单晶二维材料

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  • 重庆研究院单晶二维材料GeSe大面积单原子层研究获新进展
    p　　近日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院量子信息技术中心团队在以GeSe为代表的IVsupA/supVIsupB/sup大面积单原子层材料制备和能带结构确定，及其器件测试分析研究中取得最新进展。/pp　　目前已有近百种二维材料被人们发现，包括第四主族单质、第三和第五主族构成的二元化合物、金属硫族化合物、复合氧化物等。这些发现不仅打破了长久以来二维晶体无法在自然界中稳定存在的说法，其自身的特性更是呈现出许多新奇的物理现象和电子性质，如半整数、分数和分形量子霍尔效应、高迁移率、能带结构转变等。IVsupA/supVIsupB/sup单晶二维材料MX（M=Ge,Sn；X=S,Se）因极高稳定性、环境友好性、丰富蕴藏量，以及从材料结构到性能上与黑磷烯的相似性而受到广泛关注。基于第一性原理方法对MX的能带结构的计算、对其从间接带隙到直接带隙的临界层厚，以及基于其Csub2v/sub对称结构的压电性能理论预测的研究已多有报道。但受其脆性影响，该类型材料难以直接采用物理撕裂法制备得到单原子层材料。采用化学合成方法，也难以获得较大面积的单原子层（大于1微米）。因此，对IVsupA/supVIsupB/sup单晶二维材料的研究迄今仍停留在理论预测阶段。/pp　　在MX中，GeSe理论上被认为是唯一具有直接带隙的材料，且该材料的光谱范围预测几乎覆盖了整个太阳光光谱，这使它在量子光学、光电探测、光伏、电学等领域有巨大的应用潜力。据此，重庆研究院量子信息技术中心团队研究发现，利用单晶硅表面二氧化硅的隔热效果和激光减薄方法，可以在一定激光功率密度下不断地减薄GeSe的层厚，直至单原子层。其减薄机理是激光在GeSe表层产生高热，由于GeSe材料本身的层状特性，难以将热量及时传导出去，导致层厚被不断减薄。当GeSe的层厚被减薄至单原子层时，整个SiOsub2/sub/Si可以被看作热沉而无法继续减薄。利用此方法，该团队首次实验制备出了100微米以上的GeSe单原子层材料，基于荧光谱、拉曼谱等方法对GeSe单原子层的原子和能带结构进行研究，并基于第一性原理方法理论印证了实验结果的可靠性。实验和理论计算表明，GeSe单原子层的荧光谱非常宽，从可见光波段到近红外波段发现了8个荧光峰，从间接带隙到直接带隙的转变发生在第三层。此外，该团队分别实验制备出了基于GeSe体材料和二维材料的晶体管，其I-V和光反应性能表明，二维材料的光敏度是相应体材料的3.3倍，同时二维材料器件的光反应度也远优于相应体材料器件。/pp　　相关研究成果发表在emAdvanced Functional Materials/em上。该研究得到了重庆市基础前沿重大项目、中科院“西部之光”西部青年学者A类项目、国家自然科学基金面上项目的资助。??/ppbr//p
    时间： 2017-12-14
    作者： 杨改霞
  • 半导体情报，科学家利用创新界面外延策略制备二维单晶材料！
    【科学背景】过渡金属二硫化物（TMDs）作为二维材料，在下一代电子集成电路和光子集成电路中显示出巨大潜力。其中，菱面层状（3R）TMDs因其优异的电流密度和高载流子迁移率成为研究热点。然而，生长大尺寸单晶3R-TMDs面临着表面外延生长的挑战，这限制了层数和堆垛相位的精确控制。为了应对这一问题，北京大学刘开辉教授，中国人民大学刘灿副教授和中科院物理研究所张广宇研究员等人合作在“Science”期刊上发表了题为“Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals”的最新论文。科学家们提出了一种 “晶格传质-界面外延”的外延策略，成功实现了晶片尺度、厚度可控的3R-TMD单晶的通用生长。通过这种方法生长的3R-MoS2薄膜表现出高结晶度，显著提升了场效应晶体管阵列的性能，包括高再现性和超越行业标准的载流子迁移率。此外，厚3R-TMD通过差频发生过程实现了近红外波长转换和显著的非线性光学增强，展示出在片上集成2D晶体管和非线性光学器件方面的广泛应用潜力。这些成果有望推动3R-TMDs在后摩尔定律时代的纳米电子学、非挥发性存储器、神经形态计算、太阳能收集和量子光源等领域的前沿技术发展。【科学亮点】（1）实验首次采用“晶格传质-界面外延”的外延策略，成功实现了晶片尺度、厚度可控的菱面层状（3R）过渡金属二硫化物（TMD）单晶生长。（2）实验通过此策略，得到了以下几个关键结果：&bull 实现了高结晶度的3R-MoS2薄膜生长，显著提升了场效应晶体管（FET）阵列的性能，包括超过IRDS设定的高迁移率基准。&bull 成功实现了近红外波长转换和厚3R-TMD DFG过程中的显著非线性光学增强。&bull 预计这些3R-TMD单晶将成为一个多功能的材料平台，用于片上集成2D晶体管和非线性光学器件，推动其在后摩尔定律纳米电子学、非挥发性存储器、神经形态计算、太阳能收集、片上非线性光学器件和量子光源技术中的应用前沿。 【科学图文】图1：3R-TMDs的表面和界面外延示意图。图2. 3R-MoS2多层单晶的表征。图3. 3R-MoS2及其合金单晶的通用外延研究。图4. 3R-MoS2 FETs的测量。图5：3R-MoS2单晶的DFG测量。【科学结论】本文通过创新的界面外延策略，实现了晶片尺度、厚度可控的菱面层状（3R）过渡金属二硫化物（TMD）单晶的大规模生长。传统表面外延法面临层间相互作用弱、层数控制困难的挑战，而本研究通过在单晶Ni衬底上持续供给金属和硫属元素，确保了3R堆垛序列的一致性和厚度的精确控制，从而获得了高结晶度和相位纯度的3R-TMD薄膜。