二硼化钽

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二硼化钽相关的论坛

  • 请问用ICP能测定氧化铌\氧化钽中硼吗?

    我公司生产的样品氧化铌/氧化钽,需测定硼杂质含量,含量范围在5-50ppm左右,而且样品处理要用到氢氟酸,但是我的高纯水中硼也很高,我都不知道是什么原因,能不能用ICP测?请各位高手指教.

  • 【资料】碳化硼在含碳耐火材料中的作用!

    碳化硼主要用于含碳耐火材料中起抗氧化作用,可以使产品致密化,阻止含碳耐火材料中碳的氧化,同时在1000℃~1250℃的时候,Al2O3与B2O3发生反应,生成9Al2O32B2O3的柱状晶体,分布在耐火材料的基质和间隙里,从而降低气孔率,提高中温强度,且生成的9Al2O32B2O3晶体,体积膨胀,可愈合体积收缩,减少裂纹。  一般应用于烧成大滑板,Al2O3-SiC-C铁沟浇注料,以及一些高档的不烧含碳耐火材料和Al2O3-C耐火材料,MgO-C质的耐火材料一般不用,因为硼元素的介入会影响到耐火材料的使用寿命。  可以用SiC微粉,金属Al粉,金属Si粉,ZrB6等取代起抗氧化作用,铝材料可用少量硼酸替代,但是要特别注意量的控制。

二硼化钽相关的方案

  • 微波消解碳化硼
    碳化硼,别名黑钻石,分子式为B4C,通常为灰黑色微粉。是已知最坚硬的三种材料之一(其他两种为金刚石、立方相氮化硼),用于坦克车的装甲、避弹衣和很多工业应用品中。不受热氟化氢和硝酸的侵蚀,溶于熔化的碱中,不溶于水和酸。由于制备手段的因素,碳化硼容易形成碳缺陷,导致硼碳比在很大的范围内变化而不影响其晶体结构,这往往导致其理化性能的降低。这种缺陷往往难以通过粉末衍射分辨,常常需要化学滴定以及能量损失谱确定。为了对其成分进行分析,采用微波消解的方法进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续对痕量元素的准确快速测定。
  • 微波消解碳化硼
    碳化硼,别名黑钻石,分子式为B4C,通常为灰黑色微粉。是已知最坚硬的三种材料之一(其他两种为金刚石、立方相氮化硼),用于坦克车的装甲、避弹衣和很多工业应用品中。不受热氟化氢和硝酸的侵蚀,溶于熔化的碱中,不溶于水和酸。由于制备手段的因素,碳化硼容易形成碳缺陷,导致硼碳比在很大的范围内变化而不影响其晶体结构,这往往导致其理化性能的降低。这种缺陷往往难以通过粉末衍射分辨,常常需要化学滴定以及能量损失谱确定。为了对其成分进行分析,采用微波消解的方法进行前处理,本方法消解迅速,酸用量少,酸雾污染小,有利于后续对痕量元素的准确快速测定。
  • ICP-5000测定碳化硼中主成分及杂质元素含量
    碳化硼具有高温耐磨性能、耐腐蚀性能、优异的热稳定性能,可以吸收中子而不形成任何放射性同位素,其与铝粉混合制备而成的B4C/Al铝基复合材料,作为中子屏蔽材料,在核工业中广泛使用。硼的含量对其屏蔽性能起决定性的作用,工业生产制备过程中对碳化硼中各元素含量具有严格的技术要求,因此,碳化硼中元素检测具有重要意义。由于碳化硼的耐腐蚀性能,其溶解存在很大的困难,国标中采用碱溶法,容易造成基体效应,不利于杂质元素的测定。另外,B为难电离的非金属元素,消解过程中易损失。本文采用氢氟酸、硫酸、硝酸等混合酸对碳化硼进行微波消解,随后用ICP-5000及耐氢氟酸进样系统对样品中B、Cu、Fe、Mg、Mn、Ti、Zn元素进行测定,并进行了加标回收试验。

二硼化钽相关的资讯

  • 大连化物所实现半导体光催化硼化反应
