脂质介质

14.1.2.1所测量的厚度，14.1.2.2能承受的最大电压（对逐步测试而言），14.1.2.3击穿电压，14.1.2.4绝缘强度（对逐步测试而言），14.1.2.5击穿强度，及14.1.2.6击穿的部位（电极的中心，边缘或外部）。14.1.3对于每个样品：14.1.3.1平均电介质承受强度（仅对逐步测试测试样），14.1.3.2平均电介质击穿强度，14.1.3.3变量的说明，最好是标准偏差和变化系数。14.1.3.4测试样的说明，14.1.3.5调节和测试样的准备，14.1.3.6环境的温度和相对湿度，14.1.3.7环境介质，14.1.3.8测试温度，14.1.3.9电极的说明，14.1.3.10电压应用的方法，14.1.3.11如果指定，电流感应元件的失效标准，及14.1.3.12测试的日期。ASTM D149-2009介电击穿电压试验方法耐电压击穿试验仪15. 精度和偏差15.1表2总结了四个实验室和八种材料实验室间研究的结果。该研究采用同一电极体系和同一测试介质。915.2单一操作员精度——根据测试材料，试样厚度，电压供给方式以及控制或抑制瞬间电压脉冲的极限，变化常数（标准差除以平均值）在1%到20％之间变化。如果就同一样品的五个测试样进行重复试验，变化常数通常不大于9%。15.3多实验室精度——在不同实验室中（或者同一实验室不同设备上）进行测试的精度是变化的。通过使用同一类型的设备，严格控制测试样的准备，电极以及测试流程，单个操作员的精度是近似的。但如果对来自不同实验室的结果进行比较，就必须评估不同实验室的精度。9支撑数据已经归档在ASTM国际总部中，通过申请研究报告RR:D09-1026可获得这些数据。15.4如果测试材料，试样厚度，电极结构，或环境介质不同于表1所列，或是测试设备中电流感应元件的击穿标准得不到严格控制，那么将无法达到15.2和15.3中所规定的精度，对于需要测试的材料来说，涉及本测试方法的标准应能确定该材料的精度适用范围。参见5.4~5.8以及6.1.6。

