氯代十四烷

p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 目前我国第三代半导体市场和应用前景广阔。一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 半导体设备需求及订单向上拐点或已到来。2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，以下第三代半导体设备公司有望受益。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。中微公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。捷捷微电深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。三安光电2014年5月成立起，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 伴随着国内第三代半导体设备企业技术进步和消费市场前景刺激，第三代半导体产业链将迎弯道超车机会。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " 原文： /p p style=" text-align: justify text-indent: 0em " 原文标题《第三代半导体产业链迎弯道超车机会 科技+消费仍是机构“心头好”》 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 大盘持续震荡考验市场信心，赚钱效应下滑背后机会也更趋于集中。而在结构性机会背后，券商对四季度的机会普遍看好科技 + 消费 。 具体而言，半导体、国防军工、新能源汽车等被频繁推荐。投资者可在震荡中逢低关注上述板块中的龙头标的。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 第三代半导体 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 产业链迎弯道超车机会 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。与第一、二代半导体材料Si、GaAs不同，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，特别是在苛刻条件下备受青睐，在5G、新能源汽车、消费电子、新一代显示、航空航天等领域有重要应用。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 截止目前，A股公司已有45家确有第三代半导体产业链业务，或已积累相关技术专利。华安证券分析师尹沿技指出，由于第三代半导体材料更为优异，与国外差距相对较小，国家希望通过十四五规划，把三代半导体提升至战略高度，第三代半导体可能成为我国半导体产业发展弯道超车机会。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国海证券分析师吴吉森认为，一方面，第三代半导体下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域，另一方面，第三代半导体产品主要使用成熟制程工艺，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。建议投资者关注北方华创、华峰测控、中微公司 器件领域重点关注斯达半导、捷捷微电、三安光电、闻泰科技、华润微，扬杰科技等。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 北方华创(002371)进一步加码主业 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖全球主要国家和地区。海通证券指出，2018年中国大陆市场设备投资额创历史新高，达到128.2亿美元，成为全球第二大的投资区域，预计2020年中国大陆设备投资将增长至170.6亿美元，未来依然是全球设备投资的主要地区，中国集成电路装备产业也将迎来一个“黄金时代”。公司非公开发行募集资金约20亿元将投入“高端集成电路装备研发及产业化项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”的建设，进一步加码在高端集成电路设备领域的布局。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中微公司(688012)细分领域领军者 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司日益提升的国际竞争力和半导体设备产业需求复苏、本土晶圆厂扩产及技术成熟、5G产业发展为公司带来的新机遇。相比于成熟发展阶段的海外龙头，公司正处于市场地位快速提升的高成长阶段，同时其突出的技术及研发实力在本土企业中稀缺度很高。虽然估值存在较高溢价，但作为中国高端装备的“核心资产”，其投资价值仍值得关注。华泰证券指出，半导体设备需求及订单向上拐点或已到来，2020年行业有望较快成长，新增需求源自5G商用推动全球存储扩产及中国大陆整体晶圆、封测产能扩张，其中刻蚀、薄膜沉积设备受益程度较高，公司作为国产刻蚀设备领军者有望受益。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 捷捷微电(300623)业绩增长有基础 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司深耕功率半导体行业25年，是国产晶闸管第一大供应商。公司立足功率半导体，在晶闸管基础上不断拓展产品品类，公司有望随着功率半导体的国产化替代加深实现持续快速成长。