帕米膦酸二钠标准品

在科研中，很多用户需要用到光栅或点阵这些周期性的结构。有时用户不需要研究微纳米加工工艺，这样如果能花费低廉的价格买到这些成品将十分方便，只要接着从事后续的工作就可以了；有的用户自已拥有微纳米加工设备及经验，但纳米量级的尺寸要采用电子束曝光的方法来进行光刻，若有效面积超过1平方厘米，占机时间会很长，并需要调整电子束光刻及干法刻蚀工艺来优化成品。 鉴于此，我们向用户提供光栅及点阵的纳米结构成品。衬底材料为硅单晶，可广泛应用于各类科学研究。 产品类型： 标准模板一 ○ 光栅纳米结构模板 (线条+间距)○ 二维纳米模板（矩形或六边形）标准模板二 ○ 光栅结构○ 柱状点阵模板○ 孔阵模板2x2cm2模板四英寸模板六英寸模板标准模板一 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。 产品精度： 线宽/深度：±15%周期精度：优于0.5%衬底宽度和高度误差：± 0.2 mm衬底厚度：0.675 ± 0.050 mm 具体规格如下表所示： 光栅纳米结构模板 (线条+间距) Linear Nanostamps (line+space) 序号周期沟槽深度占空比 ①线宽 ②样片尺寸③1139 nm50 nm50%69.5 nm12.5×12.5×0.7 mm2139 nm50 nm50%69.5 nm25×25×0.7 mm ⑤3278 nm④110 nm50%139 nm12.5×12.5×0.7 mm4416.6 nm110 nm50%208 nm12.5×12.5×0.7 mm5500 nmmultiple ⑥44%220 nm8×8.3×0.7 mm6500 nmmultiple ⑥60%300 nm8×8.3×0.7 mm7555.5 nm110 nm50%278 nm20×9×0.7 mm8555.5 nm140 nm50%278 nm20×9×0.7 mm9555.5 nm110 nm29%158 nm20×9×0.7 mm10555.5 nm140 nm29%158 nm20×9×0.7 mm11600 nmmultiple ⑥43%260 nm8×8.3×0.7 mm12600 nmmultiple ⑥55%330 nm8×8.3×0.7 mm13606 nm190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm14606 nm④190 nm50%303 nm29×12×0.7 mm15606 nm190 nm50%303 nm29×24.2×0.7 mm ⑤16675 nm170 nm32%218 nm24×10×0.7 mm17675 nm170 nm32%218 nm24×30.4×0.7 mm ⑤18700 nmmultiple ⑥47%330 nm8×8.3×0.7 mm19700 nmmultiple ⑥55%375 nm8×8.3×0.7 mm20833.3 nm200 nm50%416 nm12.5×12.5×0.7 mm21833.3 nm200 nm50%416 nm25×25×0.7 mm ⑤ ①占空比表示线宽和周期的比率。③第二个尺寸相当于沟槽的长度。④scientific" grade offered at a discount. It has at least 80% of usable area. Up to 80/100 scratch/dig/particles and irregular substrate shape may present.⑤可定做更大尺寸⑥深度可做成150, 250 和 350 nm。 二维纳米模板（矩形或六边形）2D nanostamps (rectangular and hexagonal lattice) 序号周期晶格类型沟槽深度特征宽度衬底尺寸1500 nmrect postmultiple ①135 nm8×8.3×0.7 mm2500 nmrect postmultiple ①210 nm8×8.3×0.7mm3600 nmrect postmultiple ①195 nm8×8.3×0.7mm4600 nmrect postmultiple ①275 nm8×8.3×0.7mm5700 nmrect postmultiple ①260 nm8×8.3×0.7mm6700 nmrect postmultiple ①350 nm8×8.3×0.7mm7500 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm8600 nmhex postmultiple ①165 nm8×8.3×0.7mm9600 nmhex postmultiple ①240 nm8×8.3×0.7mm10700 nmhex postmultiple ①220 nm8×8.3×0.7mm11700 nmhex postmultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm12600 nmhex holemultiple ①180 nm8×8.3×0.7mm13700 nmhex holemultiple ①200 nm8×8.3×0.7mm14700 nmhex holemultiple ①290 nm8×8.3×0.7mm ①深度可做成150, 250 和 350 nm rect post:hex post：hex hole：标准模板二 我们可提供纳米级微结构，衬底材料为硅单晶，广泛应用于科学研究。