硅基光电子

仪器信息网硅基光电子专题为您整合硅基光电子相关的最新文章,在硅基光电子专题,您不仅可以免费浏览硅基光电子的资讯, 同时您还可以浏览硅基光电子的相关资料、解决方案,参与社区硅基光电子话题讨论。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

硅基光电子相关的资讯

  • 天美公司参加第十四届全国硅基光电子材料及器件研讨会
    2020年9月24日至26日,由南京大学电子科学与工程学院、浙江大学硅材料国家重点实验室、江苏大学新材料研究院共同承办的“第十四届全国硅基光电子材料及器件研讨会(2020)” 顺利召开,会议的主旨是为在全国硅基光电子学领域从事科研、教学、生产和应用的科技工作者提供一个探讨学术、促进交流的平台,聚焦国内外最新科技进展,探讨急需解决的科学问题以及未来发展方向。  天美仪拓实验室设备(上海)有限公司(以下简称天美公司)应邀作为赞助商之一,全程参加了此次会议。会议期间,天美公司对于用户提出的需求进行相关的解答,也会进一步急用户之所急,进一步的开发出符合用户需求的产品。通过为其两天的会议,天美公司与客户进行了深入的交流,更加深了彼此的相互了解。天美公司作为知名供应商,将在硅基发光材料、结构与器件以及新型硅基光电功能器件的仪器表征应用上,作出进一步的技术升级,服务广大客户,让广大客户得到满意的科研结果,助力其科研发展。
  • “名家芯思维”-硅基光电子集成技术与应用研讨会暨第72期国际名家讲堂
    p   “名家芯思维”-硅基光电子集成技术与应用研讨会 /p p   暨第72期国际名家讲堂 /p p   2018年7月18日至21日,南京 /p p   http://www.csoe.org.cn/html/list_1739.html /p p   一、活动介绍 /p p   汇集行业内全球顶级专家,举办硅基光电子集成技术与应用系列活动,把大规模集成半导体工艺和光电子应用结合,实现高速万物互联。旨在为地区汇智聚力,推动我国硅电子集成技术高速发展,在核心芯片技术领域弯道超车。 /p p   2018年,人工智能是产业发展的热门方向,活动促进人工智能与光电子信息领域的紧密融合和双向驱动,将为光联万物产业生态注入新的基因,为地区发展增添新的动力。邀请国内外知名科学家、行业领袖、产业精英等人共同参与,共话硅光子集成技术的发展趋势,以此来协助地方进行科技资源统筹和前沿产业化技术研究。 /p p   二、组织机构 /p p   主办单位 /p p   工业和信息化部人才交流中心(MIITEC) /p p   比利时微电子研究中心(IMEC) /p p   承办单位 /p p   中国光学工程学会、江北新区IC智慧谷 /p p   协办单位 /p p   南京江北新区人力资源服务产业园 /p p   南京江北新区产业技术研创园 /p p   Luceda Photonics /p p   南京集成电路产业服务中心(ICISC) /p p   三、活动内容 /p p   (一)第72期国际名家讲堂-硅光 /p p   1、活动时间:2018年7月18-19日(周三、周四) /p p   2、活动地点:南京江北新区产业技术研创园腾飞大厦A座5楼 /p p   3、专家:Dries Van Thourhout(比利时根特大学教授) /p p   4、讲堂概况 /p p   涵盖了硅光子技术的基本原理及其应用,包括光子技术、设计、封装和测试等方面。此外,它还强调了硅光子系统是如何开发和正在向市场过渡的。 /p p   5、讲师介绍 /p p   Dries Van Thourhout /p p   根特大学教授 /p p   根特大学的工程物理学硕士和博士学位。美国新泽西州克劳福德山的贝尔实验室工作两年,致力于InP/InGaAsP单片集成器件的设计、加工和表征。现担任比利时根特大学全职教授,并成为合作UGent-VUB MSc光子课程的主席。 /p p   他的研究重点是集成光子器件的设计、制造和表征,现在在研究电信、数据通信、光互连和传感的应用。已经提交了14项专利,发表和共同撰写了超过200篇期刊论文,其中包括几篇发表在高级期刊上,如自然光子学、自然纳米技术和NANO LETTERS。 /p p   他在所有主要会议的领域(OFC, ECOC, APC, CLEO)提交了关于硅光子学的邀请论文和教程。已经协调了几个欧洲项目(FP6 PICMOS、FP7 WADIMOS、FP7 SMARTFIBER),在更多项目上做出了贡献,并拥有ERC资助(ULPPIC)。2012年,他获得了享有盛誉的“范· 德· 弗拉姆斯学院奖”。 /p p   6、讲堂大纲 /p p   (1)基础知识(波导光学原理、无源元件、有源器件、光纤耦合方法) /p p   (2)技术, 包括包装 (基本CMOS技术步骤硅光子学领域的关键技术挑战、不同类型的硅光子学平台、基本部件性能的测量方法、光纤接口、单光纤和光纤阵列、混合光源集成、热方面) /p p   (3)应用与市场前景 (数据通信、传感) /p p   (4)硅光子学技术的获取 (成本分摊访问模型、可用的技术、如何获取晶圆制造、包装和设计服务) /p p   7、注册费用 /p p   报名截止日期为7月18日 /p p   国信芯世纪南京信息科技有限公司为本期国际名家讲堂开具发票,发票内容为培训费。请于2018年7月18日前将注册费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(第72期+单位+参会人姓名)。 /p p   付款信息: /p p   户 名:国信芯世纪南京信息科技有限公司 /p p   开户行:中国工商银行股份有限公司南京浦珠路支行 /p p   帐 号:4301014509100090749 /p p   或请携带银行卡至活动现场,现场支持POS机付款。 /p p   (1)注册费用:4600元/期(2天) /p p   (2)芯动力合作单位、中国光学工程学会学员:4140元/期 /p p   (3)学生福利: /p p   全国高校学生(本硕博)参加国际名家讲堂,享受标准注册费半价福利 /p p   全国高校教师(付费注册)可免费携带1名学生 /p p   在南京举办的国际名家讲堂,南京本地学校学生可享受专享注册费:1000元/人 /p p   (4)老学员福利: /p p   凡已付费参加任意一期2018年国际名家讲堂,均可本人半价注册费参加后续6个月内任意一期2018年国际名家讲堂 /p p   报名地址:http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=10 /p p   报名扫描二维码: /p p   (二)IC家园 - 硅光实操(免费参与,审核通过) /p p   1、活动时间:2018年7月20日(周五) /p p   2、活动地点:南京江北新区产业技术研创园腾飞大厦A座5楼 /p p   3、专家:曹如平(Luceda光子公司大中国区负责人) /p p   陈昇祐(Mentor Graphics MEMS、物联网周边器件和硅光子方向负责人) /p p   4、讲堂概况 /p p   可靠并且差异化的硅光设计制作 – 基于IPKISS和Tanner软件的硅光设计上机操作课程 /p p   5、讲师介绍 /p p   曹如平 /p p   Luceda光子公司大中国区负责人 /p p   曹如平博士就职于Luceda Photonics公司(比利时),担任应用工程师和亚洲业务发展经理,致力于帮助集成光电路设计者寻找并实施适当的设计自动化解决方案,以实现高效、可靠、易扩展的芯片设计流程。此前就职于Mentor Graphics公司,并从其与里昂纳米科技研究所(法国里昂中央理工学院)的合作科研项目取得博士学位。 /p p   陈昇祐 /p p   Mentor Graphics MEMS、 /p p   物联网周边器件和硅光子方向负责人 /p p   陈昇祐,毕业于清华大学电机工程学系,拥有18年半导体行业经验。硕士毕业后任职于台湾積体电路制造公司(TSMC),为21项国内外半导体器件已公告专利的唯一或主要发明人,2011年加入明导电子科技(Mentor, A Siemens Business),目前在IC设计方案事业部(IC Design Solutions Division)负责MEMS、物联网周边器件、硅光芯片(Silicon Photonics)方面与全球各大晶圆厂的合作。 /p p   6、实操大纲 /p p   (1)基础知识 (硅光设计流程、工艺设计套件(PDK)、元件建模和仿真的概念、版图设计、线路仿真、虚拟制造、物理验证(DRC)) /p p   (2)硅光线路的全流程设计 (从线路布局到建模仿真:使用IPKISS.eda,Tanner S-Edit,L-Edit和L-Edit Photonics的线路原理图和布局布线、用Caphe工具进行线路建模仿真、使用Calibre DRC执行设计规则检查,包括擅长于验证光集成设计的Calibre eqDRC) /p p   (3)自定义光子元件设计 (参数化元件设计、元件物理仿真和优化、创造使用于IPKISS.eda和Tanner L-Edit的自定义元件库) /p p   7、背景介绍 /p p   Luceda Photonics协助光子集成设计工程师享有像电子集成设计工程师一样的“首次即成功”的设计体验。 /p p   Luceda Photonics的软件工具和服务,是基于五十多年的光子集成芯片设计经验的累积。全球的产业研发团队和科研机构已经使用Luceda团队的专长服务,包括工艺设计包PDK的开发、光子集成芯片的设计和验证。 /p p   Luceda公司是比利时imec微电子研究中心、根特大学、和布鲁塞尔自由大学的分离子公司。Luceda是光子集成设计领域的领军企业,为全球的龙头企业服务,近几年的复合年均增长率(CAGR)超过100%。 /p p   Mentor, A Siemens Business是电子硬件和软件设计解决方案的世界领导者,主要产品为集成电路芯片和系统开发的各种设计、仿真、验证、测试工具。领先的工具包括:芯片物理验证工具 Calibre & reg 系列及OPC、芯片测试工具 Tessent & reg DFT, SoC验证软件CDC ,Questa & reg 及 Veloce & reg 硬件仿真器、模拟电路仿真软件AFS& #8482 ,硅光子及集成电路設計软件Tanner, FPGA设计软件, PCB 设计Xpedition& reg 及高速电路分析软件Hyperlynx。 /p p   报名地址:http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=11 /p p   报名扫描二维码: /p p   (三)名家芯思维-硅基光电子集成技术和应用(免费参与) /p p   1、活动时间:2018年7月21日(周六) /p p   2、活动地点:南京新华传媒粤海国际大酒店翔宇厅 /p p   (南京市江东中路363号-南京国际博览中心东门) /p p   3、主题:“大规模集成半导体工艺与光电子应用结合,实现高速万物互联” /p p   4、会议议程(以现场日程为准): /p p   报名地址: /p p   http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=12 /p p   报名扫描二维码: /p p   5、报告人介绍(部分): /p p   周治平,教育部长江学者,北京大学信息科学技术学院教授,博士生导师,1993年获美国乔治亚理工学院博士学位。1987年至2005年在美国留学工作。曾任美国乔治亚理工学院微电子研究中心资深研究员及CMOS工艺中心主任。2005年全职回国后,曾任武汉光电国家实验室(筹)主任助理,华中科技大学微纳光电子学系主任。研究领域包括微电子、纳米光电子、硅基光电子、光电子集成、光传感、及光通信等。在中国创建了一个晶体管厂,在美国创建了一个以CMOS芯片为基础的研究平台。 /p p   OSA Fellow, SPIE Fellow, IET Fellow 中国光学学会荣誉理事,中国光学工程学会常务理事 IEEE中国武汉分会创会主席(2006-2008),Photonics Research创刊主编(2012-现在),Electronics Letters中国版主编(2008-2010)。承担过国家基金委重点项目,科技部973,863项目,以及工业界支持的多个横向项目。多次主持IEEE,SPIE,OSA, 及中国光学学会等举办的国际学术会议。主编出版中外物理学精品书系《硅基光电子学》 发表论文,书籍章节,特邀报告460余篇,专利20余项。 /p p   余明斌,上海微技术工业院硅光子资深总监。他于1982获得西安理工大学物理学学士学位,分别于1989年和1995年获得西安交通大学半导体和微电子学硕士和博士学位。 /p p   他在1998加入南洋理工大学任职研究员之前是西安理工大学的教授,物理系主任,理学院副院长。