开源证券指出，2019年中国的功率半导体市场达到 144.8亿美元，主要市场份额为英飞凌、安森美、德州仪器等海外企业占据。MOSFET和IGBT作为功率半导体分立器件的最主要品种，国产替代空间巨大。2019年MOSFET占公司整体营收的15%，公司通过定增项目加码MOSFET、IGBT、新型片式元件、光电混合集成电路封测等产能建设，为业绩增长打下基础。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 三安光电(600703)拐点有望到来 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司2014年5月成立三安集成，正式涉足半导体产业，填补了我国二代、三代化合物半导体砷化镓/氮化镓市场的空白，同时布局新兴 Mini/ Micro-LED芯片产业。公司即使在行业低谷，也依旧保持领先整个行业的利润率。申万宏源证券指出，三安集成业务与同期相比呈现积极变化，已取得国内重要客户的合格供应商认证，各个板块已全面开展合作，2019全年实现销售收入2.41亿元，同比增长40.67%。当前是公司利润率底部区间，行业供需改善拐点有望到来，长期看好公司LED新需求及化合物半导体的发展。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 国防军工 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 行业迈入价值成长阶段 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 二季度业绩明显回暖后，国防军工行业三季度业绩增长确定性依旧较高。可以看到，军工行业计划性更强、下游客户军方需求确定性更高、产业链相对封闭，科研生产的组织更加严密，受经济环境的影响相对较小。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 有行业分析师指出，军工板块逐步迈入价值成长阶段，基本面研究的重要性将越来越重要，标的股价走势与基本面关联度越来越高，自下而上选股将成为获得超额收益的关键。横向比较其它制造业，军工行业的优势在于长期成长确定性。比较而言，部分国家重点建设的装备、部分渗透率显著提升的产品、部分业务开拓能力强竞争优势突出的企业需求增速将显著领先于整个行业，选择这类高成长性的标的是核心策略。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 高景气叠加改革持续推进，国防军工行业基本面持续向上的确定性强。国海证券分析师苏立赞指出，建议关注景气度高、确定性强、业绩有望持续兑现的方向如主战装备上量、航空发动机、军工信息化等，以及具有较强改革预期的相关标的。具体来看，主战装备上量，一流军队建设需要大批先进武器装备的支撑，在装备补短板和型号上量的过程中，主战装备龙头及配套企业前景明确。建议关注中直股份、中航飞机、洪都航空、中航沈飞、中航机电等。航空发动机方面，随着新装和替换需求旺盛，预计未来十年国内军用航空发动机市场规模有望达数百亿美元。建议关注航发动力、航发科技、航发控制、华伍股份、钢研高纳等。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中直股份(600038)有资金注入预期 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是直升机制造龙头，我国军用直升机总量仅为美国的1/6，直-20作为中型通用机型，参考“黑鹰”系列直升机在美军作为主力机型的装备比例，保守估计市场空间达680架。直-20有望加速列装，公司作为部件供应商将持续受益。开源证券指出，航空工业集团直升机板块仍有哈飞集团、昌飞集团的总装直升机整机与试飞业务、直升机运营及维修业务以及中航直升机设计研究所(602所)等资产在上市公司体外，资产质量相对优质。考虑到同类资产合并仍是大势所趋，未来公司体外资产的有望注入将带来上市公司盈利规模的提升和关联交易削减所致的盈利能力增强。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 中航机电(002013)平台优势明确 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司背靠航空工业集团，2012年以来经过多次资产重组和整合，成为航空工业集团旗下航空机电系统的专业化整合和产业化发展平台，航空机电产品是公司最主要的业务。华创证券指出，公司航空机电产品有望保持稳健增长趋势，随着更加聚焦航空机电主业以及不良资产的剥离，公司盈利能力预计将有所提高，毛利率或将有所改善，期间费用率预计保持平稳略有下降。同时公司目前作为航空工业集团下属航空机电系统专业化整合和产业化发展平台的地位明确，体外尚有武汉仪表、609所和610所等优质企事业单位资产，未来资产整合仍可预期，优质资产的注入将进一步提升公司的质量。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 航发动力(600893)受益庞大市场需求 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是国内唯一军用航空发动机产品涵盖涡喷、涡扇、涡轴、涡桨、活塞全种类的企业，是三代主战机型发动机国内唯一供应商。全年业绩在紧密的生产交付节奏下仍将保持稳定较快增长。中信建投证券指出，我国军机正处于更新换代阶段，老旧机型换发与新机列装需求日益旺盛。大涵道比航发实行军民两用为未来发展趋势，公司现有技术或产品进军民用市场亦可期待，预计未来20年，我国民用市场航空发动机需求约为400亿美元。公司作为中国航空发动机集团整机上市平台，将直接受益于军民机庞大市场需求与政策资金红利，我们强烈看好公司未来发展前景。