜包括配置高质量物镜的转塔和 USB 照相机。划痕成像时，能轻松将放大倍数从 x200 转换为 x4000，实现在低放大倍数和高放大倍数自由切换从而更好地对样品进行评估。“跟踪聚焦”功能可以进行将多个划痕的 Z 样品台自动聚焦到正确位置。划痕后可用多次后扫描模式评估弹性性能划痕后，您可以在软件中用时间增量定义无限次后扫描测量残余位移。这种全新的分析方法将让您进一步了解表面变形性能与时间的依赖关系。技术指标施加的载荷分辨率0.01 μN最大载荷1000 mN本底噪音0.1 [rms] [μN]*摩擦力分辨率0.3 μN最大摩擦力1000 mN位移分辨率0.3 nm最大位移600 μm本底噪音1.5 [rms] [nm]*速度速度从 0.4 mm/min 到 600 mm/min*理想实验室条件下规定的本底噪音值，并使用减震台。

在科研中，很多用户需要用到光栅或点阵这些周期性的结构。有时用户不需要研究微纳米加工工艺，这样如果能花费低廉的价格买到这些成品将十分方便，只要接着从事后续的工作就可以了；有的用户自已拥有微纳米加工设备及经验，但纳米量级的尺寸要采用电子束曝光的方法来进行光刻，若有效面积超过1平方厘米，占机时间会很长，并需要调整电子束光刻及干法刻蚀工艺来优化成品。 鉴于此，我们向用户提供光栅及点阵的纳米结构成品。衬底材料为硅单晶，可广泛应用于各类科学研究。 产品类型： 标准模板一 ○ 光栅纳米结构模板 (线条+间距)○ 二维纳米模板（矩形或六边形）标准模板二 ○ 光栅结构○ 柱状点阵模板○ 孔阵模板2x2cm2模板四英寸模板六英寸模板标准模板一 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。 产品精度： 线宽/深度：±15%周期精度：优于0.5%衬底宽度和高度误差：± 0.2 mm衬底厚度：0.675 ± 0.050 mm 具体规格如下表所示： 光栅纳米结构模板 (线条+间距) Linear Nanostamps (line+space) 序号周期沟槽深度占空比 ①线宽 ②样片尺寸③1139 nm50 nm50%69.5 nm12.5×12.5×0.7 mm2139 nm50 nm50%69.5 nm25×25×0.7 mm ⑤3278 nm④110 nm50%139 nm12.5×12.5×0.7 mm4416.6 nm110 nm50%208 nm12.5×12.5×0.7 mm5500 nmmultiple ⑥44%220 nm8×8.3×0.7 mm6500 nmmultiple ⑥60%300 nm8×8.3×0.7 mm7555.5 nm110 nm50%278 nm20×9×0.7 mm8555.5 nm140 nm50%278 nm20×9×0.7 mm9555.5 nm110 nm29%158 nm20×9×0.7 mm10555.5 nm140 nm29%158 nm20×9×0.7 mm11600 nmmultiple ⑥43%260 nm8×8.3×0.7 mm12600 nmmultiple ⑥55%330 nm8×8.3×0.7 mm13606 nm190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm14606 nm④190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm15606 nm190 nm50%303 nm29×24.2×0.7 mm ⑤16675 nm170 nm32%218 nm24×10×0.7 mm17675 nm170 nm32%218 nm24×30.4×0.7 mm ⑤18700 nmmultiple ⑥47%330 nm8×8.3×0.7 mm19700 nmmultiple ⑥55%375 nm8×8.3×0.7 mm20833.3 nm200 nm50%416 nm12.5×12.5×0.7 mm21833.3 nm200 nm50%416 nm25×25×0.7 mm ⑤ ①占空比表示线宽和周期的比率。③第二个尺寸相当于沟槽的长度。④scientific" grade offered at a discount. It has at least 80% of usable area. Up to 80/100 scratch/dig/particles and irregular substrate shape may present.⑤可定做更大尺寸⑥深度可做成150, 250 和 350 nm。 二维纳米模板（矩形或六边形）2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice) 序号周期晶格类型沟槽深度特征宽度衬底尺寸1500 nmrect postmultiple ①135 nm8×8.3×0.7 mm2500 nmrect postmultiple ①210 nm8×8.3×0.7mm3600 nmrect postmultiple ①195 nm8×8.3×0.7mm4600 nmrect postmultiple ①275 nm8×8.3×0.7mm5700 nmrect postmultiple ①260 nm8×8.3×0.7mm6700 nmrect postmultiple ①350 nm8×8.3×0.7mm7500 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm8600 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm9600 nmhex postmultiple ①240 nm8×8.3×0.7mm10700 nmhex postmultiple ①220 nm8×8.3×0.7mm11700 nmhex postmultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm12600 nmhex holemultiple ①180 nm8×8.3×0.7mm13700 nmhex holemultiple ①200 nm8×8.3×0.7mm14700 nmhex holemultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm ①深度可做成150, 250 和 350 nm rect post:hex post：hex hole：标准模板二 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度：直径±10%线宽±10%高度/深度±15%产品说明：硅片厚度：0.5mm（特殊情况另标注）模板尺寸：产品规格+/-0.2mm缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： 光栅结构（周期，线宽，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 10Line gratingPeriod: 70 nmWidth: 25 nmor 35 nmHeight: 32nmor 40 nmArea: 4x 0.5 x 1.2 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 2Line gratingPeriod: 300 nmWidth: 170 nmHeight: 210 nmArea: 30 x 30 mm2Substrate: Si 30 x 30 mm2Pattern 23Line arryPeriod: 150 nmWidth: 75 nmHeight: 116 nmArea:25 x25 mm2Substrate:Si 30 x 30 mm2 柱状点阵模板（周期，柱直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 1Square pillar arrayPeriod: 300 nmDiameter: 145 nmHeight: 170 nmArea: 14 x 14 mm2Substrate: Si 14 x 14 mm2Pattern 6High-resolution pillar arrayPeriod: 35 nmand 42 nmDiameter: 15 - 20 nmHeight: 25nmArea: each period 25x25 um2Substrate: Si 12.5 x 12.5 mm2Pattern 3Hexagonal pillar arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 310 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 