这不仅显著提升了薄膜的电学性能，如高迁移率的场效应晶体管（FET）性能和非线性光学效应的增强，还为在电子与光学器件领域的深入研究开辟了新的可能性。本文的创新策略不仅适用于3R-TMDs，还为其他功能材料的制备提供了新的思路和方法。通过在界面控制的精细化处理下，不仅可以优化材料的物理特性，还可以定制化设计材料的结构和功能，进一步拓展了材料科学与工程中的应用前景。此外，通过3R-TMD单晶在能源转换、信息存储和量子技术等领域的潜在应用，本研究还提供了一个重要的实例，展示了如何通过基础科学的探索和工程技术的创新，推动材料科学领域的发展和进步。文献信息：Biao Qin et al. ,Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals.Science385,99-104(2024).DOI:10.1126/science.ado6038
    时间： 2024-08-12
    作者： Jansky
  • Advanced Materials | 新型二维原子晶体材料Si9C15的构筑
    碳元素与硅元素同属第四主族，其原子最外层有四个未配对电子，可形成四根共价键。例如金刚石与单晶硅分别是碳原子和硅原子以sp3杂化方式与临近的四个原子成键形成的稳定结构。原则上，碳原子和硅原子可以以任意的比例互换，组成SixCy的一大类具有闪锌矿结构的晶体材料。理论预言表明，二维的SixCy晶体可以以蜂窝状结构稳定存在，随着碳硅比例的不同具有大范围可调节的带隙，从而产生丰富的物理化学性质，引起了研究人员广泛的关注。然而，自然界中的硅原子并不喜欢sp2杂化方式的平面二维结构，碳硅化合物晶体多数不存在像石墨一样的层状体材料。因此，常规的机械剥离方法并不适用于制备二维碳化硅材料。已有的实验报道包括利用液相剥离和扫描透射电子显微镜电子束诱导等手段获取准二维SiC和SiC2材料，然而这些材料存在着厚度不均一、尺寸太小以及无法集成等问题。因此，发展一种新的实验手段获取高质量、大尺寸的单晶二维碳化硅材料具有重要意义。最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室高鸿钧研究团队利用组内自主设计研发的分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统，对石墨烯硅插层技术进行了优化，并将其应用于二维碳化硅材料的构筑，成功在钌和铑两种单晶表面生长出大面积、高质量、单晶的单层Si9C15材料。他们首先在金属钌（铑）单晶表面生长获得高质量单层石墨烯，然后在石墨烯上沉积过量的硅，在1400 K高温下退火得到了厘米量级的单层碳化硅材料（图一）。他们进一步结合扫描隧道显微镜、扫描透射电子显微镜、X射线光电子能谱等表征手段和第一性原理计算，确定该二维材料是组分为Si9C15的翘曲蜂窝状结构（图二，图三）。蜂窝状结构由碳-碳六元环和碳-硅六元环组成，每个碳-碳六元环被十二个碳-硅六元环所包围。扫描隧道谱显示该二维材料表现出半导体特征，能隙为1.9eV（图四）。值得一提的是，单层Si9C15晶体具有较好的空气稳定性。制备的二维单晶样品在直接暴露空气72小时后重新传入超高真空腔体，在870 K退火1小时之后可以看到晶体结构几乎没有受到破坏（图五）。该项研究首次获得了大面积、高质量的单晶二维碳化硅材料。计算结果还显示在不同晶格常数的金属单晶衬底上有可能生长出不同碳硅比的二维材料，揭开了利用外延生长获取二维碳化硅材料的序幕。相关成果以“Experimental realization of atomic monolayer Si9C15”为题发表于Advanced Materials上。该工作与中国科学院大学的周武教授和国家纳米中心的张礼智研究员进行了合作。博士高兆艳、博士生徐文鹏、博士后高艺璇和博士后Roger Guzman为论文共同第一作者，李更、张礼智、周武和高鸿钧为共同通讯作者。该工作得到科技部（2019YFA0308500, 2018YFA0305700, 2018YFA0305800）、国家自然科学基金（61888102,51991340,52072401）、中国科学院（YSBR-003）和北京杰出青年科学家计划（BJJWZYJH01201914430039）等的支持。文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202204779 图一：单层Si9C15材料的获取。图二：二维Si9C15材料的原子构型图三：STEM图像证实二维Si9C15材料的存在。图四：二维Si9C15材料的电子结构。图五：二维Si9C15材料具有较好的空气稳定性。【近期会议推荐】仪器信息网将于2022年8月30-31日举办第五届纳米材料表征与检测技术网络会议，开设“能源与环境纳米材料”、“生物医用纳米材料”“纳米材料表征技术与设备研发（上）”、“纳米材料表征技术与设备研发（下）”4个专场，邀请20余位领域内专家，围绕纳米材料热点研究方向，从成分分析、形貌分析、粒度分析、结构分析以及表界面分析等主流分析和表征技术带来精彩报告。会议涉及热点研究方向：电极材料、医药材料、多铁/铁电材料、电子敏感材料、超宽禁带半导体材料......会议包含表征与检测技术：冷冻电镜、透射电镜、扫描电镜、扫描隧道能谱、X射线光电子能谱、纳米粒度及Zeta电位仪、超分辨荧光成像、表面等离子体耦合发射、荧光单分子单粒子光谱、磁纳米粒子成像、拉曼光谱、X射线三维成像......为纳米材料工作者及相关专业技术人员提供线上学术与技术交流的平台，帮助大家迅速掌握纳米材料主流分析和表征技术，共同提高纳米材料研究及应用水平。（点击此处进入会议官网，免费报名参会）