他于2000加入新加坡微电子研究院IME。在IME他的研究方向为硅集成工艺技术研发,Si的纳米电子器件,硅光子学集成和硅通孔(TSV)技术的发展和应用。是IME硅光集成方向的创始人和学术带头人。目前,他在SITRI从事硅光子集成和工艺开发和应用工作。 /p p   他在国际学术期刊和会议上发表了300多篇论文和8项美国专利。他目前的研究兴趣包括硅光电子器件和集成电路技术,3D-IC TSV集成。 /p p   余明斌因在硅光集成方面的工作,在2010年获得新加坡总统科技奖。2011年新加坡微电子研究院(工业工程)优秀奖。2011年新加坡工程师学会IES著名工程成就奖(杰出的硅光子学研究)。 /p p   江伟,南京大学现代工程与应用科学学院教授,博士生导师。江苏省光通信系统与网络工程研究中心副主任。回国前任美国罗得格斯(新泽西州立)大学 (Rutgers, the State University of New Jersey)电子和计算机工程系副教授(暨终身教职)。长期致力于以硅基光子学研究。在硅片上做出了首个光子晶体高速电光调制器。被Nature Photonics, Laser Focus World等广泛报道。提出高密度波导集成的新思路和物理原理,并在硅基波导上实现,为高性能光学相控阵开辟了道路,受到Phys.org关注。获美国国防先进研究计划局(DARPA)青年教授奖(Young Faculty Award),美国电气与电子工程师协会一区(IEEE Region 1)杰出教学奖等荣誉。 /p p   潘栋,博士,美国费吉尼亚大学博士后和麻省理工学院研究学者。SiFotonics创始人兼CEO,主要从事Ge/Si光电器件、高速模拟电路,单片100G/400G硅基光集成芯片和及其解决方案等产品开发。纳米量子器件红外探测和Ge/Si激光器的发明人,表论文30篇,专利20多项。 /p p   四、参与机构(拟) /p p   五、酒店预订 /p p   1、酒店名称:南京瑞斯丽酒店 /p p   2、酒店地址:南京浦口区浦滨路207号近扬子科创中心 /p p   (酒店距离江北新区产业技术研创园步行约5分钟路程) /p p   3、协议价格: /p p   奢华型大床/双人房 480元/间(发票由会务公司开具会议服务费) /p p   4、预定方式:请需要预订酒店的学员在7月17日12点前联系工作人员。 /p p   预定酒店联系人: /p p   郁大鹏 18017813372 /p p   邮箱:icqy@miitec.cn /p p   5、接驳车线路时间如下: /p p   (临江路地铁1号口有免费接驳车送至研创园,步行5分钟到达酒店) /p p   孵鹰大厦接驳线(临江路地铁1号线-孵鹰大厦) /p p   l 临江路地铁1号口-孵鹰大厦 /p p   始发时间-依维柯-7:40/8:00/8:05/8:15/8:20/8:25/8:35/8:40/8:45 /p p   大客车-7:50/8:10/8:20/8:30/8:40/8:50 /p p   l 孵鹰大厦-临江路地铁1号口 /p p   始发时间-依维柯-16:00/16:20/16:40/17:05/17:25/17:35/17:55/18:05/18:15/19:00/19:20 /p p   大客车-17:10/17:20/17:40/17:50/18:10/18:20 /p p   l 孵鹰大厦-临近路地铁1号口(晚班) /p p   始发时间-依维柯-19:40/20:00/20:20/20:40/21:00 /p p   六、联系方式 /p p   联系人:王海明 /p p   邮箱:wanghaiming@csoe.org.cn /p p   电话:022-59013420,15900391856 /p p /p
  • “陕西光电子集成电路先导技术中试平台”通过验收
    2021年9月10日,由中国科学院西安光机所承担的“国家双创示范基地双创支撑平台建设项目——陕西光电子集成电路先导技术中试平台”顺利通过总体验收。验收专家组由陕西省政府参事、省政协常委、原知识产权局局长巨拴科等11位专家组成。中科院科发局知识产权处副处长陈浩全程参会指导工作 中科院西安分院副院长杨青春、陕西省工信厅二级巡视员梁桂莲、西安市高新区硬科技局副局长蒋仁国受邀参加会议 西安光机所副所长胡炳樑,财资处、条保处、综合档案室、所级中心、产业处,西光产业、西科控股、先导院公司相关负责人参加会议,会议由产业处副处长(主持工作)李燕主持。西安光机所于2017年获批国家 “第二批大众创业万众创新示范基地”,并于2019年5月获得“国家双创示范基地双创支撑平台建设项目——陕西光电子集成电路先导技术中试平台”批复。通过项目支持建设,平台现已建成了一条可支持以VCSEL芯片为主的化合物半导体芯片研发、小试工艺线,具备了快测和全流程工艺流片能力,目前VCSEL4&6英寸快测及全流程工艺已通线。验收会开始之前,梁桂莲讲话,她表示,地方政府长期以来一直在关注和支持西安光机所创新创业工作,“西光所创新发展模式”在地方形成了良好的模范带头作用,希望西安光机所通过本次项目验收总结阶段经验,不断提高平台建设能力,在“秦创原”这个平台上,引领光子产业链不断提升和完善。接下来,陈浩介绍了国家发改委关于双创示范基地双创支撑平台建设项目的背景和总体要求,验收会正式开始。专家组听取了建设单位项目负责人周祚峰的专题汇报,随后到检测大厅了解研究所整体科研基础情况、到硬科技社区了解创新创业生态体系建设情况、到先导院检查双创项目建设情况。经过实地考察、专家质询、工艺验收、财务验收和档案验收,专家组对西安光机所组织实施双创示范基地双创支撑平台建设项目整体工作给予了充分认可,并对其支撑和引领地方光子产业发展起到的积极作用表示肯定,一致同意通过总体验收。验收会后,杨青春代表西安分院对中科院和地方政府一直以来对西安光机所的关怀和支持表示感谢,并要求研究所进一步落实专家组和政府相关领导提的宝贵建议和意见,立足地方、辐射全国,成为全国光子领域技术创新高地和产业集聚地。陈浩充分肯定了项目建设成果,对验收会取得圆满成功表示祝贺,他希望西安光机所进一步按照我院“四个国家”要求,为国家国防建设和产业链安全,以及地方经济高质量发展作出更大贡献。最后,胡炳樑代表研究所对中科院、西安分院、各级政府、专家组对西安光机所的鼓励和支持表示感谢,并表示研究所将按照“不仅让国家和中科院满意,还要让地方和人民满意”的标准,聚焦光子领域主责主业,坚持高起点规划、高标准建设、高水平管理,努力成为光子科技国内创新和创业高地。