15Hexagonal pillar arrayPeriod: 750 nmDiameter: 325 nmHeight: 260 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 7Hexagonal pillar arrayPeriod: 1000 nmDiameter: 400 nmHeight: 280 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 26 x 26 mm2Pattern 17Hexagonal pillar arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 470 nmHeight: 750 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (0.7mm) 25 x 25 mm2Pattern 20Hexagonal pillar arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1800 nmHeight: 1200 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2 孔阵模板（周期，孔直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 11Square hole arrayPeriod: 90 nmDiameter: 45 nmHeight: 50 nmArea: 4x 0.6 x 0.6 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Pattern 13Square hole arrayPeriod: 300 nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 4 x 4 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Substrate: Quartz (2.3 mm thick)Pattern 24Square hole arrayPeriod: 350 nmDiameter: 225 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 4Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 50 nm, 450 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 5Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 400 nmHeight: 680 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 14Hole array on Rhombic latticePeriod:* x=610nm, y=425nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Chip size: Si 24 x 24 mm2* center-to-center distance in x and yPattern 16Hexagonal hole arrayPeriod: 750 nmDiameter: 380 nmHeight: 420 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 18Hexagonal hole arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 490 nmHeight: 470 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 19Hexagonal hole arrayPeriod: 1500 nmDiameter: 780 nmHeight: 550 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 21Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1500 nmHeight: 850 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 22Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1200 nmHeight: 1500 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm22x2cm2标准纳米压印模板 我们提供电子束光刻方法制备的硅模板，衬底尺寸为20x20mm2。图形分辨率高，有效区域为5x5mm2。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度： 标准高度：100nm直径： ±10%线宽： ±10%缺陷面积： 1% 具体规格如下表所示： 孔阵（矩形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_h_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_h_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_h_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm 孔阵（六边形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_h_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm2P300h_h_5w5300nm5x5mm2125nm/ 100nm3P400h_h_5w5400nm5x5mm2150nm/ 100nm 柱状点阵（矩形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_p_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_p_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_p_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm 柱状点阵（六边形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_p_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm2P300h_p_5w5300nm5x5mm2110nm/ 100nm3P400h_p_5w5400nm5x5mm2120nm/ 100nm 大面积四英寸模板我们提供四英寸硅或石英模板，可用于压印工艺。批量生产制作，质量有保证且性价比高。 产品精度: 高度/深度：±15%直径：±10%线宽：±10%缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： Holes on Hexagonal Lattice（六边形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image1P520h_h_20w20520 nm260nm20x20 mm2450 nm/200 nm2P600h_h_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm3P600h_h_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm4P750h_h_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm5P780h_h_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm6P1000h_h_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm7P1000h_h_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm8P1500h_h_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm9P1500h_h_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm10P3000h_h_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Holes