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 华伍股份(300095)业务快速增长 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是军机和航空发动机产业链重要配套企业，受益于主战装备上量，军工任务饱满，相关业务快速增长。2020年上半年公司航空零部件业务收入同比增长109%，业务进入快速增长期。随着主机厂规模不断扩张，公司迎来重大发展机遇，且公司正推进飞机零部件产能建设，配套层次有望提升至飞机零部件。国海证券指出，军品方面，下游主机厂需求旺盛，公司订单饱满，军工业务有望加速放量。民品方面，公司工业制动器快速增长，特别是风电制动器高速增长，风电抢装过后仍有望保持较快增长 轨交制动器有望成为新的增长点。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 新能源汽车 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 市场数据持续向好 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 从之前中国汽车工业协会发布的8月我国汽车产销数据来看，8月新能源汽车产销量分别为10.6万辆和10.9万辆，同比分别增长17.7%和25.8%，新能源汽车产销量同比保持快速增长。可以看到，2020年上半年新能源汽车市场恢复表现低于行业总体水平。下半年随着更多新车型的投放、新能源汽车下乡活动以及地方政府对新能源汽车消费的支持，新能源汽车市场将持续向好。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 之前工信部修改双积分管理办法，明确2021-2023年新能源汽车积分比例要求分别为14%、16%、18%，并增加引导传统乘用车节能措施、完善新能源汽车积分灵活性措施、丰富了关联企业认定条件等，促进新能源及节能汽车的共同快速发展，利好节能技术领先、新能源发展较快的技术优势企业及相关供应链。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 看好产业链长期成长，布局细分行业龙头。西部证券分析师王冠桥指出，我国新能源汽车规划和规模领跑全球，带动国内产业链同步成长。核心零部件如热管理、减速器等领域，国内供应商有望打破海外固有配套格局。建议关注三花智控、先导智能、精锻科技。电池产业链逐渐复苏，龙头公司强者恒强，四大材料国产供应商有望充分受益，建议关注宁德时代、璞泰来。锂价格磨底，电池级碳酸锂基本逼近锂辉石生产成本，预计未来随着高成本的产能的不断出清和新能源汽车需求的持续增长，锂产品价格有望逐步回暖。看好锂行业龙头公司赣锋锂业。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 潜力股精选 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 三花智控(002050)盈利增长空间打开 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司是全球制冷部件的龙头企业，成立三十年来一直专注于生产和研发热冷转换、智能控制的环境热管理核心零部件。华金证券指出，2017年公司将三花汽零业务并表，开始布局新能源汽车热管理业务。公司汽零产品的客户质量优质，现在已相继成为特斯拉、沃尔沃、戴姆勒、比亚迪、吉利、蔚来汽车等新能源汽车厂商的一级供应商，现有的新能源订单业务也会集中在2020年开始放量。作为特斯拉供应商，公司盈利能力将直接受益于国产Model 3 销量的提升，而且随着Model Y车型的国产化进程加快，将继续开启公司的盈利增长空间。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 宁德时代(300750)竞争力进一步凸显 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司主营新能源汽车动力电池，2019年全球市占率达28%。凭借成本和产品优势，公司积极开拓国内外市场，未来市占率有望进一步提升。公司还积极布局储能产业链上下游，未来有望率先步入储能发展的快车道。随着新能源汽车竞争力提升，预计到2025年动力电池需求量约1013GWh。新时代证券指出，公司竞争力强，经营方面，相比LGC等国际厂商，公司营业利润率持续为正。客户方面，公司成功开拓了特斯拉、大众、奔驰、宝马等国际一流整车厂，反映出公司强大竞争力。随着动力电池不断降本，未来公司的竞争力进一步凸显。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 先导智能(300450)产品市占率第一 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司以薄膜电容器设备起家，2008年切入锂电设备市场，核心设备锂电池卷绕机国内市场份额达60%以上，稳居行业第一。2017年收购珠海泰坦新动力后，可提供前中后段整线生产设备，公司客户包括松下、索尼、三星 SDI、LG 化学、特斯拉、CATL、比亚迪等全球知名企业。申万宏源证券指出，公司拟定增25 亿元用于产能提升，宁德时代将全额认购，交易完成后CATL将持有公司7.29%股权，成为公司战略投资者。引入宁德时代将极大提高公司长期业绩的确定性，伴随CATL扩产公司业绩成长性再次被打开，锂电设备龙头蓄势待发。 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 赣锋锂业(002460)深度绑定特斯拉等 /p p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 公司从中游锂化合物制造起步，后进军上游锂资源，加速拓展下游锂电池生产，目前已形成垂直整合的业务模式。覆盖上游锂资源开发、中游锂盐深加工以及金属冶炼、下游锂电池制造及退休锂电池综合回收利用等多个方面。多个业务板块间通过发挥协同效应，提升资源利用率，公司营运效率及盈利能力。华安证券指出，目前公司氢氧化锂设计产能为3.1万吨，为满足近期市场对电池级氢氧化锂的需求，公司通过发挥自身柔性生产线优势，持续释放产能，2019 年氢氧化锂产能利用率高达99.39%。深度绑定特斯拉、德国宝马、大众等欧美终端车企，氢氧化锂销售未来可期。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/5f2ab726-e026-4904-b781-d5e14f7c5e80.jpg" title=" 半导体材料与器件.jpg" alt=" 半导体材料与器件.jpg" / /a /p