过滤介质测试装置优点• 从10 nm开始的粒径测量 • 符合DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准而且在国际范围内可比较的测量结果 • 简单使用不同的测试气溶胶，例如NaCl / KCl或DEHS（其他可根据要求提供） • 易于移动的稀释级联，系数分别为10、100、1,000和10,000，用于盐或DEHS测量 • 方便地测量馏分分离效率并确定MPPS范围 • 测试方法的高重复性 • 灵活的过滤器测试软件FTControl • 易于操作，即使未经培训的人员也可以快速使用设备 • 客户可以自主进行清洁 • 设置时间短，吞吐时间快 • 移动设置，易于在脚轮上移动 • 在交付前验收测试期间以及交付时验证单个组件和整个系统的功能 • 运行可靠 • 低维护 • 设备将减少您的运营成本说明在实际的开发和质量控制应用中，Palas® 的MFP过滤器测试台已经在世界各地经过多次验证。MFP Nanoplus专门设计用于根据DIN EN 1822-3和ISO 29463-3标准准确测定HEPA和ULPA过滤介质的分离效率而计。U-SMPS形式、现代且功能强大的纳米颗粒测量设备可将用于5 nm到1 μm范围粒度测量和量化分析。借助通用气溶胶发生器UGF 2000，可以用DEHS或盐（NaCl / KCl）生产与MMPS范围相匹配的准确气溶胶分布。由于采用可移动稀释液级联，因此可以在非常短的时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂，而无需清洗。测试序列的高度自动化设置以及清晰定义的单个组件和滤波器测试软件FTControl的可单独调整程序相结合，共同提供高度可靠的测量结果。MFP过滤器测试台是用于扁平过滤器介质和小微型过滤器的模块化过滤器测试系统。可以在很短的时间内确定压力损失曲线、馏分分离效率或负荷，既可靠又具有成本效益。我们的质量细节 1.使用UGF 2000产生多种气溶胶，例如使用KCl/NaCl或DEHS。集成的硅胶干燥长管。通过质量流量控制器单独调节产生的气雾体积流量。2.气溶胶中和：Kr 85-370电源或软X射线充电器XRC 370电晕放电（可选）：可调节离子流以适应不同质量流量。可调混合空气，流入速度为1.5至40厘米/秒。通过质量流量控制器实现监视和控制。3.可移动的气动过滤器支架，用于快速拆卸和装载测试装置。4.可移动的稀释液级联：稀释液级联可以按规定的10、100、1,000和10,000因子对所施加的测试气雾剂进行规定的稀释。由于它们是可移动的，因此可以在很短时间内将测试设备从使用盐雾剂转换为DEHS雾剂。无需长时间或复杂地清洁系统。5.用于纳米颗粒测量的U-SMPSPalas® 过滤器测试软件FTControl控制U-SMPS并评估数据。将气溶胶分布调整到MPPS范围通过适当调整溶液浓度，可以将生成的粒度分布与MFP Nano plus中的相关MPPS范围匹配。图1：使用DEHS调整所需MPPS范围的粒径图2：比较140 nm粒径MPPS范围内的馏分分离效率• 清晰展示整个测量范围内过滤介质的分离效率• 准确测定MPPS范围• 较高的测量重现性和可重复性突出显示分离效率的微小差异• 优化的应用程序将每次分离效率测量的测量时间缩短到6分钟左右• 分离效率曲线的简单比较，也可以计算平均值自动化：MFP Nano +集成有质量流量控制器，可用于控制体积流量；可以通过FTControl过滤器测试软件自动监视和控制这些流量。在过滤器测试期间，还会自动记录传感器数据，例如过滤器流量和压差。在没有稀释系数与分离效率（10、100、1,000或10,000）相匹配的过滤介质情况下进行原始气体测量。然后，在不稀释并插入过滤介质的情况下进行清洁气体测量。稀释系数的改变是自动执行的。稀释系数的验证：集成在MFP Nanoplus中的稀释系统的工作原理与采用喷射原理的成熟的VKL系列相同。 这种稀释级联的优点是传输过程清晰、污染程度低而且容易清洗。图3：将原始气体/清洁气体与10倍NaCl颗粒进行比较来验证稀释系统数• 使用MFP Nanoplus，可以在MPPS范围内以及整个测量范围内进行馏分分离效率测量。 另外，在相关的流入速度下，清楚地确定介质相关压力损失。应用领域• 用于过滤介质和小型过滤器组件 • 产品开发/生产控制 • 根据EN 1882-3（HEPA / ULPA）和ISO 29463-3标准进行测试 • 分离效率测量范围约为 20 nm至1 μm规格参数测量范围 （尺寸）U-SMPS 2050: 10 – 800 nm体积流量0.54 – 16立方米/小时（加压模式）电源115/230 V, 50/60 Hz外型尺寸approx. 600 • 1,800 • 900 毫米（宽• 高• 深）流入速度1.5 – 40厘米/秒（其他可根据要求提供）压差测量0 – 2,500 Pa（其他可根据要求提供）介质测试区100平方厘米气溶胶灰尘（例如SAE灰尘），盐（例如NaCl，KCl），液体气溶胶（例如DEHS）压缩空气供应6 – 8 bar

在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大，耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小，但是当某此原因（如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等）使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此，它通常包含有晶相、玻璃相和气相，各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看，整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征：电介质在恒定电场作用下，介质损耗的功率为　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下，电位移D与电场强度E均变为复数矢量，此时介电常数也变成复数，其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D，E，J之间的相位关系图D，E，J之间的相位关系图如图所示，从电路观点来看，电介质中的电流密度为J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度，导致能量损耗；Je，相比较E超前90°，称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中，δ称为损耗角，tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小，是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗，希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=（tanδ）-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素，希望它的值要高。工程材料：离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则，键强度比较大，如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等，在外电场作用下很难发生离子松弛极化，只有电子式和离子式的位移极化，所以无极化损耗，仅有的一点损耗是由漏导引起的（包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导）。这类晶体的介质损耗功率与频率无关，损耗角正切随频率的升高而降低。因此，以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等