应力张量

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  • 表面形貌仪配件
    表面形貌仪配件又称为光学形貌仪或三维形貌仪，它除了用于测量物件的表面形貌或表面轮廓外，具有测量晶圆翘曲度的功能,非常适合晶圆,太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面形貌测量。 三维形貌仪主要配件应用 用于太阳能电池测量 用于半导体晶圆测量 用于镀膜玻璃的平整度（Flatness)测量 用于机械部件的计量 用于塑料,金属和其他复合型材料工件的测量 表面形貌仪配件特色 *除了表面形貌的测量，还可以测量张量和应力（简单）； *可测量晶圆的尺寸为0.5' ' 到12' ' , 最高可达45x45cm的尺寸，对于小于0.5' ' 的晶圆或样品，可配备微距镜头。 *测量晶圆或其他样品的表面形貌,粗糙度和翘曲度； *克服常见干涉仪在粗糙表面（油漆）表现不足的问题； *非接触式测量
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 残余应力测试仪器
    JHMK多点残余应力测试仪器JHMK多点残余应力测试仪器是由JHYC静态应变仪和JHZK精密钻孔装置共同构成的盲孔法残余应力测量系统，在软件进行设置后，自动实时计算残余应力，并实时显示和保存应力应变数值，使测量直观明了，精度高。JHMK多点残余应力测试仪器应用范围1.适于各种金属和非金属材料的盲孔法残余应力多点测量。2.对零件的形状大小和表面没有特殊要求，对零件有轻微的破坏。3.适合科研和要求较高的现场测量。JHYC静态应变仪功能特点1.测量能力：各种材料的应力应变、盲孔、环芯、切割法残余应力测试。2.接入不同的传感器，可对力、荷重、压力、扭矩、位移、电压、电流等进行采集。3.可满足教学、工程技术和科研的需求，仪器检定指标达到0.1级。4.仪器具有桥路、长导线、公共，软件多种补偿方式，稳定性好。5.适合各种应变花，设置简单方便，并自动保存设置参数。6.硬件全量程自动平衡，不损失测量范围，程控调零。7.自动实时计算、记录残余应力释放曲线，并生成残余应力报告；8.测量过程中可在被测材料上钻孔、电焊、等离子切割等。现场抗干扰能力强。如果想要咨询更多信息，可搜南京聚航网查看详情，电联聚航。
    供应商： 南京聚航科技有限公司
    品牌： 聚航科技
    价格： ¥99999
  • 应变应力测量系统
    JHYC应变应力测量系统应用范围1.适用于测点相对集中，被测物理量缓慢变化的试验中。2.主要用于静态结构应力分析及静载荷强度研究中测量结构件及材料任意点的静态应力应变及残余应力。3.广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械、压力容器等结构静载荷测试、安全和健康状态测试。4.接入不同的传感器，可对力、荷重、压力、扭矩、位移、电压、电流等进行采集。5.可用于实验性测量，也可用于长期监控测量。JHYC应变应力测量系统功能特点1.全数字电路，精度高，稳定性好，具有极强抗干扰性能力仪器采用全数字电路，每通道独立AD、独立MCU，所有通道同步采样，仪器检定指标达到0.1级，显示精度0.1。采用独特的硬件隔离技术，系统具有极强的现场抗干扰性能力。2.配合不同传感器实现多种物理量测量，功能强大，性价比高。仪器通过软件选择不同的输入类型即可轻松接入不同传感器，实现你所需要的物理量的测测量，操作简单方便。3.具有多种补偿方式，能适应各种环境下的测量要求仪器具有桥路、长导线、公共，软件多种补偿方式，稳定性好。尤其是公共补偿方式，可方便快捷的对模块上10个通道进行同时补偿，避免了繁琐的桥路补偿，节约测量成本和时间。4.简洁的面板设计，闪烁式通道及状态指示灯仪器面板简洁大方，省掉一切不必要的端口，简化了测量接线难度。每个模块的状态和通道状态用高亮指示灯闪烁指示，一目了然。5.设置简单，操作方便快捷，海量存贮适合各种应变花和传感器，仪器桥路和配置采用菜单式设计，只需选择测量类型，软件控制仪器完成自动配置和清零，全量程自动平衡，不损失测量范围，无需复杂专业的测前设置。应变片和仪器连接简单方便，主机与计算机usb接口连接，即插即用。可进行不间断或间断性长时间在线测量，数据存储量取决于计算机硬盘大小。 6.具有掉电自动保存测量数据功能在测量过程中，如出现意外断电，仪器可自动保存断电前的所有测量数据，并自动形成测量文件，防止意外丢失测量数据。JHYC应变应力测量系统软件功能1.软件操作、自动识别、显示方式灵活仪器设置全软件操作，所有功能嵌与同一软件内。具有自动识别系统配置，程控设置仪器的量程、测量类型、滤波及采样参数，完成信号的实时采集、处理、分析等功能，具有多种显示方式。2.应变实时显示，被测物理量直接显示多通道应变值实时显示，实时绘制时域曲线。根据传感器的输出灵敏度，完成被测物理量单位量纲的归一化，并直接显示被测物理量。3.数据实时保存，自动生成报表，功能多样软件可对历史数据回放浏览，具有多样的浏览工具、截图工具，浏览中可对数据进行去直流、去趋势、数据统计、数据的截取、删除、另存、导出、数字滤波器等操作。并自动生成测试报告，在线打印。4.每个通道都可根据测量需求选择测量类型，简单方便可根据每通道接入的传感器类型，各通道选择不同的输入类型、工程单位、标定值、调零、补偿方式等。实现对不同物理量的实时同步测量。5.任意通道间X-Y绘图功能，可实时显示相关物理量间的关系曲线6.提供分析功能软件具有时域和频谱分析功能，对历史数据进行滤波，微分和积分计算，数据统计等数据处理功能。南京聚航科技是应变仪生产商，种类多样，型号齐全，欢迎广大客户咨询！
