测试

PACK测试系统 测试台 新能源综合测试系统,为新能源整车主要部综合合测试系统,该系统集成了PACK静态测试,BMS测试,PDU测试,充电桩测试等功能.该系统是一套应用于新能源车多部件测试的大型综合测试系统.针对电池生产厂作为PACK,下线测试设备以及整车生产厂家作为电池包的来料检测设备,为客户提供多样性的综合测试解决方案.EOL系统可以与充放电设备联机进行产线自动化测试,也可以根据客户自已情况接入气密性测试仪,振动动环境箱等第三方设备.单体一致性测试? 出货SOC调制? 单体温升测试容量测试，功率测试? 内阻测试? 循环寿命测试? 过冲，过放耐受测试? 离线测试DBC导入工况文件导入无负载容量损失测试存储中容量损失测试 能量效率测试更多功能可咨询订制.电池测试系列 PACK充放电测试系统 模组充放电测试系统 超级电容PACK充放电测试系统 梯次电池包回收测试系统 电池包维护设备 电池包EOL综合测试系统电机控制器测试系统 电机EOL综合测试系统 电池模拟器综合台架VCU综合测试系统 BMS综合测试系统 DCDC综合测试系统 DCAC综合测试系统 整车下线测试系统4S店电池维护设备 电池厂模组维修设备 新能源电动汽车年检设备 电动汽车电量衰减测试设备 电动汽车故障诊断仪兰翠 Elsa Lan手机：电话： 分机：803传真：邮箱：国昱（深圳）电气科技有限公司Gute (shenzhen) Electrical Technology co.,Ltd