    近日,大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组(02T6组)戴文研究员团队在多相光催化硼化方面取得新进展。团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂,利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用,通过选择性硼化反应,实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳(杂)环的高值转化,合成了硼氢化和硼取代产物。氮杂环卡宾硼烷(NHC-BH3)由于其化学性质稳定且制备方法简单,近年来作为一种新型硼源,被应用于自由基硼化反应中。然而,大量有害的自由基引发剂或昂贵且无法回收的均相光催化剂的使用仍然阻碍其广泛应用。因此,发展一种通用、廉价且可循环的催化体系对NHC-BH3参与的自由基硼化反应的发展具有重要意义。在上述研究背景下,戴文团队发展了一种简单、高效的多相光催化体系。该体系利用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂,NHC-BH3为硼源,在室温光照的条件下,实现了多种烯烃、炔烃、亚胺、芳(杂)环以及生物活性分子的选择性硼化反应。由于该转化过程充分利用了光生电子—空穴对,从而避免了牺牲剂的使用。进一步研究发现,该催化体系不仅能够实现克级规模放大,且催化剂多次循环后依旧保持稳定的收率,同时,该催化体系作为一个可循环的通用平台,回收后的催化剂仍可继续催化不同种类底物的硼化反应,这些结果可为以NHC-BH3为硼源的自由基硼化反应的发展提供新思路。此外,该工作还对所得到的有机硼化物进行了衍生化,合成了含有羟基,硼酸酯和二氟硼烷反应活性位点的合成砌块。  戴文团队一直致力于多相催化大宗化学品(烯烃、炔烃、有机硫化物和醇等)的高附加值转化并取得了一系列研究成果:在前期的工作中,分别发展了钴基氮掺杂介孔碳催化醇的氧化酯化制备酯(Angew. Chem. Int. Ed.,2020)、廉价锰氧化物催化醇的氧化氨化制备酰胺和腈(Chem,2022)、铁单原子纳米酶催化酮的氧化氨化制备腈(Science Advances,2022)、锰氧化物催化不饱和碳氢资源的氧化氨化制备酰胺和腈(JACS Au,2023)、钴纳米颗粒和钴单原子协同催化有机硫化物制备酰胺和腈(Nat. Commun., 2023)。  相关研究成果以“Facile Borylation of Alkenes, Alkynes, Imines, Arenes and Heteroarenes with N-Heterocyclic Carbene-Boranes and a Heterogeneous Semiconductor Photocatalyst”为题,于近日发表在《德国应用化学》(Angewandte Chemie International Edition)上,并被选为热点文章(Hot Paper)。该工作的共同第一作者是大连化学物理研究所02T6组博士后谢复开和科研助理毛展。上述工作得到了辽宁省优秀青年基金的资助。
  • Science:科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率
    中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队,在超高热导率半导体-立方砷化硼(c-BAs)单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展,为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》(Science)上。 随着芯片集成规模的进一步增大,热量管理成为制约芯片性能的重要因素。受到散热问题的困扰,不得不牺牲处理器的运算速度。2004年后,CPU的主频便止步于4GHz,只能通过增加核数来进一步提高整体的运算速度,而这一策略对于单线程的算法无效。2018年,具有超高热导率的半导体c-BAs的成功制备引起了科学家的兴趣,其样品实测最高室温热导率超过1000 Wm-1K-1,约为Si的十倍。c-BAs具有高的热导率以及超弱的电声耦合系数和带间散射,理论预测c-BAs同时具有颇高的电子迁移率(1400 cm2V-1s-1)和空穴迁移率(2110 cm2V-1s-1),这在半导体材料系统中颇为罕见,有望将其应用在集成电路领域来缓解散热困难并可实现更高的运算速度,因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具有重要意义。 