掺杂铅的

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掺杂铅的相关的资料

掺杂铅的相关的论坛

  • 【求助】如何表征掺杂材料掺杂成功了呢

    小虾米,跪求如何表征掺杂材料已成功掺杂了呢?我用溶胶凝胶法在二氧化硅中掺杂硝酸铕,烧成后,得到荧光材料,怎么才能知道铕是成功掺杂,还是只是得到的二氧化硅和硝酸铕烧后的混合体呢?已做了分子荧光测试,有铕的特征发射峰的。望论坛里的高手指点啊,谢谢!

  • 有关掺杂问题

    为何F元素掺杂相比于Cl,Br元素掺杂,只有F元素使得晶格参数变大,而Cl,Br掺杂反而使得晶格参数变小?

  • 关于离子掺杂的表征

    目前在功能材料的离子掺杂改性中,考察离子掺杂的效果时,往往通过XRD来看结构有无变化,但由于掺杂量很小,实际上是没有办法考察的,大家有什么好的方法来判断离子掺杂是否进入所指定的晶格位置?请指教啊!

掺杂铅的相关的方案

  • 使用近红外和掺杂物筛查功能快速检测酸奶糖中的掺杂物
    三聚氰胺是牛奶中一种常见的掺杂物,它能提高氮含量,因此给人一种蛋白质含量提高的假象从而获得高的市场价格。三聚氰胺掺杂可以说是致命的,2008年中国有6名婴儿死于三聚氰胺掺杂奶粉并且导致数千人生病。因此,在全球发布了更严格的法规和改进的检测方法,其中包含了运用PerkinElmer DairyGuardTM食品分析仪的方法对奶粉进行检测。然而,三聚氰胺掺杂的案例仍然发生在其它的奶制品中。2014年中国的广东省查获25吨酸奶片糖含有三聚氰胺。下面的内容就是关于用近红外NIR的检测方法检测酸奶糖中的三聚氰胺掺杂。近红外光谱(NIR)与掺杂物筛查方法(Adulterant Screen)结合是一种检测酸奶糖中三聚氰胺掺杂物的快速简单的方法。掺杂物筛查的软件能够准确的预测三聚氰胺的浓度水平以及识别出其它潜在的掺杂物。快速实现对酸奶糖和类似产品的方法开发
  • 使用近红外和掺杂物筛查功能快速检测酸奶糖中的掺杂物
    三聚氰胺是牛奶中一种常见的掺杂物,它能提高氮含量,因此给人一种蛋白质含量提高的假象从而获得高的市场价格。三聚氰胺掺杂可以说是致命的,2008年中国有6名婴儿死于三聚氰胺掺杂奶粉并且导致数千人生病。因此,在全球发布了更严格的法规和改进的检测方法,其中包含了运用PerkinElmer DairyGuardTM食品分析仪的方法对奶粉进行检测。然而,三聚氰胺掺杂的案例仍然发生在其它的奶制品中。2014年中国的广东省查获25吨酸奶片糖含有三聚氰胺。下面的内容就是关于用近红外NIR的检测方法检测酸奶糖中的三聚氰胺掺杂。
  • 使用傅里叶近红外 光谱仪检测牛油果 油的掺杂情况
    目前市面上已经开发了几种检测牛油果油掺杂的分析方法。许多分析方法都依赖于色谱技术,但这类方法可能需要耗费很长时间制备样品,并可能产生有害的化学废物。3 与之相比,近红外光谱技术与掺杂物筛查™ ( Adulterant Screen™ )技术可在不需要溶剂的情况下快速检测牛油果油的掺杂情况。当前采用近红外光谱技术的靶向掺杂物筛查方法,需要依据各类潜在的掺杂物建立相关的定量校准模型。此外,诸如SIMCA(软独立建模分类法)算法等非靶向筛查方法可以确定样本是否被掺杂,但既不能确定掺杂物,也不能量化掺杂物。另一方面,珀金埃尔默的掺杂物筛查算法提供了一种可以快速识别和估算掺杂情况的半靶向筛查方法。

掺杂铅的相关的资讯

  • Hf 掺杂BiSbTe3 结构与热电性能研究
    Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间, 而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的 结果是可靠的.Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间, 而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的 结果是可靠的.2.2 电学性能 样品的Seebeck 系数(&alpha ) 测量结果如图2 ,从 图中可以看出,所有样品的Seebeck 系数均为负值, 具有电子导电的特征,这说明样品为n 型半导体. Hf 掺杂后,其绝对值有明显增加,特别是在300 -Hf 掺杂BiSbTe3 结构与热电性能研究 刘福生,敖伟琴,罗锐敏,冯学文,张文华,李均钦 (深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060) 摘要:以高纯町、Bi 、Sb 和Te 为原料,在1000ce 下,经10 h 氧气保护熔融状态下反应,冷却球磨 制粉,再在氮气保护下进行热压(450ce , 20 MPa) ,成功制备出一系列不同Hf 掺杂量的Hf2x ( Bi ,Sb) 2 -2xTe3 化合物.X 射线粉末衍射Rietveld 分析说明, Hf 在结构中占据6c 品位,以替代(Bi , Sb) 的形式进入品格. Hf 掺杂引起BiSbTe3 的Seebeck 系数增大,电导率降低.功率因子在375 K 时达最大值526&mu W/mK2 &bull 关键词:热电性能 给 Bi2Te3 Seebeck 系数 功率因子 中图分类号: TB 39 文献标识码:A Bi2Te 3 及其固溶体合金是研究最早,也是目前发展最为成熟的热电材料之一. 目前使用的大多数热电制冷元件均采用这类材料.研究表明Bi 2 Te 3 能分别与Bi2 Se 3 和Sb2 Te3 在整个组分范围内形成连 续固溶体,通过这种方式能使材料的热电优值得到明显提高[1J 另一种提高Bi2 Te 3 基热电性能的方式是对Bi 位原子进行掺杂,以提高声子散射,降低热导率.已有学者分别对Sn[2 J 、Pb[3 J 、Ga[4 J 和CU[5 J 等掺杂的Bi2 Te3 基化合物的性能与微结构进行研究,其热电性能有不同程度的提高. Hf 是稀土元素后的第一个元素,也是一种非常重要的热电元素,其原子量大,且其原子、离子及共价半径比稀土元素小,有利于掺杂提高声子散射,对Hf 掺杂 的Bil凶b3 结构与性能进行研究有重要意义. 1 实验方法 采用纯度为99.99 £ 3毛给( Hf) 、锦(Sb) 、铭( Bi) 及纯度为99.999 £ 3毛的暗(Te) 为原料,按Hi&mu Bi ,Sb ) 2 -2xTe3 (x =0 -- o. 05 )化学计算比进行称量,每个试样重6 g. 将配备好的试样装入石英 管并抽真空(真空度低于6 X 10 -3 Pa) 后,充入高纯氧气(约0.2 MPa) 封管,然后置入装有Si02 粉末的增塌中,得石英管竖立,置于箱式高温炉中,在1000ce下,经10 h 氧气保护熔融状态下反应,再经96 h 缓慢冷却至室温.理后的样品再经过球磨,热压烧结(450ce , 20 MPa). 样品结构分析采用Br此er - Axs D8 Advance 18kW 转靶X 线粉末衍射仪(CuK&alpha ) 进行.样品的Seebeck 系数与电导率的测量在ZEM -2 型热电性能测试仪上进行. 2 结果与讨论 2.1 X 射线粉未衍射分析 热压后样品的X 射线粉末衍射(XRD) 图谱 如图1 所示.从图中可以看出,不同掺杂量的样品 具有相同的衍射峰分布,为Bi2 Te3 型(空间群:R-3m) 结构的单相样品,未发现与Hf 有关的杂相 衍射峰,说明Hf 成功地掺入了BiSbTe 3 的结构中. 对样品的衍射图谱Rietveld 精修结果如表1 所示. Bi2 Te 3 基化合物晶体结构沿C 轴方向看,可视 为六方层状结构,同一层上具有相同的原子,按六方排列,各层按:&hellip Tel - Bi - Te2 - Bi - Tel · · · Tel - Bi - Te2 - Bi - Tel ...顺序排列,二个邻近的Tel原子层间以范德华力结合,层间距约为0.25 nm ,上下二层各3 个Tel 原子形成空的八面体空隙,可 为填充掺杂提供条件.其他层之间以共价键结合[6 J &bull Bi原子填充在由Tel 和Te2 二层原子组成的 八面体空隙中.根据该结构特征,掺杂原子在结构中的占位有两种方式:一是占据Tel 原子组成的八 面体空隙(3b 晶位) ,二是替代Bi 原子的位置(6c 晶位) .一般倾向于认为两种位置均可占有. 根据精修的晶体结构结果,若Hf 填充在3b 晶位,其与Tel 原子的间距约为0.284 nm , Hf 与Te 的原 子半径分别为0.216 nm 与0.146 nm ,且该位置的结合力为范德华力, Hf 在该位置的填充必将使晶体 结构发生明显畸变,随着Hf 掺杂量的增加, Hf2x( Bi ,Sb) 2 -2x Te3 的晶胞参数将会产生明显且急剧的 增加.