BW-3022A晶体管直流参数测试系统一、产品基本信息（1）产品名称及用途产品名称：BWDT-3022A 晶体管直流参数测试仪产品用途：满足电子元器件静态直流参数测试需求（2）产品信息及规格环境产品信息产品型号：BWDT-3022A产品名称：晶体管直流参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜5Kg主机颜色：白色系电气环境 主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）相对湿度：≯85%； 大气压力：86Kpa～106Kpa防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz工作时间：连续；二、产品介绍 BWDT-3022A 型晶体管直流参数测试仪是专为测试电子元器件的直流参数而设计。 可测试三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、三端 电压稳压器和基准器 TL431，其良好的中文界面软件，简化了用户对 BWDT-3022A 的操 作和编程。测试条件和测试参数一次快捷设定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 软件，无需操作培训,就可操作该仪器. BWDT-3022A 为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了 15 种最主 要参数的测试，以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把 测试条件输入进去，并将参数存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用。三、产品特点※ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单※ 大容量 EEPROM 存储器,储存量可多达 2000 种设置型号数.※ 全部可编程的 DUT 恒流源和电压源※ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路※ 高压测试电流分辨率 1uA,测试电压可达 1500V※ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题※ 软件自校准功能※ 产品基于大规模微处理器,当用户选定了设置好的型号时,在手动测试时,按下测试 开关,使测试机开始执行功能检测,自动测试过程将在 BWDT-3022A 的测试座上检测 DUT 短路,开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试。功能检测主要目的是保护被测器件DUT 不因型号选错而测坏※ DUT 的功能检测通过 LCD 显示出被测器件/DUT 的类型(三极管,MOS 场管等),引脚 排列(P_XXX)测试方式(手动/自动)并继续进行循环测试,显示测试结果是否合格,并有声光 提示※ 在测试整流二极管时,BWDT-3022A 能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进 行参数测试.测试后显示对应引脚功能号※ 两种工作模式1、自动模式：自动检测有无 DUT 放于测试座中,有则自动处于重复测试状态,无则处 于重复检测状态； 2、手动模式：（刚开始未测试时屏幕白屏属正常现象） 当测试开关按下后自动对测 试座中的 DUT 进行检测测试,长按开关不松开则处于重复测试状态,松开开关则自动停止测试四、测试种类及参数注释1、BJT/三极管(1)Vbe:Ib:表示测试三极管 VBE 压降时的输入电流.(2)Vce:Bv:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电压.(3)Vce:Ir:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电流.(4)HEF:Ic:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电流.(5)HEF:Vce:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电压(6)Vsat:Ib:表示测试三极管饱和导通压降时输入基极的电流.(7)Vsat:Ic:表示测试三极管饱和导通压降时输入集电极的电流.(8)Vb:表示三极管的输入压降 VBE.(9)VCEO:表示三极管的耐压(BVceo).(10)HEF:表示三极管的直流放大倍数(HEF).(11)Vsat:表示三极管的饱和导通压降(VCEsat).(12)TestModel:Auto :表示设置为自动识别测试.(13)TestModel:Manual :表示设置为手动测试.2、MOSFET/场效应管(1)Vth:ID:表示测试场效应管栅极启动电压(Vgs(th))的输入电流.(2)Vds:Bv:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vds:Ir:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Rs:Vg:表示测试场效应管内阻(Rson)时加在栅极的电压.(5)Rs:ID:表示测试场效应管内阻(Rson)时的测试电流.(6)Vth:表示场效应管的启动电压(Vgs(th)).(7)Bvds:表示场效应管的耐压(BVdss).(8)Rs:表示场效应管的导通内阻(Rdson)(9)Igss:OG:表示测试场管输入端 G 极的电容漏电特性，该设置数据为延时时间数，利 用延时设定时间后 VGS 电压的保持量来测漏电特性。(10)Test:T:表示测试多少次后就停止测试。可设定到 9999 次。3、JFTE/结型场效应管(1)Ids:Vd 表示测试结型场效应管漏极饱和电流(Idss)加在 D 极和 S 极的电压(Vds)(2)Vds:Bv 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vr:Ir 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Voff:Vd 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 极和 S 极的电压(Vds).(5)Voff:Id 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 和 S 的电流.(6)Is:表示结型场效应管的漏源饱和电流(Idss),在 GS=0V 的条件下测得.(7)Bvds:结型场效应管在关断时的击穿电压.(8)Vof:结型场效应管的阻断电压(VGS(off)).(9)gm:结型场效应管的跨导系数,即导通内阻的倒数.4、三端稳压 IC(1)Vo:Vi 表示测试三端稳压时的输入测试电压.(2)Vo:Vi 表示测试三端稳压时加在输出端的负载电流(3)Vo:表示三端稳压的输出电压数.5、基准 IC(1)Vz:Iz 表示测试基准 IC 时的输入测试电流.(2)Vz:表示基准 IC 的稳定电压数6、整流二极,三端肖特基整流器(1)VF:IF 表示测试三端肖特正向压降 VF 的测试电流.(2)Vr:Bv 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电压.(3)Ir:Fu 表示测试时反向漏电流参数是否要测，设大于 0 为开启该项参数。(4)Vr:Ir 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电流.(5)VF1:表示测试三端肖特正向压降 1. (5)VF2:表示测试三端肖特正向压降 BW-3022A测试技术指标：1、 整流二极管,三端肖特基:耐压(VRR)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-2%0-2.000mA导通正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A2 、N型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2.000mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-120001+/-2%0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)3、P型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-30001+/-2%100uA(Ib) 5V(Vce)固定输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)4、N,P型MOS场效应管输入启动电压(VGS(th))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-2.000mA耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2mA导通内阻(Rson)测试范围分辨率精度测试条件0-9999MR0.1MR+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)10R-100R0.1R+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)5、三端稳压IC输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-20.00V(VI)0-1.000A(IO)6、基准IC 431输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-1A(Iz)7、结型场效应管漏极饱和电流(Idss)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA40uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)40-400mA400uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA夹断电压(Vgs(off))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V0.2V+/-5%0-20V(VDS)0-2mA(ID)共源正向跨导(gm)测试范围分辨率精度测试条件0-99mMHO1mMHO+/-5%0V(VGS)0-20V(VDS)8、双向可控硅导通触发电流(IGT)测试范围分辨率精度测试条件0-40.00mA10uA+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)导通触发电压(VGT)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mv+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)耐压(VDRM/VRRM)测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2.000mA通态压降(VTM)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(IT)保持电流(IH)测试范围分辨率精度测试条件0-400mA0.2mA+/-5%0-400Ma(IT) 详见产品说明书。

美国MICRO CONTROL COMPANY老化测试机、老化测试板 MICRO CONTROL COMPANY是世界领先的老化测试设备制造商。成立于1972年的MCC公司为高功率老化测试提供独立温控方案和为逻辑/存储器芯片提供老化测试方案。集成电路老化测试载板的设计以及制作，为不同用户提供集成电路老化测试整体解决方案，满足不同用户的低、中和高功率测试要求。MCC系统特性：MCC特有的高功率老化测试系统，满足不同用户的逻辑以及存储器测试要求HPB-4 系统&bull 独立温控，液体冷却系统&bull 单颗最大功率600W&bull 每板最大1600安培&bull 可同时放入14块老化板MCC特有的独立温控技术（Individual Chip Temperature Control）1、为所有集成电路提供最适宜的老化测试温度2、为所有老化测试中的集成电路提供精确的电压等级和工作功率3、实时监控每个老化测试集成电路的实际温度和实际消耗功率4、老化测试中，能够提供最精确汇合温度的唯一工具MCC独立温控系统通过空气阀 (冷却) 和 Heat-sink加热器 (加热) 机构实现待测产品的独立温控