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度：直径±10%线宽±10%高度/深度±15%产品说明：硅片厚度：0.5mm（特殊情况另标注）模板尺寸：产品规格+/-0.2mm缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： 光栅结构（周期，线宽，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 10Line gratingPeriod: 70 nmWidth: 25 nmor 35 nmHeight: 32nmor 40 nmArea: 4x 0.5 x 1.2 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 2Line gratingPeriod: 300 nmWidth: 170 nmHeight: 210 nmArea: 30 x 30 mm2Substrate: Si 30 x 30 mm2Pattern 23Line arryPeriod: 150 nmWidth: 75 nmHeight: 116 nmArea:25 x25 mm2Substrate:Si 30 x 30 mm2 柱状点阵模板（周期，柱直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 1Square pillar arrayPeriod: 300 nmDiameter: 145 nmHeight: 170 nmArea: 14 x 14 mm2Substrate: Si 14 x 14 mm2Pattern 6High-resolution pillar arrayPeriod: 35 nmand 42 nmDiameter: 15 - 20 nmHeight: 25nmArea: each period 25x25 um2Substrate: Si 12.5 x 12.5 mm2Pattern 3Hexagonal pillar arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 310 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 15Hexagonal pillar arrayPeriod: 750 nmDiameter: 325 nmHeight: 260 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 7Hexagonal pillar arrayPeriod: 1000 nmDiameter: 400 nmHeight: 280 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 26 x 26 mm2Pattern 17Hexagonal pillar arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 470 nmHeight: 750 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (0.7mm) 25 x 25 mm2Pattern 20Hexagonal pillar arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1800 nmHeight: 1200 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2 孔阵模板（周期，孔直径，高度，有效面积，衬底尺寸） Part NoDescriptionImagePattern 11Square hole arrayPeriod: 90 nmDiameter: 45 nmHeight: 50 nmArea: 4x 0.6 x 0.6 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Pattern 13Square hole arrayPeriod: 300 nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 4 x 4 mm2Chip size: 15 x 15 mm2Substrate: Quartz (2.3 mm thick)Pattern 24Square hole arrayPeriod: 350 nmDiameter: 225 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 4Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 300 nmHeight: 50 nm, 450 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 5Hexagonal hole arrayPeriod: 600 nmDiameter: 400 nmHeight: 680 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 20 x 20 mm2Pattern 14Hole array on Rhombic latticePeriod:* x=610nm, y=425nmDiameter: 150 nmHeight: 300 nmArea: 20 x 20 mm2Chip size: Si 24 x 24 mm2* center-to-center distance in x and yPattern 16Hexagonal hole arrayPeriod: 750 nmDiameter: 380 nmHeight: 420 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 18Hexagonal hole arrayPeriod: 1010 nmDiameter: 490 nmHeight: 470 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 19Hexagonal hole arrayPeriod: 1500 nmDiameter: 780 nmHeight: 550 nmArea: 25 x 25 mm2Substrate: Si (1mm) 25 x 25 mm2Pattern 21Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1500 nmHeight: 850 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm2Pattern 22Hexagonal hole arrayPeriod: 3000 nmDiameter: 1200 nmHeight: 1500 nmArea: 20 x 20 mm2Substrate: Si 25 x 25 mm22x2cm2标准纳米压印模板 我们提供电子束光刻方法制备的硅模板，衬底尺寸为20x20mm2。