虽然c-BAs已被制备,但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷,对其迁移率的测量带来困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,而电极的大小制约其空间分辨能力,并直接影响测试结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。 通过大量的样品反复比较,科研团队确定了综合应用XRD、拉曼和带边荧光信号来判断样品纯度的方法,并挑选出具有锐利XRD衍射(0.02度)窄拉曼线宽(0.6波数)、接近0的拉曼本底、极微弱带边发光的高纯样品。进一步,科研团队自主搭建了超快载流子扩散显微成像系统。通过聚焦的泵浦光激发,广场的探测光探测,实时观测载流子的分布情况并追踪其传输过程,探测灵敏度达到10-5量级,空间分辨能力达23 nm。利用该测量系统,研究比较了具有不同杂质浓度的c-BAs的载流子扩散速度,首次在高纯样品区域检测到其双极性迁移率约1550 cm2V-1s-1,这一测量结果与理论预测值(1680 cm2V-1s-1)非常接近。通过高能量(3.1 eV,400 nm)光子激发,研究还发现长达20ps的热载流子扩散过程,其迁移率大于3000 cm2V-1s-1。 立方砷化硼高的载流子和热载流子迁移速率以及超高的热导率,表明可广泛应用于光电器件、电子元件。该研究厘清了理论和实验之间存在的差异的具体原因,并为该材料的应用指明了方向。 研究工作得到中科院战略性先导科技专项(B类)、国家自然科学基金、国家重点研发计划与中科院仪器设备研制项目等的支持。  图1.c-BAs单晶的表征。(A)c-BAs单晶的扫描电镜照片;(B)111面的X射线衍射;(C)拉曼散射(激发波长532 nm);(D)极微弱的带边发光(激发波长593 nm)及荧光成像(插图,标尺为10微米)。 图2.瞬态反射显微成像和在c-BAs中的载流子扩散。(A)实验装置示意图,激发波长为600 nm探测波长为800 nm;(B)不同时刻的瞬态反射显微成像(标尺1微米);(C)典型的载流子动力学;(D)0.5 ps的二维高斯拟合(E)不同时刻的载流子分布方差随时间的演化及载流子迁移率,误差标尺代表95%置信拟合区间。
  • 中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-015)——超高热导率半导体-砷化硼的载流子扩散动力学研究
    以下文章来源于国家纳米科学中心 ,作者刘新风课题组1 工作简介——超高热导率半导体-砷化硼的载流子扩散动力学研究国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队在超高热导率半导体-立方砷化硼(c-BAs)单晶的载流子扩散动力学研究方面取得重要进展,为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在Science杂志上。随着芯片集成规模的进一步增大,热量管理成为制约芯片性能越来越重要的因素。受散热问题的困扰,人们不得不牺牲处理器的运算速度。从2004年后,CPU的主频便止步在了4 GHz,只能通过增加核数来进一步提高整体的运算速度,然而这一策略对于单线程的算法却是无效的。2018年,具有超高热导率的半导体c-BAs的成功制备引起了人们极大兴趣,其样品实测最高室温热导率超过1000 Wm-1K-1,约为Si的十倍。c-BAs不仅具有高的热导率,由于其超弱的电声耦合系数和带间散射,理论预测c-BAs还同时具有非常高的电子迁移率(1400 cm2V-1s-1)和空穴迁移率(2110 cm2V-1s-1),这在半导体材料系统中是非常罕见的,有望将其应用在集成电路领域来缓解散热的困难并且能够实现更高的运算速度,因而通过实验来确认这种高热导率的半导体材料的载流子迁移率具有非常重要的意义。虽然c-BAs被制备出来,但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷,为其迁移率的测量带来极大的困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,然而电极的大小制约着其空间分辨能力,并直接影响到测试的结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。