    时间： 2022-08-26
    作者： 葱头
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  • 【原创大赛】二维材料的制备

    二维材料的制备目前一般有3种方法1：机械剥离。也就是用胶带把大片材料撕成几个纳米厚的薄片。通常来说，用这种办法制出来的二维材料整体结构依然保持了块体材料的结构，大小在1到10微米不等，基本为单晶，缺陷由块体材料决定，最能体现材料本身的性能。2：液相剥离：通过液体的interface energy 和外加能量作用，抵消片层间的范德华力将块体材料剥离成二维。剥离后材料大小根据工艺而定，溶液可选NMP和DMF。剥离后二维片层主要悬浮在溶液之中，可用电子印刷，旋涂等方法制备成膜。材料性能主要受表面未除掉的溶液影响，制成膜后，膜质量有片与片之间连接状态，表面未除掉的溶液以及材料本身性质影响。3：CVD：石墨烯等材料可通过气相沉积制备，通过调节制备工艺可以控制二维材料的大小，厚度以及缺陷，生长质量与基底状态密切相关。目前CVD可用于能在常压下可以合成的二维材料的生长，像黑磷这样需要高压条件才能合成的材料，暂无相关报道。机械剥离法的操作步骤：1：所需准备的物品：表面有SiO2层的Si片，思高胶带（不要用普通胶带，不然撕完，表面留胶很多），单晶或者高趋向的块体材料（晶粒尺寸越大越好）2：取一片块体材料粘在胶带上，对折后压紧再撕开，胶带上样品满了就换胶带继续撕，撕到样品成薄纱状（对着光看，样品比较透光，用眼睛不太容易分辨）3：去表面有SiO2层的Si片，用丙酮超声洗净吹干，将薄纱状样品按在带SiO2的一面上用镊子轻压。4：在光镜下找样品：厚度合适的样品颜色与基底颜色相似，有明显的规则形状，一般会出现在较厚的片层样品的附近。较厚的样品表面会很光亮。残留的胶形状很不规则，为避免看到残留的胶，可在观测之前用丙酮浸泡以除掉残余的胶。5：厚度的确认一般用AFM直接观测，观测效果取决于AFM的精度，基底是否干净。

  • 传统铁电材料遇见新型二维材料：光电探测的新思路

    传统铁电材料遇见新型二维材料：光电探测的新思路

    [color=#333333] [/color][color=#333333]近几年，面内以共价键成键、层间以弱范德瓦尔斯力结合的二维材料得到了广泛关注。这类二维材料中最引人注目的是石墨烯、黑磷（BP）及以二硫化钼（MoS[sub]2[/sub]）为代表的过渡金属硫化物（TMDs)等。相对于石墨烯的零带隙，MoS[sub]2[/sub]禁带宽度在1.2~1.8电子伏特之间，MoS[sub]2[/sub]场效应管结构光电探测器对可见光有很强的光响应，在光电探测领域有很好的应用前景。然而，这种光导型二维材料光电探测器受限于二维材料背景载流子浓度，暗电流偏大，且带隙决定了其无法实现红外探测，限制了其在红外光电探测领域的应用。[/color][color=#333333] [/color][color=#333333]最近，中国科学院上海技术物理研究所王建禄副研究员、胡伟达研究员将P(VDF-TrFE)铁电聚合物材料沉积在二维材料MoS[sub]2[/sub]表面，利用铁电聚合物材料极强的铁电极化场，实现了对少层MoS[sub]2[/sub]的完全耗尽。在光电特性表征中，他们发现这种超强局域场可使得MoS[sub]2[/sub]原子晶格重新排布，禁带宽度变小。基于该结构，他们报道了MoS[sub]2[/sub]材料在短波红外光电响应，研制出了高性能的可见-红外光电探测器件。研究发现该结构MoS[sub]2[/sub]光电探测器具有高响应率（达到2570A/W），高探测率（2.2×10[sup]12[/sup]Jones），低功耗（0栅压），宽波段探测（可见-1550nm），快速响应等特点，相关成果近期发表于《Advanced Materials》上。[/color][color=#2B2B2B]据巨纳集团低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介[/color][color=#333333]绍，这种利用铁电极化局域场操控二维材料光电特性新方法，为推进二维材料在光电子器件及电子器件等领域的应用提供了新思路。[/color][img=,433,350]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707271400_01_2047_3.png[/img][img=,433,350]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707271400_01_2047_3.png[/img]

  • 【资料】单晶学习材料

    单晶学习材料[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=96366]单晶学习材料[/url]

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  • OMRSxx系列二维高稳定光学镜架 400-628-5299
    OMRS系列二维高稳定光学调整架OMRS 系列是卓立汉光结合长期制造和应用的经验，使用优质材料、采用优化结构、经过精密加工装配而成，具有高稳定性、高灵敏度的系列产品，该系列产品的主要特点：● 均采用高灵敏度细牙螺纹副，可进行二维调整● 产品系列化完善，涵盖从12.7～50.8的多个尺寸● 每个尺寸的调整架，包含多种镜片装卡方式，包括：封闭式顶丝式（标准型）、开口式顶丝式（-B型）、封闭式压圈式（-C型）● 每种调整架，均具有不带锁紧（标准型）和带锁紧（-S型）两种方式选型表（封闭顶丝式）：选型表（开口顶丝式）：选型表（压圈式）：注：压圈式25/25.4及50/50.8不能通用。关联产品：金属膜反射镜介质膜反射镜 连接附件连接附件应用实例：锁紧机构螺纹副锁紧机构