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 密集出台第三代半导体发展政策 /h3 p 　　2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心” 同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟 欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。 /p p 　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从 2004 年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013 年中国科技部在 863 计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。2015年，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，，国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)，推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。 /p p 　　我国在“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。 /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" tbody tr class=" firstRow" td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 政策名称 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 发布时间 /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 相关内容 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《科技部关于举办第七届中国创新创业大赛的通知》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/3 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 大赛设立专业赛事，促进创新方法实践、港澳台创业交流、大中小企业协同创新创业、军民融合以及新能源汽车、第三代半导体等专业领域创新创业 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《第三代半导体电力电子技术路线图》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/7 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p style=" text-indent:28px" 路线图主要从衬底 span / /span 外延 span / /span 器件、封装 span / /span 模块、 span SiC /span 应用、 span GaN /span 应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《工业和信息化部关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录（ span 2019 /span 年版）》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/11 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将 span GaN /span 单晶衬底、功率器件用 span GaN /span 外延片、 span SiC /span 外延片， span SiC /span 单晶衬底等第三代半导体产品纳入目录 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/12 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 明确要求长三角区域加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《中国（安徽）自由贸易试验区总体方案》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2020/9/21 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将第三代半导体产业列入安徽自由贸易试验区发展重点 /p /td /tr /tbody /table p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 此外，地方政府更是密集出台大量政策来响应国家计划，扶持第三代半导体产业发展。