通过大量的样品反复比较,研究团队确定了综合应用XRD、拉曼和带边荧光信号来判断样品纯度的方法,并挑选出了具有锐利XRD衍射(0.02度)窄拉曼线宽(0.6波数),接近0的拉曼本底,极微弱带边发光的高纯样品。进一步,研究团队自主搭建了超快载流子扩散显微成像系统。通过聚焦的泵浦光激发,广场的探测光探测,实时观测载流子的分布情况并追踪其传输过程,探测灵敏度达到了10-5量级, 空间分辨能力达23 nm。利用该测量系统,详细比较了具有不同杂质浓度的c-BAs的载流子扩散速度,首次在高纯样品区域检测到其双极性迁移率约 1550 cm2V-1s-1, 这一测量结果与理论预测值(1680 cm2V-1s-1)非常接近。通过高能量(3.1 eV,400 nm)光子激发,研究团队还发现了长达20ps的热载流子扩散过程,其迁移率大于3000 cm2V-1s-1。立方砷化硼高的载流子和热载流子迁移速率,以及其超高的热导率,表明其可以广泛应用在光电器件、电子元件中。该研究工作厘清了理论和实验之间存在的巨大差异的具体原因,为该材料的应用指明了方向。图1. 瞬态反射显微成像和在c-BAs中的载流子扩散。(A)实验装置示意图,激发波长为600 nm探测波长为800 nm (B)不同时刻的瞬态反射显微成像(标尺1微米) (C)典型的载流子动力学 (D)0.5 ps的二维高斯拟合 (E)不同时刻的载流子分布方差随时间的演化及载流子迁移率,误差标尺代表95%置信拟合区间。国家纳米科学中心副研究员岳帅为文章第一作者,刘新风研究员为通讯作者。文章的共同第一作者为休斯顿大学田非博士(现中山大学教授),共同通讯作者为休斯顿大学包吉明教授和任志锋教授。该研究工作得到了中国科学院战略性先导科技专项(B类)、国家自然科学基金委项目、万人计划青年拔尖人才计划、科技部重点研发计划、科学院仪器研制项目等项目的大力支持。2作者简介通讯作者刘新风,国家纳米科学中心研究员,博士生导师。2004年获东北师范大学学士学位。2007年获东北师范大学硕士学位。2011年获中科院大学博士学位。2015年中科院海外人才计划加入国家纳米科学中心。2021年获中组部人才计划支持。目前担任中国科学院纳米标准与检测重点实验室副主任。研究方向为半导体材料微纳尺度光与物质相互作用光谱和物性研究。近年来在Science, Nat. Mater., Adv. Mater., Nano Lett.等期刊上发表论文210余篇,总引用15000余次,H因子61。担任Nat. Nanotech., Sci. Adv., Nano Lett., Adv. Mater. 等国际学术期刊审稿人。任Journal of Physics: Photonics, Nano Materials编委会委员,InfoMat, Materials Today Physics, Materials Today Sustainability, Frontiers of Physics青年编委。通讯作者包吉明,美国休斯顿大学电子与计算机工程系教授,博士生导师。美国物理学会会士,美国光学学会会士。2003年于密歇根大学获得博士学位,导师Roberto Merlin,2003年-2008年在哈佛大学做博士后研究,合作导师为Federico Capasso。2008年加入美国休斯顿大学电子与计算机工程系。主要研究方向为新型纳米材料的制备与纳米光电子学研究。发表文章250余篇,引用量19000,H因子62。通讯作者任志锋,教授,博士生导师。现为美国休斯顿大学物理系M.D. Anderson讲席教授,德克萨斯州超导研究中心主任。1984年在西华大学获得本科学位,1987年在华中科技大学获得硕士学位,1990年在中科院物理所获得博士学位。他的研究集中在具有高ZT值和高功率系数的热电材料、极高热导及载流子迁移率的砷化硼单晶、用于提高石油采收率的纳米材料、电解水产制氢催化剂、用于捕获和消灭SARS-CoV-2冠状病毒的加热过滤器、碳纳米管、太阳能转换材料、柔性透明电子器件和超导材料及其应用等。