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： OMRSxx系列
    价格： 面议
  • 二维材料--黑磷 400-860-5168转2205
    产品名称：二维材料--黑磷结构：单晶尺寸：8mm×8mm×0.2mm纯度：＞99.99%
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    厂商： 合肥科晶材料技术有限公司
    品牌： 合肥科晶
    型号： 二维材料--黑磷
    价格： 面议
  • 二维材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2) 400-860-5168转2205
    产品名称：二维材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2) 供应信息：一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小，厚度约为0.1mm.需要大的请致电说明。另外可以按照重量购买，每mg的价格一般为每片单价的2倍。一片块材一般可以用于剥离样品1~3次。 材料种类：黑磷（BP）人工合成块料二硫化钼（MoS2） 天然5x5mm块料； 天然10x10mm块料； 天然15x15mm块料 天然20x20mm块料二碲化钼（MoTe2）人工合成块料二硒化钼（MoSe2）人工合成块料二硫化钨（WS2）人工合成块料二硒化钨（WSe2）人工合成块料二碲化钨（WTe2）人工合成块料 常规尺寸：一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品： Hydrogen Gas Tube Furnace Two Zone Hydrogen Tube Furnace Slidable Multi Zone PECVD Tube Furnace 1" RF Plasma Sputtering Coater DC/RF Dual-Head 2” Sputtering WSe2 靶材 Si上镀SiO2 Cu单晶 A-Z系列晶体
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    厂商： 合肥科晶材料技术有限公司
    品牌： 合肥科晶
    型号： 二维材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)
    价格： 面议
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  • 高质量二维晶体材料
    高质量二维晶体材料二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的二维晶体材料，并提供定制服务（如二维材料机械剥离技术培训，层数判定等性能检测培训等），以满足客户的不同需求。1、名称：硫化镓（GaS） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 2、名称：硒化铋（Bi2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 3、名称：碲化铋（Bi2Te3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：拓扑绝缘体 4、名称：二硒化钼（MoSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 5、名称：硫化锗（GeS）纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 6、名称：二碲化钼（MoTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-10 mm 属性：半导体 7、名称：二硫化钼单晶（MoS2）-合成纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 8、名称：二硫化钼单晶（MoS2）纯度：＞99% 尺寸：~10 mm-20 mm 属性：半导体 9、名称：二硫化钨（WS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 10、名称：二硒化钨（WSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 11、名称：二硒化钒（VSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7-10 mm 属性：半导体 12、名称：二碲化钨（WTe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：联系我们 属性：半金属 13、名称：硒化镓（GaSe） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 14、名称：大尺寸六边形氮化硼晶体（HBN） 纯度：＞99.99% 尺寸：1.0-1.5 mm鳞片 属性：绝缘体 15、名称：高定向热解石墨（HOPG） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达12 x 12 x 2 mm 