硅基光电子相关的方案

硅基光电子相关的论坛

  • 【分享】物理所硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发获重要进展

    短波长光电子与Si微电子的集成因其重大的应用价值而被广泛关注,其中硅基ZnO材料与光电子器件研究是目前国际上的一个重要课题;然而Si基高质量ZnO单晶材料的制备、器件结构的设计等问题具有很大的挑战性,这是由于Si表面具有很强的活性,极易形成无定形的氧化物与硅化物,阻碍ZnO的外延生长。另外,由于Si的能带结构与ZnO不匹配,难以获得理想的光电子器件性能。因此如何控制Si衬底表面和ZnO/Si异质界面,并设计出新型器件结构已成为这一研究方向的核心科学问题。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组经过五年多的持续攻关研究,发展了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。 自2004年起梅增霞副研究员和博士生王喜娜、王勇等系统研究了Si(111)-7x7清洁表面上金属Mg薄层的沉积工艺,发现只有在低温下才能抑制Si与Mg原子的界面互扩散而形成Mg(0001)单晶薄膜,进一步研究发现该单晶Mg膜可通过活性氧处理形成岩盐相的MgO(111)超薄膜,从而为两步法外延生长ZnO提供了良好的模板;通过一系列生长参数的优化,利用MBE法最终在2英寸Si晶片上制备出高质量的ZnO单晶薄膜,其结晶性和光电性能等综合指标居国际领先水平;相关论文被应用物理快报的审稿人评为最高级的“EXCELLENT”(APL,90, 151912 (2007)), 评语中指出这是一项杰出的研究工作,论文以确凿的证据展示了一种在Si衬底上制备ZnO单晶薄膜的机理与方法,而且所述利用Mg氧化获得MgO的界面技术可应用到其他硅基异质膜的制备中。这一独创性的低温界面工程技术已申请国际专利一项、国内专利两项(其中一项已获授权(ZL200610064977.5))。这一工作是与清华大学的薛其坤院士、贾金锋教授、北京工业大学的张泽院士以及中科院上海技物所的陆卫研究员课题组合作完成的。 在Si基ZnO单晶薄膜制备工艺获得突破的基础上,杜小龙研究组进一步开展了Si基ZnO光电子器件应用研究。最近,该组的郭阳副研究员和张天冲博士生等与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n可见盲紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到104以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见盲紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强,并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。相关器件的制备技术已申请国家发明专利(申 请 号: 200810227958.9),相关研究工作最近已发表在应用物理快报上(APL, 94, 113508 (2009))。 由于ZnO的生长温度较低可以与成熟的Si平面工艺兼容,因此Si基ZnO体系可提供一种将电学、光学以及声学器件进行单片集成的途径,潜在应用价值巨大。物理所独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。该项研究获得中科院知识创新工程课题、国家自然科学基金委项目以及科技部项目等资助。