第一作者岳帅,国家纳米科学中心副研究员。2016年于中科院物理所获理学博士学位,导师翁羽翔研究员。2017年-2020年在电子科技大学-美国休斯顿大学从事博士后研究,合作导师王志明教授和包吉明教授。2020年加入国家纳米科学中心。长期从事超快光谱研究。在Science, PNAS, Nature Materials 等期刊上发表论文20余篇,申请专利5项。第一作者田非,中山大学材料科学与工程学院教授,博士生导师。2012年本科毕业于南开大学物理科学学院,2013年进入美国休斯顿大学物理系攻读博士学位,导师是任志锋教授。2018年获得博士学位后,继续在任志锋教授课题组从事博士后研究。2020年起加入中山大学材料科学与工程学院。长期从事新型散热材料的合成和制备,基本性质的表征和分析,以及相关应用的设计和开发。目前已在国际主流学术期刊发表论文三十余篇。

二硼化钽相关的仪器

  • GASTEC快速气体检测管无论何时由于不用分析仪器和化学药剂,省略了测量前的准备工作,无论何时都可以进行测定。无论何地极为小巧便于携带,只要有微量的空气就可以进行测定,最适合于现场测定。无论何人测定的操作非常简单,无论专业人士或非专业人士。多种气体GASTEC快速气体检测管可以检测多达300余种气体。检测快速测定的结果几分钟就可得到,可以立即转入下一步操作。过程安全日本GASTEC快速气体检测管不用电源,热源,不产生火花,即使有易燃易爆的气体存在,也可以确保操作安全。选型指南型号被测物质分子式可检测范围 ppm19LA砷化氢AsH30.04-1021羰基硫COS5-20021LA2-12522乙硼烷B2H60.02-5.023M二氧化氯ClO20.1-1023L0.025-1.2
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  • 借助Sievers 超纯水硼分析仪对硼进行持续的在线监测Sievers硼分析仪可用于去离子超纯水应用,实现对超低硼含量的连续自动在线监测。该分析仪每小时能够检测10个样品,具有15 ppt硼的检测极限(LOD)。Sievers硼分析仪设计用于满足设备管理人员、去离子水工程师和晶圆制造工程师的需求。易于操作和维护Sievers硼分析仪可以预测混床失效、优化EDI性能并控制抛光循环水的硼水平。这款硼分析仪可以在二氧化硅释放前检测到硼含量的增加,这有助于防止二氧化硅渗漏到超纯水中。Sievers硼分析仪可显著降低运营成本,保持超纯水系统的质量。硼分析仪的特点与优势在极具挑战的应用中提供更高的可靠性和更长的正常运行时间 连续在线监测低至15 ppt的硼多流路选项——最多四个样品流丰富的输出选择——四个独立的4-20 mA输出,一个独立的RS-232,一个通用并行打印机端口,两个报警输出和四个独立的二进制输出最少的维护与耗材需求配件包包含安装所需的配件应用半导体超纯工艺水超纯水电力应用运行规格浓度范围0.015至20 ppb B检测限(LOD)0.015 ppb B准确度± 0.01 ppb B 0.05 ppb B± 15% 0.05 ppb B精确度± 3%或0.005 ppb B(以较高者为准)最小样品电阻率15 megaohms–cm样品温度15°-40°C样品流速0.1 -0.5 L/分钟环境温度10°C–40°C样品压力20-100 psig(138-689 kPa)校准稳定性通常12个月样品颗粒15微米样品预过滤废物重力排放(无背压)仪器规格输入5个隔离二进制输入输出4个独立4-20 mA输出,1个独立RS-232,1个通用并行打印机端口,2个报警输出,4个独立二进制输出尺寸20.625 H x 17.25 W x 12.25 D英寸(53 x 44 x 31 cm)重量48 lbs(22kg)认证CE(点击此处获取符合性声明)耗材硼试剂90天(12分钟取样率)45天(6.5分钟取样率)试剂柱12个月零柱12个月