图形分辨率高，有效区域为5x5mm2。批量生产，质量有保证，且性价比高。产品精度： 标准高度：100nm直径： ±10%线宽： ±10%缺陷面积： 1% 具体规格如下表所示： 孔阵（矩形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_h_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_h_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_h_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm 孔阵（六边形孔阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_h_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm2P300h_h_5w5300nm5x5mm2125nm/ 100nm3P400h_h_5w5400nm5x5mm2150nm/ 100nm 柱状点阵（矩形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P100s_p_5w5100nm5x5mm250nm/ 100nm2P150s_p_5w5150nm5x5mm260nm/ 100nm3P200s_p_5w5200nm5x5mm280nm/ 100nm 柱状点阵（六边形柱状点阵） 序号ProductPeriodAreaDiameter / Height1P200h_p_5w5200nm5x5mm270nm/ 100nm2P300h_p_5w5300nm5x5mm2110nm/ 100nm3P400h_p_5w5400nm5x5mm2120nm/ 100nm 大面积四英寸模板我们提供四英寸硅或石英模板，可用于压印工艺。批量生产制作，质量有保证且性价比高。 产品精度: 高度/深度：±15%直径：±10%线宽：±10%缺陷面积：1% 具体规格如下表所示： Holes on Hexagonal Lattice（六边形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image1P520h_h_20w20520 nm260nm20x20 mm2450 nm/200 nm2P600h_h_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm3P600h_h_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm4P750h_h_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm5P780h_h_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm6P1000h_h_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm7P1000h_h_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm8P1500h_h_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm9P1500h_h_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm10P3000h_h_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Holes on Square Lattice（矩形孔阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image11P350s_h_20w20350 nm250nm20x20 mm2300 nm/150 nm12P350s_h_100d350 nm250nm100dia300 nm/150 nm Pillars on Hexagonal Lattice（六边形柱状） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image13P600h_p_46w46600 nm300nm46x46 mm2450 nm/200 nm14P600h_p_100d600 nm300nm4-inch450 nm/200 nm15P750h_p_51w51750 nm350nm51x51 mm2450 nm/200 nm16P780h_p_20w20780 nm350nm20x20 mm2450 nm/200 nm17P1000h_p_20w201000 nm400nm20x20 mm2600 nm/300 nm18P1000h_p_51w511000 nm300nm~500nm51x51 mm2600 nm/300 nm19P1500h_p_20w201500 nm400nm~650nm20x20 mm2600 nm/300 nm20P1500h_p_51w511500 nm400nm~650nm51x51 mm2600 nm/300 nm21P3000h_p_100d3000 nm600nm~1400nm4-inch1000 nm/400 nm Pillars on Square Lattice（矩形柱状点阵） Part NoProductPeriodDiameterAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image22P150s_p_30w30150 