  • 光电子能谱原理

    http://www.physics.fudan.edu.cn/equipment/YuanLi_guangdianPu.htm1. 引言光电子能谱同其他各种表面分析手段一样,首先经物理学家之手开创,并随着它不断完善,在化学、金属学及表面科学领域内得到了广泛的应用[1]。历史上,光电子能谱最初是由瑞典Uppsala大学的K.Siegbahn及其合作者经过约20年的努力而建立起来的。由于它在化学领域的广泛应用,常被称为化学分析用电子能谱(ESCA),但是,因为最初的光源采用了铝、镁等的特性软X射线,此方法逐渐被普遍称为X射线光电子能谱(XPS)。另外,伦敦帝国学院的D.W.Turner等人在1962年创制了使用He I共振线作为真空紫外光源的光电子能谱仪,在分析分子内价电子的状态方面获得了巨大成功,在固体价带的研究中,此方的应用领域正逐步扩大。与X射线光电子能谱相对照,此方法称为紫外光电子能谱(UPS),以示区别。2. 基本原理光电子能谱所用到的基本原理是爱因斯坦的光电效应定律。材料暴露在波长足够短(高光子能量)的电磁波下,可以观察到电子的发射。这是由于材料内电子是被束缚在不同的量子化了的能级上,当用一定波长的光量子照射样品时,原子中的价电子或芯电子吸收一个光子后,从初态作偶极跃迁到高激发态而离开原子[2]。最初,这个现象因为存在可观测得光电流而称为光电效应;现在,比较常用的术语是光电离作用或者光致发射。若样品用单色的、即固定频率的光子照射,这个过程的能量可用Einstein关系式[3]来规定:式中hν为入射光子能量,Ek是被入射光子所击出的电子能量,Eb为该电子的电离能,或称为结合能。光电离作用要求一个确定的最小光子能量,称为临阈光子能量hν0。对固体样品,又常用功函数这个术语,记做φ。对能量hν显著超过临阈光子能量hν0的光子,它具有电离不同电离能(只要Eb<hν)的各种电子的能力。一个光子对一个电子的电离活动是分别进行的。一个光子,也许击出一个束缚很松的电子并将高动能传递给它;而另一个同样能量的光子,也许电离一个束缚的较紧密的电子并产生一个动能较低的光电子。因 图见网页。图1 用Mg KαX射线激发的氖PE谱 此,光电离作用,即使使用固定频率的激发源,也会产生多色的,即多能量的光致发射。因为被电子占有的能级是量子化的,所以光电子有一个动能分布n(E),由一系列分离的能带组成。这个事实,实质上反映了样品的电子结构是“壳层”式的结构。用分析光电子动能的方法,从实验上测定n(E)就是光电子能谱(PES)。将n(E)对E作图,成为光电子能谱图(如图1)。如上图那样简单的光电子谱图,对电子结构的轨道模型提供了最直接的,因而也是最令人信服的证据。严格的讲,光电子能谱应该用电离体系M+的多电子态方法来解释,比用中性体系M的已占单电子态(轨道)为好。3. 系内仪器资源我们系现有英国VG公司ADES 400角分辨电子能谱仪,它是一台大型超真空多功能表面分析设备。多年来,经过侯晓远教授实验室的多次改进,增加了快速进样装置和一台国产小型分子束外延装置[4],使实验者可以在不暴露大气的情况下,对自行生长样品的表面与界面进行分析测试;同时通过改进控制单元与计算机的接口,由原来的手动调节、机械录谱变为由计算机控制扫谱参数并记录扫描结果。图见网页。图2 多功能电子能谱仪与分子束外延装置的联机系统 ADES 400角分辨电子能谱仪系统如图(2)所示。整个系统由分析室(主室)、预处理室(预室)、快速进样室及小型MBE生长束源炉室四部分组成。电子能谱仪的本底真空度优于5×10-8Pa,配备有Ar离子枪可以处理样品,俄歇电子能谱(AES)测量样品表面化学状态,低能电子衍射(LEED)测量样品表面结构,另外该装置还有配备了双阳极X光枪(Al和Mg靶),可以做紫外光电子能谱(UPS)。生长室本底真空度优于3×10-8Pa,生长过程真空度优于3×10-7Pa。生长室中可以同时装5个由循环水冷却的蒸发源,同时还配备了一个可以对样品的表面晶体结构进行原位实时测量的反射式高能电子衍射(RHEED)装置,样品的生长速率可以由晶体振荡器来测量,而且样品架有加热装置,可以用来处理样品或对样品在生长时加温,此外,生长室还安装了可以自动控制的劈形样品生长装置。有关这套劈形样品生长装置的消息介绍可以参考论文[5]。因此这套设备可以用分子束外延的办法生长磁性金属和合金,然后再分析室进行一些表面测量,制备好的样品,用金或银做为保护层覆盖后,再拿出真空室进行结构和磁性测量。 4. 参考文献[1] 染野檀,安盛岩雄,《表面分析》,科学出版社(1983)[2] 王华馥,吴自勤,《固体物理实验方法》,高等教育出版社(1990)[3] A.Einsten, Ann.Phys.,17, 132(1905)[4] 朱国兴,张明,徐敏,《半导体学报》, 14,719(1993)[5] 丁海峰,硕士论文,1998,复旦大学

  • 【分享】X射线光电子能谱(XPS)