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  • 1.中瑞祥大棚二氧化碳补充机 二氧化碳发生器 智能型二氧化碳气肥增施机型号ZRX-18025 产品特点: 1、原料方便购买,使用成本低 利用碳酸氢铵受热分解,原料产气量为1:0.55,转换效率最高,使用成本最低,各地用户都方便使用。 2、智能操作,安全可控 通电产气,自动保护,反应完成自动停止、报警。 3、产气均匀,适用面广 设备产气均匀,可满足于1000㎡一下各类温室、大棚二氧化碳补充,广泛适用于育苗、果蔬种植、食用菌、花卉、烟草、芽菜等作物生产,以及水果保鲜等领域。 4、系统可扩展,链接于智能温室控制系统 功率:900W 产气量1.1kg/h 适用面积:300-800平米2.新品水平旋转仪梅毒振荡器水平梅毒旋转仪 VDRL-血清样品水平旋转摇床 RPR 梅毒振荡器 ZRX-18331 水平旋转仪 梅毒振荡器 采用直流无刷电机技术以及微电脑控制技术,融入人性化设计,操作简单实用。水平旋转仪应用于梅毒 RPR、TRUST、VDRL 的筛查和检测试验等,适用于混匀各类培养皿、酶标板等平板型实验器皿,也可应用于胶乳反应及补体结合反应、临床其它生化试验的混匀;妇幼保健院、血站、性病防治中心、医学教育科研单位、卫生防疫站等部门进行混匀试验的器。仪器满足基本要求:1、 水平状态转速符合 100r/min±2r/min,或 180r/min±2r/min 的要求。2、 时间控制精度符合±1s/min 的要求(4min±4s,8min±8s)。3、 数字化电子控制部件可预设 RPR/TRUST 和 VDRL 实验的固定反应程序。4、 水平样品托盘附有夹槽用于固定反应板,避免在旋转时反应板滑出水平旋转仪。5、 不应使用旋转式调节装置(数显)的水平旋转仪。适用于 RPR/TRUST 试验反应程序:转速 100r/min、8min;适用于 VDRL-CSF 样品的反应程序:转速 180r/min、8min;适用于 VDRL-血清样品的反应程序:转速 180r/min、4min。 3.足趾容积测量仪 解热抗炎药物筛选和鉴定 大鼠足部肿胀测量仪 型号ZRX-30732设备带USB接口 足趾容积测量仪是用于解热抗炎药物筛选和鉴定的仪器,是一种通过测量大鼠足趾致炎肿胀后的消肿过程来评价药物的效价,了解药物作用时间和药效规律的仪器。该仪器有测量准确、计时准确,设备带USB接口,可将实验数据导出到U盘,方便数据统计。实验数据本机可储存,带分组功能。 技术参数1、一体化成型机壳。2、显示:5寸触摸屏3、显示分辨率:360万4、测量容积范围:0~130ml5、测量误差:≤±10μl6、显示分辨率:0.001ml7、测量精度:0.01ml8、校零误差:≤±3μl9、石英测量筒内径为:φ=50mm (可拆卸清理)10、测量筒最大盛水量:130ml (水质不限)11、内电式时钟连续运行:10年12、时钟误差:0.083秒/小时13、配脚踏控制开关,无需动手可锁定读数14、带USB外部存储功能,实验数据方便导入EXCEL 4 碳酸钡、氧化锌、橡胶助剂、碳黑微电脑控制颗粒强度测定仪/自动颗粒强度检测仪 型号ZRX-11196 数字显示,电动加压,微电脑控制,自动计算平均值。 适用范围 测碳酸钡、氧化锌、橡胶助剂、碳黑、包衣烟籽等可选用4牛顿或8牛顿; 测颗粒肥可选用80牛顿;测催化剂及颗粒饲料可选用80-300牛顿。 可选设备 TPMP-16B打印机 量程 分度值 精度 4N 0.01N ±1.0% 8N 0.01N ±1.0% 80N 0.1N ±1.0% 150N 1N ±1.0% 240N 1N ±1.0% 300N 1N ±1.0% 500N 1N ±1.0% 5. T10361谷物降落值测定仪/降落值检测仪 小麦、黑麦及其面粉、杜伦麦及其粗粒粉降落数值的测定法型号H16844 降落值测定仪是测定谷物中淀粉酶活性的专用仪器,可准确判断谷物的发芽损伤程度,适用于谷物、尤其是小麦粉的测定,是粮食贮藏、面粉加工、食品加工等领域中进行质量检测的必备仪器。用户可根据实际需要选择带打印和不带打印功能。 降落值仪的方法原理:谷物粉(如小麦粉)的悬浮液在沸水浴中迅速煳化,并因其中α—淀粉酶活性的不同而使煳化物的淀粉不同程度的被液化,液化程度不同,搅拌器在煳化物中下降速度不同,降落值的高低也就表明了相应的α—淀粉酶活性的差异。降落值愈低表明α—淀粉酶的活性愈高。降落值是以搅拌棒在煳化液自由下降一段特定高度所需的秒数来表示的。 