但Rietveld 精修结果表明,晶胞参数随Hf 掺杂量的增加仅产生微小变化.由于Hf 与Bi、饨的 共价半径差别较小,本文认为Hf 在结构中主要替代(Bi , Sb) ,对晶胞参数的影响较小. 2.2 电学性能 样品的Seebeck 系数(&alpha ) 测量结果如图2 ,从图中可以看出,所有样品的Seebeck 系数均为负值, 具有电子导电的特征,这说明样品为n 型半导体.Hf 掺杂后,其绝对值有明显增加,特别是在300 -Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间,而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的结果是可靠的. 500 K 间, Seebeck 系数随温度的升高先升后降,这种变化关系与Bi2 Te3 基合金的常规变化规律一致: 在o -lOOce 范围内,随温度升高,载流子的浓度增加,但是载流子间的散射作用显著增强,并起主导 作用, &alpha 出现增大趋势 在温度大于100ce 后,进入本征激发范围,载流子浓度迅速增加,引起Seebeck 系数急剧降低.对于(Bi , Sb ) 2 Te 3 单晶,由于Te 的少量挥发,引起结构中Bi 或者Sb 占据Te 的 空位[6] ,产生空穴,因此( Bi ,Sb ) 2 Te3 单晶表现为P型半导体.对于热压合成的( Bi , Sb ) 2 Te3 多晶体, 由于在熔融制备及球磨及热压过程中的表面氧化,氧的溶入会在结构中产生施主能级[叫 而且在球 磨的形变作用下,将会产生更多的Te 空穴, Te 空穴也起施主的作用[8] ,因此热压制备的(Bi , Sb) 2 Te 3 多晶体比( Bi ,Sb ) 2 Te3 单晶有高浓度的施主,从而呈现n 型半导体的特征. Hf 是一种变价元素,可以为+2 、+3 及+4 价,在( Bi , Sb ) 2Te 3 中Hf 可能以低价形式存在,产生空穴,降低了电子浓度.可能由于氧及Te 空位浓度差异的共同影响,不同的掺杂量间不呈现规律性.电导率(&sigma ) 的测量结果如图3 所示,电导率的 变化规律与Seebeck 系数正好相反, Hf 掺杂降低了样品的电导率,电导率随着温度的升高而增加.这 也体现了电导率与Seebeck 系数之间的本质联系. 2.3功率因子 功率因子用&alpha 2&sigma ( 功率因子)衡量热电性能,其计算结果如图4. 结果表明, Hf2x ( Bi , Sb ) 2 -2x Te3 的功率因子在375 K 时有一个最大值,当x = 0.02 时,为526&mu W/mK2 ,是未掺杂BiSbTe3 功率因子(为316 &mu W/mK 2 ) 的1.66 倍.该数值略低于赵新兵等[9J 采用溶剂热方法制备的纳米Bi 2 Te 3 的功率因子(为620&mu W/mK 2 , 393 K).采用气氛熔炼加热压的方法,成功制备出纯相Hf认Bi , Sb) 2 -2x Te3 热电材料. Hf 在结构中占据6c晶位,即以替代(Bi , Sb) 的形式进入晶格.由于表面氧化及球磨效应的共同作用,Hf 掺杂的BiSbTe3为n 型半导体, Hf 掺杂引起BiSbTe3 的Seebeck系数增大,电导率略有降低.功率因子在375K 时有一个最大值为526&mu W/mK2 &bull
  • PerkinElmer推出首个奶粉中未知掺杂成分筛查仪器
    PerkinElmer今日推出了DairyGuard&trade 奶粉分析仪,它是一台专门为食品供应商和生产商所开发的近红外(NIR)光谱仪。DairyGuard是目前可用于检测未知掺杂成分和已知化合物(如蛋白质 、水分和脂肪含量)的唯一系统。DairyGuard结合更快的制备和采样时间,可获得实时结果,从供应链风险直至奶粉的安全和质量整个过程提供高度保护。   随着供应链复杂性及潜在次品收回可能性的增加,食品生产商需要一套现成解决方案,可准确且经济地筛查出奶粉中已知和未知污染物。DairyGuard分析仪所预先设定的奶粉具体分析谱数学模型类似于&ldquo 指纹&rdquo ,无需进行前期仪器配置。