    §7.3 X射线光电子能谱(XPS)X射线光电子能谱是利用波长在X射线范围的高能光子照射被测样品,测量由此引起的光电子能量分布的一种谱学方法。样品在X射线作用下,各种轨道电子都有可能从原子中激发成为光电子,由于各种原子、分子的轨道电子的结合能是一定的,因此可用来测定固体表面的电子结构和表面组分的化学成分。在后一种用途时,一般又称为化学分析光电子能谱法( Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称 )。与紫外光源相比,X射线的线宽在 以上,因此不能分辨出分子、离子的振动能级。此外, 在实验时样品表面受辐照损伤小,能检测周期表中除 和 以外所有的元素,并具有很高的绝对灵敏度。因此 是目前表面分析中使用最广的谱仪之一。7.3.1 谱图特征 图7.3.1为表面被氧化且有部分碳污染的金属铝的典型的 图谱。其中图(a)是宽能量范围扫描的全谱,主要由一系列尖锐的谱线组成;图(b)则是图(a)低结合能端的放大谱,显示了谱线的精细结构。从图我们可得到如下信息:1.图中除了 和 谱线外, 和 两条谱线的存在表明金属铝的表面已被部分氧化并受有机物的污染。谱图的横坐标是轨道电子结合能。由于X射线能量大,而价带电子对X射线的光电效应截面远小于内层电子,所以 主要研究原子的内层电子结合能。由于内层电子不参与化学反应,保留了原子轨道特征,因此其电子结合能具有特定值。如图所示,每条谱线的位置和相应元素原子内层电子的结合能有一一对应关系,不同元素原子产生了彼此完全分离的电子谱线,所以相邻元素的识别不会发生混淆。这样对样品进行一次宽能量范围的扫描,就可确定样品表面的元素组成。2.从图7.3.1(b)可见,在 和 谱线高结合能一侧都有一个肩峰。如图所标示,主峰分别对应纯金属铝的 和 轨道电子,相邻的肩峰则分别对应于 中铝的 和 轨道电子。这是由于纯铝和 中的铝所处的化学环境不同引起内层轨道电子结合能向高能方向偏移造成的。这种由于化学环境不同而引起内壳层电子结合能位移的现象叫化学位移。研究表明,大多数非金属原子的化学状态和金属的氧化状态在很多情况下是可以区分的,这样,我们就可根据内壳层电子结合能位移大小判断有关元素的化学状态。3.谱图的纵坐标是光电子的强度,通常以单位时间内接收到的光电子数表示。光电子峰的强度与产生该信号的元素含量及电子的平均自由程和样品原子各个能级的光致电离截面等有关。在相同激发源及谱仪接收条件下,充分考虑这些因素后,可以用每个谱峰所属面积的大小作表面元素的定量分析。4.此外,图谱还显示出 的 俄歇谱线、铝的价带谱和等离子激元等伴峰结构。这些伴峰常与样品的电子结构密切相关。在分析 谱图时,特别要注意把伴峰与主峰的化学位移峰区别开来以避免相互混淆,导致错误的结论。 7.3.2 化学位移 化学结构的变化和原子价态的变化都可以引起谱峰有规律的位移。化学位移在 中是一种很有用的信息,通过对化学位移的研究,可以了解原子的状态、可能处于的化学环境以及分子结构等。如纯铝,其 轨道电子结合能为 ,当它被氧化成为正三价的铝离子时,其 轨道电子结合能为 ,增加了 (见图7.3.1)。又例如聚对苯二甲酸乙二酯,此化合物中有三种完全不同的碳:苯环上的碳、羰基中的碳和连接对苯二甲酸单元上的- -基中的碳。每种碳都处于不同的化学环境中,因此呈现不同的化学位移,导致碳的 峰出现在谱线不同的位置上,如图7.3.2所示。从图还可以看出,在这种分子中两种氧原子所处的化学环境不同也反映在氧的 谱中。 化学位移现象可以用原子的静电模型来解释。内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能,另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时,屏蔽作用将减弱,内层电子的结合能增加;反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加,或与电负性大的原子结合时,都导致其结合能的增加。由此可从被测原子内层电子结合能变化来了解其价态变化和所处化学环境。 一般说来,对有机物,同样的原子在具有强电负性的置换基团中比在弱电负性基团中可能会呈现出较大的结合能。同样地,在无机化合物中不同电负性基团的置换作用也能引起化学位移的细微变化,而且可用来研究表面物质电子环境的详细情况。对大多数的金属,其氧化时会出现向高结合能方向的化学位移。在氧化状态,化学位移的量级通常是每单位电荷移动 。因此,除了少数金属(如 、 等)由于氧化产生的化学位移太小,不能用来进行化学分析外,在大多数情况下,很容易通过化学位移来确定和识别表面存在的金属氧化物。需指出的是,除了由于原子周围的化学环境的改变引起光电子峰位移外,样品的荷电效应同样会影响谱峰位移,从而影响电子结合能的正确测量。实验时必须注意并设法进行校正。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2005/11/200511240818_10621_1609228_3.gif[/img]