降落值仪的技术参数(执行GB/T10361-2008《小麦、黑麦及其面粉、杜伦麦及其粗粒粉降落数值的测定法》标准):搅拌棒质量:25±0.05g水浴桶加热管:600W粘度管:内径 21±0.02mm外径:23.8±0.25mm内壁高:220±0.3mm重复性:两次测定结果之差不得超过平均值的10%仪器尺寸:420×340×350mm仪器重量:25kg工作电压:AC 220V 50Hz 6.针式和面机 H17971面包、蛋糕、饼干、馒头、面条 产品概述及特点 概述:H17971针式和面机是实验室中制备试验面团的设备。将适量的面粉和相应的配料混合后,可以制成适用于面包、蛋糕、饼干、馒头、面条等产品的 面团。配合系列的面团成型机、醒发箱、烤炉、试验面条机等产品可以快速、可靠、简便地获取您所需要的烘焙成品。 特点:t针式和面机搅拌迅速、均匀,面团中的面筋扩展充分 t面团表面光洁,手感柔和 t针式和面机各机构定位准确,工作可靠 t针式和面机面钵可上下移动,方便加入物料和取出面团 t针式和面机有精确的记时、定时机构可对和面时间进行记录和限定 三、产品技术参数 1、仪器工作条件:电源电压:电压交流AC220±10V,频率50/60HZ;环境温度:15℃-45℃;环境相对湿度:10%~85% 2、电机功率:410W 3、样品量:200g(可选配300g搅拌碗) 4、搅拌碗采用防粘涂层处理 5、采用针式和面,搅拌均匀 6、主轴转速104rpm 7.恒温恒湿醒发箱 采用微控制系统 面团成型机、醒发箱、烤炉、试验面条机型号H17972 一.产品概述及特点 概述H17972醒发箱适用于将揉和成形的面团在要求的温度和湿度下进行醒发;亦可用于系列拉伸仪的醒发过程。 特点:t采用微控制系统对整个醒发环境的温度和湿度进行了精确控制 t风机送分平稳,较高的工作效率使得箱内空气每分钟循环10次以上,保证箱内各处温湿度具有很好的均衡性 t双屏温湿度分离显示,直观明了,触摸人机交互设计参数设置便捷 二、产品技术参数 1、仪器工作条件:电源电压:电压交流AC220±10V,频率50/60HZ;环境温度:15℃-45℃;环境相对湿度:10%~85% 2、电机功率≤2000W 3、醒发箱内膛容积不小于0.3m3 4、温度控制范围:(室温+5℃)--40℃ 5、控温精度:±1℃ 6、相对湿度控制范围应在70-90%之间,控湿精度:±5% 7、温湿度分屏独立显示,直观明了 ★8、温湿度通过5英寸彩色触摸屏设置,方便快捷 9、在20℃室温升温到工作温度时间不超过1小时 10、风门应可调节,使各工位温湿度控制均匀,温差不超过±1℃ ★11、蒸发室水温自动控制、自动补水 12、装有玻璃观察门,可随时观察样品的醒发状态 13、配有标准面包听8个,满足国家标准制作面包的需求 8.漏电探测仪/漏电报警仪/手持式漏电探测仪用于鉴别电源断路或短路 型号ZRX-22568 参数探测电压:120V/60Hz或220V/50Hz 7.2Kv/50Hz或15kV/50Hz尺 寸:45×520mm特 性:无需接触电源即可探测安全距 离范围内的交流泄漏电源,接 近泄露电源时,声光报警,灵 敏度可调用途用于鉴别电源断路或短路 9.智能铸造造型材料发气量测试仪 铸造型砂,粘土砂,树脂砂,覆膜砂等材料型号:WSP-CET-2000 WSP-CET-2000智能铸造造型材料发气量测试仪简介 (一).概述   WSP-CET-2000智能铸造造型材料发气量测试仪是采用微型计算机控制的智能分析检测仪器,将先进的电子技术,计算机技术以及传感技术等应用于造型材料发气性的检测中,利用气体压力测量原理,实现发气量的自动测量,液晶屏适时显示发气全过程,打印分析结果。仪器具备中文菜单显示选择功能,操作简便,满足树脂砂发气量的检测。主要检测铸造型砂,粘土砂,树脂砂,覆膜砂等材料的发气性能(二).仪器特点与技术性能2.1仪器主要特点:2.1.1检测及电路处理系统设计合理、抗干扰能力强、显示数据稳定、分析结果准确、可靠。2.1.2中文操作菜单,兰摸点阵液晶屏幕显示采用汉字画面、界面清晰。操作简单、方便。2.1.3分析过程动态显示各项实时数据和释放曲线。设计有结果储存、查询、打印等功能。2.1.4系统对主要技术参数进行密码保护,非技术专业人员,不可修改或修正。