DairyGuard在不足1分钟的时间内即可准确地判断出某一批次产品是否可安全地用于后续生产,或是否仍需要进一步的分析。   PerkinElmer食品总监Sharon Palmer指出:&ldquo 许多机构已确认奶粉成分具有掺杂高风险性,因而所有食品生产商亟需采用一套可靠的筛查方法。为了避免食品安全问题,如2008年的三聚氰胺事件,食品生产商必须进行筛查,不仅要筛查已知污染物(如农药和药物残留成分),而且还要筛查可能会成为不安全替代成分的未知污染物。DairyGuard将使食品供应商对其产品成分更具信心,而且,它还有助于确保为消费者提供安全最终产品。&rdquo   Flora研究实验室主任James Neal-Kababick说:&ldquo 红外技术已成为我们工作中的一项重要工具,用以检测营养保健品中隐秘且低成本的掺杂成分。就我们所采用的诸多方法而言,红外分析速度是任何其他方法所无法比拟的,而且,在我们的植物取证工作中,特别是在可用样品极为有限的情况下,其进行非破坏性测试的能力至关重要。我认为,在实验室中配备红外系统就像天平一样,是基础工具。我很难想象实验室没有红外系统。PerkinElmer技术,如DairyGuard中的红外系统,帮助我们解决了所遇到的一些最复杂的食品及营养品污染实例。&rdquo   为食品杂货制造商协会(Grocery Manufacturers Association, GMA)进行的2010 A.T. Kearney研究表明,一件掺假事件的花费平均占到公司年收入的2%-5%。在人力及技术方面进行投资以确保简化筛查方法,这可使加工商和生产商避免污染物对客户及公司声誉所构成的威胁。
  • 福建物构所等调控局域电子结构实现稀土掺杂双钙钛矿高效近红外发
    近年来,无铅金属卤化物双钙钛矿Cs2Na(Ag)InCl6材料因组份易调控、合成简便及毒性低等特性,而备受关注,在照明显示、光电探测及光伏等领域表现出广阔的应用潜力。目前,该材料的研究主要局限在可见光波段,近红外(NIR)波段存在发光效率低的瓶颈,制约进一步的应用开发。   针对此问题,中国科学院福建物质结构研究所和闽都创新实验室研究员陈学元课题组,通过在Cs2NaInCl6中引入稀土离子Yb3+和Er3+作为近红外发光中心,实现高效近红外发光(图1)。   Cs2NaInCl6:Yb3+的最佳量子产率为39.4%,相比Cs2AgInCl6:Yb3+ 材料提升了142.2倍。科研团队通过第一性原理计算和Bader电荷分析,对比研究了Cs2NaInCl6:Yb3+和Cs2AgInCl6:Yb3+两种材料的局域电子结构(图2)。Bader电荷分析是一种通过将材料的总电荷分解到原子电荷,得到原子周围电子数,进而计算出原子化合价的方法。该方法应用于材料的电荷特性分析,判断材料内电荷传输过程。研究表明,Cs2NaInCl6:Yb3+中Na+离子的强离子性使其几乎完全电离,导致相邻的[YbCl6]八面体电荷显著局域化,促进了Cl--Yb3+的荷移跃迁。而Cs2AgInCl6:Yb3+中的Ag+由于强共价性形成Ag-Cl共价键,使相邻的[YbCl6]八面体中Cl-的电子波函数向Ag+离域,导致Cl-与Yb3+波函数交叠减小,从而抑制了Cl--Yb3+荷移跃迁过程。   该研究利用温度依赖的稳态和瞬态荧光光谱等手段,观察到Cs2NaInCl6:Yb3+中Yb3+的激发峰相对于基质自限激子的激发峰存在明显偏移(图3)。在低温下,Cs2NaInCl6:Yb3+通过紫外激发,在近紫外-可见光区观察到两个发射峰,波数差约为9766 cm-1,对应于荷移跃迁带(CTB)→ 2F7/2和2F5/2跃迁。以上证据证实了在Cs2NaInCl6:Yb3+中的高效近红外发射来源于其独特的Cl--Yb3+荷移跃迁敏化过程。   科研团队通过共掺其他近红外发光离子如Er3+,实现了Cl--Yb3+荷移跃迁敏化的Er3+离子1540 nm处的近红外发射(图4)。相比于Cs2NaInCl6:Yb3+/Er3+中常规的自限激子敏化,其发射强度增强了1510.2倍,最佳量子产率为7.9%。   该研究为实现高效的稀土掺杂近红外发光无铅金属卤化物双钙钛矿开辟了新途径,有望应用于近红外光通讯、发光二极管和夜视成像等领域。相关研究成果发表在《先进科学》(Advanced Science)上。研究工作得到中科院创新团队国际合作伙伴计划和国家自然科学基金等的支持。