nm75nm30x30 mm275 nm/ —23P250s_p_30w30250 nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm24P300s_p_30w30300 nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm25P400s_p_30w31400nm250nm30x30 mm3200 nm/100 nm26P500s_p_30w30500 nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Linear Gratings（光栅结构） Part NoProductPeriodWidthAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)Image27P150L_p_30w30150nm70nm30x30 mm275 nm/ —28P250L_p_30w30250nm110nm30x30 mm2200 nm/100 nm29P300L_p_30w30300nm130nm30x30 mm2200 nm/100 nm30P400L_p_30w30400nm200nm30x30 mm2200 nm/100 nm31P500L_p_30w30500nm250nm30x30 mm2450 nm/200 nm Multi-pattern（复合结构） Part NoProductDescriptionDiameterPeriodAreaMax. Etch depth (Si/Quartz)32MHSL_400-800Linear, hexagonal, square array combination，Periods: 400-800nmpitch dependentho, les/lineseach period，7.5mm x 7.5mm400 nm/150 nm33MP250L300Multi-period linear grating combination 1， Periods: 250nm, 275nm, 300nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，7mm x 7mm200 nm/100 nm34MP300L600Multi-period linear grating combination 2，Periods: 300nm, 400nm, 500nm, 600nmLinewidth(+/15nm): 90/250 100/275 120/300lineseach period，10mm x 10mm300 nm/150 nm

货号适用仪器型号说明参数分析方法包装量程20353-CN硫酸标准样，0.020N，1000mL碱度酸-碱8289（碱）0-10 meq /升；碱度8221 0-5,000mg/L 以CaCO?计；酸-碱8288（酸）0-10 meq /升；酸-碱8288（酸）0-25,000 meq/升；酸-碱8288（酸）10-100 meq /升；酸-碱8289（碱）100-25,000 meq /升；酸-碱8289（碱）10-100 meq /升；生化需氧量8043mg/L BOD；生化需氧量10230mg/L BOD1000mL0-10

上海那艾实验仪器设备[那艾仪器厂家]网站 全国送货厂家一手货! 品质保证!实验仪器非电子产品,使用效率和售后服务很重要。我们同品质比价格,同价格比效率,同效率比售后。设备仪器属于精密设备 客户订单录档案 免费1年质量保质,任何问题提供配件保养维护上海那艾仪器专注以实验仪器设计、研发,生产,销售为核心的仪器企业,目前销售生产有一体化蒸馏仪,中药二氧化硫蒸馏仪,COD消解仪,高氯COD消解仪,硫化物酸化吹气仪,全自动液液萃取仪,挥发油测定仪等等。在食品类等蒸馏项目中，有一些检测项目是比较特殊的，需要对收集的馏出液进行冰浴接收，比如检测白酒中的酒精度、食品中的N-亚硝胺、乙酸钠等。蒸馏过程复杂，同时在接收端对收集的馏出液进行冰浴接收，防止待测液体的有机成份二次挥发。目前，国内多数实验室均采用纯手工方式进行此类项目的实验操作，整个过程费时费力，搭配的简易实验装置弊端多多，冰浴时多采用冰块或简单的冰水混合物处理，但时间长了失去温度效果需要再重新更换。 所以那艾针对此类蒸馏的痛点研发智能冰浴接收蒸馏仪，在馏出液收集区域增加独立可控高效制冷模组，长期保持收集瓶0°状态，实现国标0°冰水混合接收要求，减少实验过程的操作繁琐度。适用标准GB 5009.225-2016 食品安全国家标准 酒中乙醇浓度的测定GB 5009.26-2016 食品安全国家标准 食品中N-亚硝胺类化合物的测定 GB 5009.120-2016 食品安全国家标准 食品中丙酸钠、丙酸钙的测定GB 5009.277-2016 食品安全国家标准 食品中双乙酸钠的测定 主要特征1、仪器机身采用框架一体式设计，稳固牢靠，主体采用品牌冷轧板配合静电粉末涂装，更加耐磨、耐腐蚀；2、从空开到触点，继电保护器到按钮开关等，选用正泰/德力西或同级别品牌电气，保证仪器品质和的使用寿命；3、控制模块采用PLC控制，性能强劲稳定，7寸触控屏可预设加热功率、加热时间、剩余时间等相关参数；4、加热模块采用适合圆底烧瓶的碗式形状的远红外陶瓷器皿，无明火加热，热辐射效率高、功耗小，耐干烧，防水；☆5、馏出液接收区采用高效制冷模块组，快速制冷最低可达-20℃，有效防止蒸馏液挥发；无需反复添加冰块维持；☆6、可定时控制，也可以定量控制，馏出液达到欲设体积后，蒸馏结束后系统能自动锁住馏出液出口，防止过量蒸馏，带防倒吸装置；☆7、主机设有冰浴接收和常温接收双模式，根据不同的样品的易挥发特性可以切换模式； 8、系统内自带说明书和服务中心二维码，手机扫码自动查看电子说明书和一键连接服务中心。 技术参数产品型号NAI-ZLY-4B控制方式PLC；7寸触控屏加热方式远红外陶瓷加热碗加热功率500W加热单元4*500ml双口烧瓶时间控制0-300min定量控制回收量可定量100ml-250ml接收瓶250ML温电保护装置有清洗方式可清洗馏出液管路额定电压220V/50HZ