硅基光电子相关的资料

硅基光电子相关的仪器

  • 备受赞誉的Thermo Scientific K-Alpha X射线光电子能谱仪(XPS)集合了卓越的性能、快速分析及杰出的化学灵敏度等优势。K-Alpha将前沿的单色化XPS优异性能与全智能自动化完美结合,尤其适合于多用户环境。K-alpha的易操作性,可同时满足经验丰富的XPS分析人员和初学者的需求。分析选项包括用于角分辨XPS数据采集的倾斜模块和用于空气敏感样品传输的可循环惰性气体手套箱。 强大的性能可选面积能谱深度剖析微聚焦单色器高分辨率化学态能谱快照采集绝缘样品分析定量化化学成像 无可比拟的易用性一键式样品导航和实验设定自动样品传输按需校准全能谱仪设定离子枪设定完全计算机操作 世界一流的软件 仪器控制 数据采集 数据解析 数据处理 报告生成 数据存档管理 审查跟踪日志 系统性能日志如您想了解更多关于K-Alpha X射线光电子能谱仪报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
    留言咨询
  • 岛津/Kratos X射线光电子能谱仪AXIS Nova——最新成像自动型,业界领先位于英国曼切斯特的Kratos公司是世界上最早生产商品化X射线光电子能谱仪的厂家之一,现在是世界上最大的分析仪器制造公司——岛津公司的全资子公司。自1997年以来,岛津/Kratos公司研发了包括专利的磁沉浸透镜和专利的低能电子荷电中和系统等一系列新技术的新型光电子能谱仪——AXIS Ultra,并于2002年底推出了使用二维阵列检测器——延迟线检测器(Delay-Line Detector)的最新自动型AXIS Nova型XPS谱仪。截至2014年1月底,在世界上已经销售了超过100台AXIS Nova型XPS谱仪,在世界上许多著名的大学、科研机构和企业公司中得到了高度的认可,在业界处于绝对领先地位。 技术特点:Axis Nova采用大功率X光源和浸入式磁透镜设计以获取最高的检测灵敏度,同时采用165mm大平均半径的双聚焦半球扇形能量分析器,可以获得最高的XPS谱线能量分辨。在检测器端,Axis Ultra DLD采用位于能量分析器出口中心位置上的第二代专利的二维阵列延迟线检测器,可以同时记录光电子的信号强度及其发射位置,亦可以在数秒的时间里获取完整的XPS谱图。Axis Nova采用与静电传输透镜同轴的超低能单电子源荷电中和器,完全满足各类绝缘样品的XPS分析任务,尤其是对于表面凸凹不平的样品(典型的是粉末样品和断口样品),可以获得完美的分析结果。Axis Nova使用专利的与采谱能量分析器同心的球面镜能量分析器,可以获得高空间分辨的平行光电子图像,亦即可以获得元素的不同化学状态的二维分布。Axis Nova采用全自动的大样品台设计,最大样品可达4吋,可以利用进样室的光学显微镜确定分析位置,并在样品自动进入分析室以后实现预设位置上的全自动XPS分析。
    留言咨询
  • 表面和界面分析充满了挑战,需要一款仪器能够为后续的研发改进提供可靠的结果。Thermo Scientific Nexsa G2表面分析系统是一款高性能 X 射线光电子能谱仪,在保证数据质量和样品测试通量的同时,集成了其他分析技术。与所有 Thermo Scientific XPS 系统一样,Nexsa G2 系统也使用 Avantage 进行仪器控制、数据处理和报告生成。无论是在专业的研究实验室,还是在多用户环境中工作,Avantage 灵活易用、功能齐全、操作直观的特性,可帮助不同水平的用户实现样品分析。为什么选择 Nexsa G2 系统?高效的科研级能谱仪新型微聚焦单色化X射线源可实现以 5 μm 步长的 10 μm 至 400 μm 的 X 射线光斑大小连续可调,从而确保将分析束斑调节至与目标特征匹配,最大程度地增强信号。利用升级的X 射线源、高效的电子透镜和优化的检测器,可实现卓越的灵敏度和高效的数据采集。绝缘体分析Nexsa G2 系统上的一键式自动电荷补偿系统可轻松实现绝缘样品分析。专利的双束中和源避免绝缘样品发生荷电,因为使用极低能量的电子,大多数情况下将无需进行荷电校正。深度剖析Nexsa G2 系统配备有标准离子源或 MAGCIS(可选的单粒子和气体团簇复合型离子源) 进行深度剖析。自动离子源优化和气路控制可确保卓越的性能和实验重现性。多技术联用使用 Nexsa G2 系统,所有技术将触手可及,一套系统全面分析您的样品。标准配置具备高性能 XPS 所需的所有功能,ISS、UPS、REELS、拉曼等多种分析技术集于一身。升级选项可将系统转换为完整的分析工作站,有助于解决材料分析问题,提高生产效率。特殊样品台可选Nexsa G2增加了多种样品台可选,以满足科研的特殊应用需求。特殊可选样品台有:NX 加热台,用于原位的样品加热分析;多触点偏压样品台,可实现样品在真空系统中的施加电压,偏压或循环电极后的XPS原位分析;惰性气体转移腔,可实现空气敏感样品的真空/惰性气体保护转移;MCA样品台,用于XPS+SEM的关联分析,实现XPS技术和电子显微技术对样品的同一个分析区域采集数据,并进行比对分析。如您想了解更多关于Thermo Scientific Nexsa G2 X 射线光电子能谱仪报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
    留言咨询