图1.Cs2NaInCl6:Ln3+ (Ln = Yb和Er)双钙钛矿高效近红外发光及发光机理示意图。图2.(a)Cs2AgInCl6:Yb3+的Bader电荷分析,(b)电子局域密度和(c)结构示意图;(d) Cs2NaInCl6:Yb3+的Bader电荷分析,(e)电子局域密度和(f)结构示意图。图3.温度依赖的Cs2NaInCl6基质的(a)激发光谱和(b)发射光谱;温度依赖的Cs2NaInCl6:Yb3+的(c)激发光谱和(d)发射光谱;(e)10 K下,Cs2NaInCl6:Yb3+的发射光谱;(f)在Cs2NaInCl6材料中,Yb3+离子的电子跃迁示意图。图4.不同浓度Yb3+和Er3+掺杂的Cs2NaInCl6 的(a)激发谱和(b)发射谱;Cs2NaInCl6:6.9%Yb3+/Er3+在不同Er3+掺杂浓度下,(c)Yb3+和Er3+的积分发射强度,以及(d)994 nm和(e)1540 nm发射处的荧光寿命;(f)Cs2NaInCl6:Yb3+/Er3+中的能量传递示意图。

掺杂铅的相关的仪器

  • 近中红外荧光光谱系统近中红外具体指哪个波段?红外波,是电磁频谱中的重要组成部分。相较于我们常说的可见光波段,是人眼所无法看到的成分。红外辐射覆盖从700nm到1mm的范围,常见地按照波段进行区分,红外分为以下几个部分:近红外(0.751.4μm)、短波红外(1.4-3μm)、中红外(3-8μm)、长波红外(8-15μm)、远红外(15-1000μm),所以近中红外区我们大致概括为700nm到8μm范围。红外与电磁波谱的关系波段波长范围应用领域近红外0.75 - 1.4μm材料科学、光纤通信,医学领域短波红外1.4 - 3μm电信和军事应用中红外3 - 8μm化学工业和天文学长波红外8 - 15μm天文望远镜和光纤通信远红外15 - 1000μm通常用于癌症治疗不同红外区的波段及应用近中红外荧光材料的典型应用——近中红外激光晶体Er:YAG和Cr,Er:YAG激光晶体棒的图片由于3μm中红外波段激光在军工领域、激光理疗设备及环境监测等领域有着重要的应用前景,稀土离子掺杂的固体激光材料因此得到广泛关注及大量研究。较早被研究的材料有基于808nm、980nm激光器激发的Er3+的2.7μm发射(4I11/2-4I13/2跃迁),随着半导体激光器在短波长逐渐成熟,衍生出了Ho3+离子掺杂的LiYF4,使用640nm的激光激发可产生1.2μm(5I6-5I8),2.0μm(5I7-5I8),2.8-3μm(5I5-5I7)均具有较强的荧光,再有硫系玻璃如Ho3+掺杂的Ge-Ga-S-CsI玻璃,在900nm激发下能够发射2.81μm(5I6-5I7)和3.86μm(5I5-5I6)。近中红外客户案例与实测数据1) 掺铒微晶玻璃的中红外荧光光谱在众多激光玻璃材料中,由于Er离子掺杂的氟化物玻璃具有较低的声子能量、优异的中红外透过特性、较高的激光损伤阈值,因此它是目前实现2.7μm波段光纤激光器的候选材料并备受关注,其2.7μm波段发光源于Er3+离子的4I11/2-4I13/2跃迁。采用卓立汉光中红外荧光测试系统,系统组成:980nm激光器、Omni-λ5015i影像校正型红外单色仪、红外镀金反射式样品室、液氮制冷型InSb探测器(光谱响应范围1-5.5um)。掺铒中红外荧光微晶玻璃PL谱测试结果,发射峰在2.7μm左右。2) 近中红外荧光光谱系统配置808nm,980nm激光器掺Er离子样品发射在1550nm,2730nm左右。3) 近中红外荧光光谱系统PbS量子点ns寿命测量及时间分辨荧光光谱碲酸盐玻璃掺杂硫酸锌YAG:Er晶体系统性能及指标稳态测试发射光谱:1-5.5μm(选配探测器拓宽光谱范围)瞬态测试荧光寿命衰减尺度:μs-ms-s(需配置示波器,具体视激发光源而定)激发光源连续激光808nm、980nm、1064nm、1550nm、1940nm等OPO可调谐激光器可选输出范围:3000-3450nm,2700-3100nm,650-2400nm,410-2400nm,210-2400nm。