2.1.5仪器能对炉温、压力测量端温度进行自动测量和显示,并利用数字PID调节和自动温度补偿技术分别对高温分解炉和压力测量系统进行自动控制,使分析结果稳定可靠。2.1.6压力传感器须采用美国进口件,可对常温和高温下的发气量进行数椐采集处理,数据稳定可靠。2.1.7对测量系统的温度进行恒温控制,应能稳定控制在105℃上。免除水分冷凝等因素对发气性的影响,以使测量结果更准确,更真实。2.1.8仪器能自动保存实验数据。在关机、停电的情况下,仪器已采集的所有数据仍能完整地保留在计算机系统内,以便进查询及打印输出。2.2主要技术指标1.测量范围 0~200ml/g;2.测量精度 ±1.5%FS;3.分解炉温度 600~1200℃,精度1级;4.测量系统温度 室温--120℃,精度1级;5.定时范围 0~180秒;可以根据发气情况设定;6.工作环境温度 -5--45℃;湿度 85%;周围环境应相对稳定。7.额定功率 不大于 4kW;8.电源电压 AC220V±10%,50HZ; 10暗适应检测仪 暗视力测试仪 型号HAD-01A也可用于正常视力的测试,是机动车 驾驶员驾驶适性检测系统测试设备之一 暗视力检测仪用于检测被试者受强光刺激后的暗适应能力,也可用于正常视力的测试,是机动车 驾驶员驾驶适性检测系统测试设备之一。人眼在光线发生明暗变化时有较长一段的视觉适应时间,即 视力由弱到强的过程,这就是暗视力。 这项检测是驾驶人在光适应之后,进入黑暗条件,再在有效时 间内对当前信息进行识别,根据识别时间长短评判驾驶人的暗视力水平。 功能特点: 可以进行常视力测试、可以进行矫正视力测试 可进行主、客观方式的选择;快速暗适应时间的测定; 眩光照眼后暗适应恢复时间的测定 主要技术参数: 符合TB/T3091-2019、GB18463-2001、GBZ188-2014 显示屏:2.8寸TFT_LCD触摸屏、分辨率240*320 面板:智能触摸按键设计,IC卡身份识别 视力范围:0.1-1.5 视标方向:上/下/左/右(采用Landolt环型视标“C”型) 光刺激亮度:5700cd/m2 ± 380cd/m2 视标亮度:280cd/m2± 28cd/m2 暗适应视标亮度:0.1cd/m2~0.15cd/m2 光刺激时间:30±1s 电压:AC220V/50Hz 通讯方式:RS232和RJ45 以上参数资料与图片相对应
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二硼化钽相关的耗材

  • 碳化硼磨料
    碳化硼是非常坚硬的材料,摩氏硬度为9.3,并是继氮化硼、金刚石、富勒烯化合物和钻石整体纤管后的第五种已知最硬的物质。与酸碱不起反应,耐高/低温,耐高压,密度&ge 2.46g/cm3,显微硬度&ge 3500kgf/mm2,抗弯强度&ge 400Mpa,熔点为2450℃,是极佳的磨料材料。 货号产品名称规格50510-08Boron Carbide Powder, 8 micro m 碳化硼粉1 lb50510-10Boron Carbide Powder, 10 micro m1 lb50510-14Boron Carbide Powder, 14 micro m1 lb50510-18Boron Carbide Powder, 18 micro m1 lb50510-23Boron Carbide Powder, 23 micro m1 lb50510-35Boron Carbide Powder, 35 micro m1 lb50510-42Boron Carbide Powder, 42 micro m1 lb50510-50Boron Carbide Powder, 50 micro m1 lb
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  • 碳化硼研磨微粉
    碳化硼研磨微粉适于UNIPOL系列研磨抛光机的研磨使用。技术参数粒度W3.5、W7、W10、W14、W20、W28

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