2018年，福建省出台9项政策，北京2项。2019年，福建省出台2项政策，江苏省出台1项，北京2项，广东省1项，山东省2项。据CASA统计，2019年1季度，我国各级政府机构涉及第三代半导体相关的政策条文就多达10条（2018年同期18条），政策内容涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，地区包括天津、深圳、济南、北京、厦门、南昌、广州、徐州等8个地区。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 今年更是有消息称大力发展第三代半导体将写入“十四五”规划。在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASA Research不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 分析检测仪器助力第三代半导体发展 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 数字源表源测量单元（SMU）就被视为是可支持第三代半导体材料器件的测试仪器。这种仪器在同一引脚或连接器上结合了源功能和测量功能，它将电源或函数发生器，数字万用表（DMM）或示波器，电流源和电子负载的功能集成到一个紧密同步的仪器中。可以在输出电压或电流的同时，测量电压和/或电流。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 一般说来，SMU测量能力超过类似单台仪器的任意组合。SMU可以进行高精度，高分辨率和高灵活性的测试分析。被广泛应用在 IV 检定、测试半导体及非线性设备和材料等方面的测试方面。这对于吞吐量和准确度尤其如此。源和测量电路的详尽设计知识和工作电路之间的反馈实现补偿技术能实现优秀的仪器特性，包括能针对具体工作条件进行动态调整的近乎完美输入和输出阻抗。这种紧密集成以极高分辨率实现快速源-测量周期。这些优点在半成品晶圆以及成品上进行的半导体测量中最突出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " SiC、GaN等薄膜外延生长后，需要检测薄膜的表面形貌来表征材料生长效果。通常使用高分辨率的透射电镜（HRTEM）检测，它只是分辨率比较高，一般透射电镜能做的工作它也能做，但高分辨电镜物镜极靴间距比较小，所以双倾台的转角相对于分析型的电镜要小一些。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 高分辨X射线衍射是半导体材料表征的标准装备，可用于半导体材料和器件等的研究和生产质量控制。其适用于各种薄膜样品的测试应用，尤其适合外延薄膜和单晶晶圆的结构分析和表征，例如：摇摆曲线分析、倒易空间图、反射率、薄膜物相分析、掠入射表面分析、残余应力和织构分析等。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，光致发光光谱(PL)、原子力显微镜、二次离子质谱（SIMS）、椭圆偏振仪等是第三代半导体的检测的重要仪器。随着国内第三代半导体的研究热潮和产业大面积落地，第三代半导体检测仪器将迎来巨大的市场机遇。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3bb43945-c34d-4a4d-b174-450445394cb6.jpg" title=" 半导体材料与器件.jpg" alt=" 半导体材料与器件.jpg" / /a /p

山东省工业和信息化厅近日起草了《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划（征求意见稿）》（下称《征求意见稿》）并征求公开意见，公开征求意见时间为11月15日至11月19日。 《征求意见稿》提出，到2025年，碳化硅、氮化镓等关键材料国产化率实现大幅提高，芯片设计能力达到国际先进水平，全产业链基本实现自主可控，打造百亿级国家第三代半导体产业高地；建成较大规模先进特色工艺制程生产线，推动形成要素完备的第三代半导体产业聚集区，带动模块及系统应用方面相关产业产值突破300亿元；建成国际先进的第三代半导体产业基地，带动形成基于第三代半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的产业集群；突破核心关键技术，建设第三代半导体国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站、院士工作站，搭建国际先进的第三代半导体公共研发、检测和服务平台。 集成电路产业是全面建设社会主义现代化国家的重要支撑，是保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业，是当前和今后一段时期大国竞争博弈的焦点。第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能力强等优点，是集成电路领域的新型组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。从国际看，随着全球贸易摩擦持续和以美国为主导的逆全球化浪潮加剧，半导体作为信息产业的基石，一直是各国贸易战的焦点。近年来，美、欧、日等加速抢占全球第三代半导体市场,已形成三足鼎立之势。美国在碳化硅（SiC）领域全球独大,其碳化硅衬底及外延较为发达，拥有科锐(Cree)、道康宁等知名企业。欧洲在碳化硅电力电子市场具有强大话语权,具备完善的第三代半导体产业链，其强势领域集中在器件环节，拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等知名半导体制造商。