重复频率:20Hz,脉冲:≤6ns,mJ级别的单脉冲能量纳秒固体激光器2940nm,1064nm,532nm等光路切换外置3路激光切换装置,通过推拉装置进行光路切换,无需移动或调整激光样品仓结构红外专用镀金反射式样品仓,带两个激光吸收阱,带高通滤光片插槽样品架标配:液体、粉末、薄膜样品架光谱仪光路结构Czerny-Turner(CT)光路设计,焦距:320mm,杂散光:1*10-5光栅配置配置三块进口光栅,尺寸:68mm×68mm光子计数型探测模块近红外光电倍增管950-1700nm,TE制冷型,制冷温度:-60℃,最小有效面积Ø 1.6mm,增益:1×106,阳极暗计数:2.5×105,阳极脉冲上升时间:0.9ns近红外光电倍增管300-1700nm,液氮制冷型,制冷温度:-80℃,最小有效面积3×8mm,增益:1×106,阳极暗计数:2.5×105,阳极脉冲上升时间:3ns单光子计数器计数率:100Mcps,采样速率:1MB/S,四通道模拟输入:1-10V,通道数:10000时间相关单光子计数器计数率:100Mcps,分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps,通道数:65535模拟信号型探测模块TE-InGaAs探测器800-1700nm,TE制冷型,制冷温度:-40℃,光敏面直径:3mm,峰值响应度:0.9 A/W,配置温控器及前置放大器,温度稳定度:±0.5℃,信号输出模式:电流TE-InGaAs探测器800-2600nm,TE制冷型,制冷温度:-40℃,光敏面直径:3mm,峰值响应度:1.2 A/W,配置温控器及前置放大器,温度稳定度:±0.5℃,信号输出模式:电流LN-InSb探测器1-5.5μm,液氮制冷型,制冷温度:77K,光敏面尺寸:Ø 2mm,峰值响应度:3A/W,配置前置放大器,信号输出模式:电流LN-MCT探测器2-12μm(另有14μm、16μm、22μm选项),液氮制冷型,制冷温度:77K,光敏面尺寸:1×1mm,峰值响应度:3x103V/W,配置前置放大器,信号输出模式:电压锁相放大器参考信号通道,频率范围:50mHz至102kHz,输入阻抗:1MΩ/25pF,输入信号类型:方波或正弦波,相位分辨率:0.01°,相位漂移:低于10kHz 0.1°/℃;高于10kHz:0.5°/℃斩波器频率范围:标配20~1KHz( 10孔),30~1.5KHz(15孔),60~3KHz(30孔),TTL/COMS电平输入输出,频率稳定性:250ppm/℃,频率漂移:1%,输入输出连接器:BNC时序控制器可编程延时发生器脉冲通道个数:6个,一个T(时钟基准),其他为CH1-CH5,单个脉冲周期:最小值100ns(10MHz),最大值1s(1Hz),单个脉冲宽度:≥50ns,脉冲延迟:100ns-1s(基于T通道时钟),脉冲输出高电平:T,CH1-CH2:5±0.5V/20mA;CH3:4.5V±0.5V/100mA(适用于50Ω输入阻抗外设);CH4-CH5:3.3±0.5V/高阻,分辨率:1μs,上升时间:4-6ns电源:USB供电:5V/500mA,通讯接口:USB2.0,输出接口:SMA示波器示波器模拟带宽:500 MHz,通道数:4+ EXT,实时采样率:5GSa/s(交织模式),2.5GSa/s(非交织模式),存储深度:250Mpts/ch(交织模式),125 Mpts/ch(非交织模式)电脑及软件标配电脑标配操作系统Windows系统Omni-Win控制软件稳态测试功能:激发扫描,发射扫描,同步扫描,三维扫描瞬态测试功能:动力学扫描,寿命扫描,时间分辨光谱扫描可选功能:温度控制扫描光学平台阻尼隔振光学平台尺寸(L×W×H):1500mm×1000mm×800mm阻尼隔振光学平台尺寸(L×W×H):1800mm×1200mm×800mm相关文章成果液氮制冷型MCT检测器1、基于全光纤结构的2-6.5μm红外高能量超连续光源输出光谱测量[1] (a) 不同长度的As2S3光纤输出光谱测量 (b) 4m As2S3 光纤在不同输入光能量下的输出光谱2、PPLN晶体中通过温度调谐自由差频产生的连续波2.9-3.8μm 随机激光光谱测量[2]2.9μm-3.8μm可调谐中红外随机激光光谱测量液氮制冷型InSb检测器1、中红外发光硫卤玻璃陶瓷中红外发光研究[3],通过引入Ga2S3纳米晶,极大增强了硫卤玻璃陶瓷位于2.3和3.8μm处的中红外发光强度。下图为440℃不同热处理时间下的硫卤玻璃陶瓷中红外发射光谱测试,浅蓝曲线为主体玻璃陶瓷的发光。