on Square Lattice（矩形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image11P350s_h_20w20350 nm250nm20x20 mm2300 nm/150 nm12P350s_h_100d350 nm250nm100dia300 nm/150 nm Pillars on Hexagonal Lattice（六边形柱状） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image13P600h_p_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm14P600h_p_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm15P750h_p_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm16P780h_p_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm17P1000h_p_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm18P1000h_p_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm19P1500h_p_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm20P1500h_p_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm21P3000h_p_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Pillars on Square Lattice（矩形柱状点阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image22P150s_p_30w30150 nm75nm30x30 mm275 nm/ —23P250s_p_30w30250 nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm24P300s_p_30w30300 nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm25P400s_p_30w31400nm250nm30x30 mm3200 nm/100 nm26P500s_p_30w30500 nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Linear Gratings（光栅结构） Part NoProductPeriodWidthAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image27P150L_p_30w30150nm70nm30x30 mm275 nm/ —28P250L_p_30w30250nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm29P300L_p_30w30300nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm30P400L_p_30w30400nm200nm30x30 mm2200 nm/100 nm31P500L_p_30w30500nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Multi-pattern（复合结构） Part NoProductDescriptionDiameterPeriodAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)32MHSL_400-800Linear, hexagonal, square array combination，Periods: 400-800nmpitch dependentho, les/lineseach period，7.5mm x 7.5mm400 nm/150 nm33MP250L300Multi-period linear grating combination 1， Periods: 250nm, 275nm, 300nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，7mm x 7mm200 nm/100 nm34MP300L600Multi-period linear grating combination 2，Periods: 300nm, 400nm, 500nm, 600nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，10mm x 10mm300 nm/150 nm

产品描述iNano采用InForce 50驱动器进行纳米压痕和通用纳米机械测试。 InForce 50的50mN力荷载和50μm位移范围使得该系统适合各种测试。 InView软件是一个灵活的现代软件包，可以轻松进行纳米级测试。 iNano是内置高速InQuest控制器和隔振门架的紧凑平台。 该系统可以测试金属、陶瓷、复合材料、薄膜、涂层、聚合物、生物材料和凝胶等各种不同的材料和器件。主要功能InForce 50驱动器，用于电容位移测量，并配有电磁启动的可互换探头独特的软件集成探头校准系统，可实现快速准确的探头校准InQuest高速控制器电子设备，具有100kHz数据采集速率和20μs时间常数XY移动系统以及易于安装的磁性样品架带数字变焦的集成显微镜，可实现精确的压痕定位ISO 14577和标准化测试方法InView软件包，包含RunTest、ReviewData、InFocus报告、InView大学在线培训和InView移动应用程序主要应用硬度和模量测量(Oliver Pharr)高速材料性质分布ISO 14577硬度测试聚合物tan delta，储存和损耗模量样品加热工业应用大学、研究实验室和研究所半导体和封装行业聚合物和塑料MEMS（微机电系统）/纳米级通用测试陶瓷和玻璃金属和合金制药涂料和油漆聚合物制造复合材料电池和储能应用硬度和模量测量 (Oliver-Pharr)机械表征在薄膜的加工和制造中至关重要，其中包括汽车工业中的涂层质量，以及半导体制造前段和后段的工艺控制。iNano纳米压痕仪能够测量从超软凝胶到硬涂层的各种材料的硬度和模量。 对这些特性的高速评估保证了在生产线上进行质量控制。高速材料性质分布对于包括复合材料在内的许多材料，其机械性能可能因部位而异。 iNano的样品平台可以在X轴和Y轴上移动100mm，并在Z轴方向移动25mm，这使得该系统适用于不同的样品高度并可以在很大的样品区域上进行测量。 可选的NanoBlitz形貌和层析成像软件可以快速绘制任何测得的机械属性的彩色分布图。ISO 14577硬度测试iNano纳米压痕仪包括预先编写的ISO 14577测试方法，可测量符合ISO 14577标准的材料硬度。 该测试方法对杨氏模量、仪器硬度、维氏硬度和标准化压痕进行自动测量和报告。聚合物Tan Delta、储存和损失模量iNano纳米压痕仪能够针对包括粘弹性聚合物的超软材料测量tan delta和储存与损耗模量。 储存与损耗模量以及tan delta是粘弹性聚合物的重要特性，其能量作为弹性能量存储并作为热量消耗。 这两个指标都用于测量给定材料的能量消耗。高温纳米压痕测试高温下的纳米压痕对于表征热应力下的材料性能至关重要，特别对热机械工艺中的失效机理进行量化。 在机械测试期间改变样品温度不仅能够测量热引起的行为变化，还能够量化在纳米级别上不易测试的材料过渡塑性。产品优势iNano纳米压痕仪可轻松测量薄膜、涂层和少量材料。 该仪器准确、灵活，并且用户友好，可以提供压痕、硬度、划痕和通用纳米级测试等多种纳米级机械测试。 该仪器的力荷载和位移测量动态范围很大，因而可以实现从软聚合物到金属材料的精确和可重复测试。 模块化选项适用于各种应用：材料性质分布、特定频率测试、刮擦和磨损以及高温测试。 iNano提供了一整套测试扩展选项，包括样品加热、连续刚度测量、NanoBlitz3D/4D属性映射和远程视频选项。