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者,其氮化镓衬底产业较为发达，主要有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等国际一流企业。韩国通过SK集团收购美国的道康宁公司，完善其国内第三代半导体产业链，追赶美、欧、日发展步伐。从国内看，目前国内汽车、高铁、电网、国防科研等应用领域的功率半导体基本依靠进口，高端芯片器件禁运、采购成本高、供货周期不稳定等问题突出。5G、人工智能、新能源、智能制造等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势，迎来了第三代半导体材料产业的发展机遇，近几年持续保持迅速扩张的势头，国内第三代半导体在器件开发、产能建设、制备技术、应用推广等领域取得了一定的进展，初步形成了技术和产业体系。区域布局方面，我国第三代半导体产业初步在京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等区域实现聚集。国家大力发展“新基建”也为第三代半导体产业的发展带来了新的机遇。2020年，国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号），突出强调了关键核心技术攻关新型举国体制，同时也强调了构建全链条覆盖的关键核心技术研发布局，我国第三代半导体产业将迎来蓬勃发展期。经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入30余亿元，主要呈现创新能力稳步提升、产业链条逐步完善、融合应用日益深入等特点：1.以山东大学为代表的高校和研究院所承担了“973”、“863”等重大工程，科技支撑计划、“核高基”等国家重大项目，拥有第三代半导体材料和器件等多项高水平原创性成果积累，成功制备了世界首枚硅基氮化镓（GaN）垂直结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），掌握了最新一代垂直结构功率器件制备的核心技术，填补了国内在第三代半导体垂直结构功率器件方面的空白；完成了氧化镓（Ga2O3）单晶衬底制备、加工、外延的核心技术积累，处于国内领先，国际先进水平。山东天岳已经全面攻克碳化硅晶体生产、衬底加工核心技术，碳化硅衬底产品性能达到国际先进水平。我省建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、新一代半导体材料集成攻关平台、晶体材料国家重点实验室等国家级科研平台，山东大学、青岛科技大学等高校微电子学院的半导体相关专业积极推动教学创新和校企合作，为我省开展第三代半导体研发工作提供了良好的人才储备和条件保障。2.山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封测等较为完整的产业链，山东天岳是我国最大的碳化硅单晶材料供应商，为发展第三代半导体产业奠定了坚实基础，逐步完善的产业链使山东省在第三代半导体产业实现“弯道超车”成为可能。 3.山东省在轨道交通牵引变流器、变频逆变、家用电器、新能源汽车、光伏发电等领域拥有一定实力的企业，在汽车电子和家用电器方面，产业融合度不断加深。随着济南比亚迪半导体有限公司、芯恩（青岛）集成电路有限公司、青岛惠科微电子有限公司的功率半导体芯片器件产线的建设和投产，将对第三代半导体材料的需求形成新的牵引。产业布局：加快构建“4+N”区域布局按照“政府引导、龙头带动、园区孵化、集群推进”的总体思路，发挥国家集成电路设计济南产业化基地、青岛崂山微电子产业园、中德生态园集成电路产业基地、济宁省级信息技术产业基地等集聚优势，加大龙头企业支持力度，加快构建“4+N”区域布局。 济南。实施高性能集成电路突破计划，优化升级国家集成电路设计产业化基地，依托山东天岳碳化硅衬底材料技术优势，结合济南比亚迪半导体芯片等上下游配套项目建设，打造基于硅基和碳化硅基功率半导体器件生产集聚区，建成国际先进的碳化硅半导体产业基地。 青岛。立足本地整机（系统）市场应用优势，建设好芯恩、惠科等集成电路重大项目，以发展模拟及数模混合集成电路、智能传感器、半导体功率器件、光电子芯片和器件、第三代半导体为主线，通过抓龙头、补短板、促融合、育生态，实现产业规模快速扩张、支撑能力显着增强，加快培育自主可控产业生态。 济宁。重点做大单晶硅、晶圆片、外延片等上游半导体材料，强链发展中游半导体分立器件、功率器件及功能芯片产业。加强同省内外高校合作，面向国内外引进吸收先进第三代半导体应用加工技术，提升产业发展位次。 潍坊。做好浪潮华光氮化镓材料与器件产业化项目建设，优化项目建设环境，全力以赴提供优质服务、跟踪服务、精准服务，努力为项目推进创造良好条件。 其他市。依托本地产业发展基础和特色，突出差异化发展，加强同重点市的协调联动，支持做好项目招引，逐步做大产业规模。 四大重点任务： （一）坚持全产业链发展，提升产业竞争能级 以技术和产品发展相对成熟的碳化硅晶体材料为切入点，迅速做大碳化硅半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、封装和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合,以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同,打造第三代半导体电力电子、微波电子和半导体照明等第三代半导体产业发展高地。 1.提升材料制备能力。加速推进大尺寸GaN、SiC等单晶体材料生长及量产技术，突破GaN、SiC材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸GaN、SiC衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。推动氧化镓（Ga2O3）等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。 