硫卤玻璃陶瓷中红外发射光谱2、能量转移相关的Ho3+掺杂Yb3+敏化氟铝酸玻璃的中红外2.85μm发光研究[4]Ho3+/Yb3+ 掺杂氟铝酸玻璃的中红外荧光光谱TE制冷型InGaAs检测器Bi:CsI晶体的超宽近红外发光光谱[5]300K不同激发波长下Bi:CsI 晶体的近红外发光光谱参考文献:【1】Bin Yan etal, Optics Express, Vol. 29, No. 3【2】Bo Hu etal, Science China-Information Sciences , August 2023, Vol. 66【3】Shixun Dai etal, Journal of Non-Crystalline Solids 357 (2011) 2302–2305【4】Beier Zhou etal,Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer, 149(2014)41–50【5】Liangbi Su etal, OPTICS LETTERS , Vol. 36, No. 23, December 1, 2011
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  • 综合概述 ATR7010EO是基于拉曼的食用油掺杂分析仪,可以定量检测食用油掺杂的含量。可用于食用油品企业的研发设计、工艺开发和生产等环节,通过检测食用油的拉曼图谱并作定量分析,帮助用户测试掺杂浓度,确定食用油品的掺杂的关键参数、比例,提升食用油产品质量,实现企业高效、安全、稳定的放大生产。ATR7010EO是奥谱天成顺应市场食用油掺杂检测需求全新研制推出的一款拉曼光谱仪,它采用制冷型高灵敏度CCD,使得仪器具有良好的环境适应性,可根据用户的油品实际情况按照需求进行定制,使之适合于企业生产和实验室食用油品科学研究。 ATR7010EO配备的多功能软件,可实现食用油掺杂的快速分析,支持用户快速提取掺杂所需信息,让用户能更轻松作出后续决策,提升食用油品的质量。产品特点l 定量检测:可对食用油的掺杂含量(0%~100%)进行定量检测。l 安全环保:不用进行复杂化学实验分析,避免操作员接触强腐蚀性、剧毒、易燃易爆等高危化学品,提高安全性;l 高灵敏度:采用高灵敏度的制冷型CCD,可实现低掺杂食用油品掺杂的检测;l 适用性强:仪器设计兼顾体积与性能,满足茶油、大豆油、橄榄油等食用油品的掺杂的检测;l 一键式分析:配备功能强大、界面友好的的光谱分析软件,一键式操作,意味着无论是专家还是初次使用拉曼光谱仪的用户,均可快速和准确采集食用油品数据和分析食用油掺杂。典型应用l 茶油掺杂 ● 花生油掺杂 l 大豆油掺杂 ● 葵花油掺杂 l 橄榄油掺杂 ● 菜籽油掺杂 l 玉米油掺杂ATR7010EO原理食用油作为高效的能量来源,人体每时每刻的生理活动都需要能量的支持。传统食用油掺杂检测方法主要依赖于理化法、色谱法、气质连用法,红外法等检测手段,这些检测方法往往需要繁琐的前处理过程,费时、费力且费用高,且无法确认油品的产地,这对一些企业和单位进行食用油的掺杂检测和产地鉴定造成了一定的困难。拉曼光谱是由印度科学家C. V. Raman在 1928 年发现的一种散射光谱。拉曼光谱能反映分子转动、振动信息。食用油的种类和食用油所含的饱和与不饱和脂肪酸比例有关,食用油的各个特征峰强度分别反应的是饱和与不饱和脂肪酸的含量,所以食用油的掺杂定量实际上定的是饱和与不饱和脂肪酸混合物的比例。仪器信息 仪器外观信息 表2-1 ATR7010EO技术规格
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  • 总览ZBLAN光纤是由ZrF4、BaF2、LaF3、AlF3和NaF等重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比,ZBLAN光纤具有传输波长范围宽(0.35μm~4μm)和掺杂稀土离子发射效率高等特点。对于光纤激光器和放大器的应用,为了优化其效率,通过一种独te的光纤制造技术,筱晓光子推出低成本生产出高质量(特别是低损耗)的氟化物纤维双包层光纤,具有特定的d型芯可以设计和制造定制光纤的激光和放大器Mid-IR supercontinuumLVF非线性单模光纤由于其优良的性能,可以实现非常平坦和宽带的输出光谱。