硅基光电子相关的耗材

  • 吉致电子JEEZ碳化硅晶圆抛光液 硅衬底抛光液 slurry抛光液
    无锡吉致电子25年研发生产——碳化硅晶圆抛光液/硅衬底SIC抛光液/半导体抛光液/CMP化学机械抛光液/硅衬底抛光液/slurry抛光液产品简介:为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光洁度吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液使用方法:1.可根据抛光操作条件用去离子水进行5-20倍稀释。2.稀释后,粗抛时调节PH11左右,精抛时调节PH9.5左右。pH调节可以用10%的盐酸、醋酸、柠檬酸、KOH或氨水在充分搅拌下慢慢加入。3.循环抛光可以用原液。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液储存方法:1.贮存时应避免曝晒,贮存温度为5-35℃2.低于0℃以上储存,防止结冰,在无度以下因产生不可再分散结块而失效。 3.避免敞口长期与空气接触。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液价格:吉致电子的碳化硅晶圆抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备,特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。本土化生产使得吉致电子CMP抛光液产品交货周期快,品质好,抛光液价格亲民。
  • 电子级取样瓶、PFA取样瓶、PP取样瓶、电子级超纯水取样瓶、电子级化学品取样瓶
    电子级取样瓶、PFA取样瓶、PP取样瓶、电子级超纯水取样瓶、电子级化学品取样瓶产品说明:陕西普洛帝测控技术有限公司是PULUODY/普洛帝品牌颗粒计数器在华东地区的总代!向华东地区提供PULUODY/普洛帝品牌双激光油液颗粒监测仪,双激光油液颗粒监测仪安装,双激光油液颗粒监测仪培训,双激光油液颗粒监测仪调试等。专 有 技术:清洁工艺-超声原位冲洗清洁(CIP系统);灭菌工艺-低温紫外复合灭菌(UHTU系统);烘干工艺-真空清洁密封融合烘干(TMVSD系统);检测工艺-采用行业标准颗粒计数器批次抽样监测、在线逐一检测(PC&OPC系统;包装工艺-结合行业标准的无菌包装厂商产品确保每一个产品的安全(SVP系统)。制 造 工艺:标准质量的原位清洗(CIP)有助于维持和一致的产品质量,避免因生产受污染及原料浪费所带来的风险与费用。高温灭菌处理是一种新科技灭菌的高温处理技术。UHT英文全称为Ultra High Temperature,意即超高温。细菌等微生物在很短的时间内(2至10秒)被137至140摄氏度的高温杀死。监 测 工艺:逐一检测批次抽检法是目前行业标准为重苛刻的监督检测方法,生产中每一个产品需通过跟踪检测,再从成品中进行批次抽检,达到100%的合格率。目前为PULUODY/普洛帝特有监测手段。产 品 应用:高纯水、电子纯试剂、光刻胶、硅晶片洗液、电子级清洗剂、液晶液、电路板洗液等等的取样。适合各类水液或油液的不溶性微粒检测。执 行 标准:GB 50073-2001洁净厂房设计规范JIS B9925-1997 液体中の粒子の大きさ及び数を測定する光散乱式自動粒子計数器JIS?K0554-1995超純水中の微粒子測定方法ISO 3722Fluid sample containers -- Qualifying and controlling cleaning methodsISO14644-1Cleanrooms and associated controlled environments—Part1:Classification of air cleanlinessGB/T 17484流体样品容器 鉴定和控制清洗方法可根据要求,进行各种粒径的清洗订制。技 术 参数:订制要求:各种粒径、颗粒数量、容积的订制粒径范围:0.1μm;0.3μm;0.5μm;1.0μm;2.0μm;5.0μm;取样容积:100ml、120ml、150ml、220ml、250ml、300ml、500ml、1000ml瓶体材质:PP、PE、PFA、PEFT、PEEK、PFAD、高硅硼等平均检出质量极限AOQL:0.5%洁净等级:RCL<15个/100mL PP无菌瓶:编号 容量ml 口内径×瓶直径×高(mm) 数量86-8011-PPST-01 细口100 φ47×φ16×100 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-02 细口250 φ62×φ16×133 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-03 细口500 φ76×φ20×167 1箱(2个/袋×5袋)86-8011-PPST-04 广口100 φ25×φ47×98 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-05 广口250 φ32×φ62×130 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-06 广口500 φ42×φ76×162 1箱(2个/袋×5袋)选型实例:型号:86-8011-PFA-07;等级:CLASS 2;包装:2包;数量1只。选型规格:86-8011-PFA-07-CLASS 2-2-1 关键词:电子级颗粒计数取样瓶、电子级洁净瓶、电子级净化瓶、无菌清洁瓶。具体详情请电询普洛帝中国服务中心! 普洛帝、Puluody、普勒、Pull为PLDMC公司注册的商标! 有关技术阐述、参数、服务为普洛帝拥有,普洛帝保留对经销商、用户的知情权!
  • 电子级净化瓶
    产品介绍:陕西普洛帝测控技术有限公司是PULUODY/普洛帝品牌颗粒计数器在华东地区的总代!向华东地区提供PULUODY/普洛帝品牌双激光油液颗粒监测仪,双激光油液颗粒监测仪安装,双激光油液颗粒监测仪培训,双激光油液颗粒监测仪调试等。PS-8011电子级净化瓶专 有 技术:清洁工艺-超声原位冲洗清洁(CIP系统);灭菌工艺-低温紫外复合灭菌(UHTU系统);烘干工艺-真空清洁密封融合烘干(TMVSD系统);检测工艺-采用行业标准颗粒计数器批次抽样监测、在线逐一检测(PC&OPC系统;包装工艺-结合行业标准的无菌包装厂商产品确保每一个产品的安全(SVP系统)。制 造 工艺:标准质量的原位清洗(CIP)有助于维持和一致的产品质量,避免因生产受污染及原料浪费所带来的风险与费用。高温灭菌处理是一种新科技灭菌的高温处理技术。UHT英文全称为Ultra High Temperature,意即超高温。细菌等微生物在很短的时间内(2至10秒)被137至140摄氏度的高温杀死。监 测 工艺:逐一检测批次抽检法是目前行业标准为重苛刻的监督检测方法,生产中每一个产品需通过跟踪检测,再从成品中进行批次抽检,达到100%的合格率。目前为PULUODY/普洛帝特有监测手段。产 品 应用:高纯水、电子纯试剂、光刻胶、硅晶片洗液、电子级清洗剂、液晶液、电路板洗液等等的取样。适合各类水液或油液的不溶性微粒检测。执 行 标准:GB 50073-2001洁净厂房设计规范JIS B9925-1997 液体中の粒子の大きさ及び数を測定する光散乱式自動粒子計数器JIS?K0554-1995超純水中の微粒子測定方法ISO 3722Fluid sample containers -- Qualifying and controlling cleaning methodsISO14644-1Cleanrooms and associated controlled environments—Part1:Classification of air cleanlinessGB/T 17484流体样品容器 鉴定和控制清洗方法可根据要求,进行各种粒径的清洗订制。技 术 参数:订制要求:各种粒径、颗粒数量、容积的订制粒径范围:0.1μm;0.3μm;0.5μm;1.0μm;2.0μm;5.0μm;取样容积:100ml、120ml、150ml、220ml、250ml、300ml、500ml、1000ml瓶体材质:PP、PE、PFA、PEFT、PEEK、PFAD、高硅硼等平均检出质量极限AOQL:0.5%洁净等级:RCL<15个/100mL电子级PP瓶:编号 容量ml 口内径×瓶直径×高(mm) 数量86-8011-PP-01 广口100 φ25×φ47×98 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PP-02 广口250 φ32×φ62×130 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PP-03 广口500 φ42×φ76×162 1箱(2个/袋×5袋)86-8011-PP-04 广口1000 φ48×φ92×198 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PPS-01 细口100 φ47×φ16×100 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPS-02 细口250 φ62×φ16×133 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPS-03 细口500 φ76×φ20×167 1箱(2个/袋×5袋)电子级PFA瓶:编号 容量 口内径×瓶直径×高×盖外径(mm) 数量86-8011-PFA-01 细口100 φ16.7×φ47×94×30 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PFA-02 细口250 φ16.7×φ60×133×30 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PFA-03 细口500 φ26.7×φ77×158×40 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PFA-05 广口100 φ26.7×φ47×94×40 1箱(1个/袋×5袋) 86-8011-PFA-06 广口250 φ33.8×φ60×133×50 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PFA-07 广口500 φ43.6×φ77×158×60 1箱(1个/袋×5袋)86-8011-PFA-08 广口1000φ43.6×φ94×200×60 1箱(1个/袋×5袋)电子级PP无菌瓶:编号 容量ml 口内径×瓶直径×高(mm) 数量86-8011-PPST-01 细口100 φ47×φ16×100 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-02 细口250 φ62×φ16×133 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-03 细口500 φ76×φ20×167 1箱(2个/袋×5袋)86-8011-PPST-04 广口100 φ25×φ47×98 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-05 广口250 φ32×φ62×130 1箱(5个/袋×2袋)86-8011-PPST-06 广口500 φ42×φ76×162 1箱(2个/袋×5袋)选型实例:型号:86-8011-PFA-07;等级:CLASS 2;包装:2包;数量1只。选型规格:86-8011-PFA-07-CLASS 2-2-1 关键词:电子级颗粒计数取样瓶、电子级洁净瓶、电子级净化瓶、无菌清洁瓶。具体详情请电询普洛帝中国服务中心! 普洛帝、Puluody、普勒、Pull为PLDMC公司注册的商标! 有关技术阐述、参数、服务为普洛帝拥有,普洛帝保留对经销商、用户的知情权!
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制