2.发展器件设计。大力扶持基于第三代半导体GaN、SiC的高压大功率、微型发光二极管、毫米波、太赫兹等高端器件设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平，提升设计产业集聚度，大力发展第三代半导体仿真设计软件自主品牌产品，建设具有全球竞争力的器件设计和软件开发集聚区。 3.布局器件制造。推进基于GaN、SiC的垂直型SBD(肖特基二极管)、HEMT（高电子迁移率晶体管）、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)、Micro-LED（微型发光二极管）、高端传感器、MEMS(微机电系统)，以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平，SiC二极管、晶体管及其模块产品和GaN器件产品、激光芯片及其器件产品具有国际竞争力。 4.健全封测产业。积极发展高端封装测试，引进先进封测生产线和技术研发中心，大力发展晶圆级、系统级先进封装技术以及先进晶圆级测试技术。大力支持科研院所在第三代半导体相关的电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的研发工作，发展基于第三代半导体的功率和电源管理芯片、射频芯片、显示芯片等产品的封测产业。 5.开发技术装备。布局“生长、切片、抛光、外延”等核心技术装备，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套，拓展解决整线成套设备国产化，并实现整线集成。提升氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机、化学研磨设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。突破核心共性关键技术，形成一流的工艺和产业应用技术，掌握核心装备制造技术，打造第三代半导体材料装备领军企业。研究开发碳化硅单晶智能化生长装备并实现产业化，突破碳化硅晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术,形成智能化碳化硅晶体生长装备成套关键技术。 （二）推动科技服务新基建，优化产业发展环境 1.建设公共技术平台。整合省内优势中坚力量，谋划建设第三代半导体关键技术研究公共技术平台，搭建国际先进的涵盖第三代半导体晶体生长技术、器件物理研究、微纳器件设计与加工技术、芯片封装与测试等核心技术实体研发创新中心，提升研发水平和效率。建设国际先进的第三代半导体研发、检测和服务公共平台，开展芯片和器件关键技术攻关，研发具有自主知识产权的新材料、新工艺、新器件。深入开展核心关键技术研究、应用验证、测试等，引入高温离子注入系统、化学机械抛光系统、等离子刻蚀机等关键工艺设备，以及大型分析检测测试设备，为产业协同发展提供服务支撑。 2.搭建成果转化平台。鼓励产学研深度合作，聚焦第三代半导体单晶材料生长技术，器件设计与制备技术，封装与测试技术等领域，加快推进高校及研究院所科技成果与产业的对接，以共建联合实验室等形式落实成果转移转化，实现我省在半导体核心技术领域的弯道超车；建设省级第三代半导体重点实验室、工程技术中心等，加快推进申请国家级第三代半导体实验室，引入高端研发人才，对接先进科研成果，加速成果产业化进程。 3.发展产业孵化平台。支持地市、高校联合国内外研发机构和重点企业，按照新型研发机构模式成立第三代半导体产业研究院，逐步建成国际先进、国内一流的第三代半导体科技孵化器，带动产业链上下游协同发展。 （三）培育优势主体，拉动产业整体规模1.壮大龙头企业。加大对重点企业的关注和扶持力度,实行一企一策,协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库,充分利用好新旧动能转换政策,进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业，逐步扶持企业上市。 2.融通产业环节。强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作。加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目。沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的“领航型”企业，培育细分领域的“瞪羚”“独角兽”企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力。 （四）推进下游应用，拓宽产业发展路径 1.大力支持碳化硅功率模块的研发与产业化。加快实现碳化硅模块量产，并提升碳化硅芯片及模块在电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的性能，降低生产成本。突破第三代半导体器件在充电桩、电动汽车、家电等领域的应用关键技术，扫清产业规模扩大的技术壁垒。扩大应用规模，支持省内碳化硅模块生产企业扩大产能，形成碳化硅模块产业集聚，打造模组开发应用产业化的新高地。 2. 加快国产化第三代半导体产品应用推广。引导省内芯片制造、封装测试企业与第三代半导体材料企业对接，联合开展研发攻关，实现关键材料本地覆盖。组织开展省内国产第三代半导体应用试点示范，在衬底、芯片加工、模组应用等产业链环节对企业提出国产化比例考核要求。该《征求意见稿》体现了贯彻落实《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》的指示精神，引导山东省第三代半导体产业高质量发展。对于仪器行业而言，山东省百亿级国家第三代半导体产业集群的建设势必带来大量的采购订单，尤其是《征求意见稿》中多次提到了设备国产替代的概念，因此势必对于国产仪器的采购有所倾斜，对于国产仪器厂商而言更是值得期待。