(中红外超连续介质激光器)中红外光谱和光学测量VF提出了用于光学安装的标准单模和多模光纤连接电缆。荧光LVE制造用于荧光研究的定制稀土掺杂氟化物玻璃块。晓光子提供全系列ZBLAN光纤产品,可定制波长0.04μm~0.35μm,纤芯与包层从50μm~1000μm可定制,也可定制红外线解决方案。稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤,稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤 通用参数产品应用光纤激光器光纤放大器类型掺稀土双包层光纤光纤类型双包层氟化物光纤掺杂元素Pr,Nd,Ho,Er,Dy,Tm,Yb,其它掺杂浓度(ppm mol)500-50000包层形状圆,八角形,长方形纤芯数值孔径0.16,0.21,0.26涂覆层数值孔径0.5截止波长(um)2.5芯径(um)2涂覆层直径(um)圆形:123/200/500(直径)八角形:123/200/500(对角线长度)矩形:123/200/500(对角线长度)包层直径(um)460,480,600第二层涂覆层厚度(um)30第二层涂覆层材料氟树脂包层材料UV固化丙烯酸脂实验测试半径1.25cm,2cm,6cm标准型号参考型号稀土掺杂稀土浓度(摩尔ppm)芯径(μm)Core NACutoff(nm)第一层包层直径(μm)包层形状第二层包层直径(μm)CladdingNA包层吸收(dB/m)ZDF-16/250-10E-CEr10,00016±20.12±0.02@ 3500 nm 2850250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm0.3-0.8@ 980 nmZDF-18/250-60E-CEr60,00018±20.12±0.02@ 2700 nm 3400250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm2-3@ 980 nmZDF-30/300-60E-CEr60,00030±20.12±0.02@ 2700 nm 5350300±15圆形460±300.50±0.02@1000nm4-5@ 980 nmZDF-7.5/125-40T-CTm(铥)40,0007.5±1.50.14±0.02@ 2000 nm 1700120±3圆形210±200.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-8.5/125-2H40T-CHo(钬)Tm2,00040,0008.5±2.00.14±0.02@ 2000 nm 2000123±4圆形195±150.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-10/125-30H2.5P-CHoPr(镨)30,0002,50010±10.17±0.02@ 3000 nm 2400123±3圆形210±100.50±0.02@1000nm1-2@ 1150 nmZDF-20/250-40E2.5D-CEyDy 镝40,0002,50020±30.13±0.02@ 3000 nm 4100250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm1-2@ 980 nmZBLAN玻璃的折射率(芯,典型)HBLAN玻璃的折射率(用于包层,典型)ZBLAN玻璃的材料分散性(芯,典型)HBLAN玻璃的材料分散性(用于包层,典型)背景损耗和发射波长通过选择稀土元素和激发波长,得到不同波长的光发射。虽然芯在长波长区域具有较低的损耗,但在第一包层中的传播光在1.7um处造成更大的损耗,而由于吸收用于第二包层的氟基UV树脂而导致更多波长损耗。DCFF配置订购信息例如:DCFF-2/125-P-30-0.21-0.52/125------2=芯径 125=涂覆层直径P ----------P=掺杂稀土元素30 ---------30=第二层涂覆层厚度0.21--------0.21=纤芯数值孔径0.5 --------0.5=涂覆层数值孔径
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