属性：金属 16、名称：天然石墨（NG） 纯度：＞99.995% 尺寸：~2 mm 属性：金属 17、名称：石墨烯（graphene） 纯度：＞99.995% 尺寸：＜60 μm 属性：金属 18、名称：二硒化铪（HfSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 19、名称：二硫化铪（HfS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 20、名称：硒化铟（In2Se3） 纯度：＞99.995% 尺寸：~7 mm 属性：半导体 21、定制二维异质结 22、转移二维晶体材料的高纯聚合物 23、名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种 24、名称：1T-二硒化钛（1T-TiSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体 25、名称：二硫化钛（TiS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半金属 26、名称：2H-二硫化钽（2H-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 27、 名称：1T-二硫化钽（1T-TaS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：可定制 属性：半导体，具有电荷密度波 28、名称：二硒化钽（TaSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 29、名称：二硒化锡（SnSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 30、名称：二硫化锡（SnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~10 mm 属性：半导体 31、名称：二硒化铼（ReSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm 属性：半导体 32、名称：二硫化铼（ReS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~6 mm-8 mm 属性：半导体 33、名称：二硒化铂（PtSe2） 纯度：＞99.99% 尺寸：~2 mm 属性：半金属 34、名称：Pb3Sn4FeSb2S14 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 35、名称：硫锡铅矿（PbSnS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：半导体 36、名称：二硒化铌（2H-NbSe2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~8 mm 属性：超导体，具有电荷密度波 37、名称：二硫化铌（NbS2） 纯度：＞99.995% 尺寸：~4 mm 属性：超导体 38、名称：金云母（KMg3AlSi3O10(OH)2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 39、名称：白云母（K2O-Al2O3-SiO2） 纯度：高 尺寸：25 x 25 x 0.15 mm 属性：绝缘体 40、名称：CaSO4-2H2O 纯度：高 尺寸：1-2 cm 属性：绝缘体 41、名称：黑磷（BP） 纯度：＞99.995% 尺寸：可达cm级别 属性：半导体（带隙~0.3eV）
    供应商： 上海巨纳科技有限公司
    品牌： HQ Graphene
    价格： 面议
  • 定制二维晶体材料样品盒
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 名称：定制二维晶体材料样品盒 可定制 超过30多种
    供应商： 上海巨纳科技有限公司
    品牌： HQ Graphene
    价格： 面议
  • 转移二维晶体材料的高纯聚合物
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司：巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一，注册资本11000万元，有办公用房300多平方米，厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成，部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组，项目技术处于国际领先地位，在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验，创新意识强，公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介：二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外，还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料，并提供定制服务，以满足客户的不同需求。 转移二维晶体材料的高纯聚合物
    供应商： 上海巨纳科技有限公司
    品牌： HQ Graphene
    价格： 面议
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