    供应商： 南京聚航科技有限公司
    品牌： 聚航科技
    价格： ¥99999
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  • 思特尔磁性法残余应力测试仪
    磁性法三维残余应力测试系统特点可无损检测残余应力沿层深的精密分布Windows操作系统，测试界面简洁明快测试仪采用USB接口通讯，数据传输方便随测量深度变化自动调节激励电流大小和激励信号频率测量、采样、计算、绘图全部由计算机控制测试数据、测量结果均能以文本文形式保存，测量结果能够以曲线形式保存或打印可选择适合的测试路径，以避开不能或不需要的测试点对于曲面测量，备有修正程序磁性法残余应力测试基本原理在机械制造、石油化工、航天航空、建筑工程、铁路公路、水利电力等领域中，材质的应力状态和微观结构是影响其运行寿命的主要因素。无损地检测结构的残余应力和某些机械性质具有重要的经济意义和实用价值。磁测法是根据铁磁材料受力后，磁性的变化来评定内应力。目前实用的方法有磁噪声法和磁应变法。磁噪声法，在磁场和应力作用下，导致磁畴发生一定规律的取向，产生一电脉冲信号，信号频率从数kHz至数百kHz，称为巴克豪森噪声（Ｂ.Ｎ）。Ｂ.Ｎ信号的大小一般以峰值或平均值来表示。材料内应力和一些机械性质与Ｂ.Ｎ信号有一定的对应关系。磁噪声法就是根据Ｂ.Ｎ信号的大小来测定应力和一些微观缺陷，可以测0.01mm左右浅层残余应力。磁应变法，是利用铁磁材料的磁致伸缩效应来测定应力，磁致伸缩的极值与应力有着较好的对应关系。同时磁弹相互作用，产生磁各向异性，磁导率作为张量与应力张量有着一定的联系。分布应力磁测仪，其基本原理是通过传感器（探头）和一定电路将磁导率的变化转变为电流量的变化，建立应力和电流值的函数关系，通过电流量的测量来确定应力。在一定的条件下，也可确定材料的某些性质，如热处理状态、含碳量、硬度等。
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    厂商： 苏州倍迎供应链管理有限公司
    品牌： 未知
    型号： ST
    价格： 面议
  • DR45X射线残余应力分析仪 400-860-5168转0766
    Xstress DR45是新一代X射线残余应力分析仪，快速、精度高，提供的数据可靠。直观、简捷。DR45X射线残余应力分析仪用于制造业快速测量，甚至适用于生产领域操作员易于使用的软件可用于频繁测量的模板DR45X射线残余应力分析仪用于实验室DR45X射线残余应力分析仪可进行多种计算，包括线性和椭圆回归，应力张量和主应力等功能。峰拟合功能包括互相关，抛物线，高斯，洛伦兹，修改的洛伦兹等。可测量不同尺寸和形状的零件的巨大差异轻松快捷地更换X射线管DR45X射线残余应力分析仪现场使用快速组装，可在10分钟内使用衍射仪和Xstress MU的稳健设计可在不平坦的表面上进行测量；用磁脚固定在不同的位置。Stresstech Oy总部设在芬兰，是生产各类应力分析仪和磨削烧伤检测仪生产厂。在美国和德国设有工厂，自成立以来，就服务于各地的客户，提供无损检测的解决方案和长期的技术支持服务。
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    厂商： 北京华欧世纪光电技术有限公司
    品牌： Stresstech Oy
    型号： Xstress DR45
    价格： 面议
  • 面探残余应力仪2D-X-RAYS
    面探残余应力仪2D-X-RAYS仪器特点协作机器人系统：多方向自动定位点位方式：全球创新自动定位技术，激光三角测量系统辐射安全系统：SICK激光扫描安全系统便携式三角支架：实验室现场两用X射线管：自然风冷X射线管，用户可自行更换靶材，换靶无需校准直接测量，快捷高效。2D 2维面探测器：一次可采集整个德拜环衍射信息，采用多角度多次曝光，清除cosα方法单次曝光存在的测量误差。分析软件1分钟内评估完整的应力张量。根据测量不确定度评估测试误差。可通300多个衍射极图切割来描述衍射环。每种衍射图都通过非线性最佳拟合方法进行拟合。
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    厂商： 宁波经略海洋科技有限公司
    品牌： ULTECH
    型号： 2D-X-RAYS
    价格： 100万 - 200万元
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  • 拉伸试验，真实应力应变与工程应力应变曲线

    求助一下大家，客户要求提供真实应力应变曲线和工程应力应变曲线，现在我们用的是Zwick 10t的拉伸试验机，不知道如何让试验机绘制真实应力应变曲线，而且不知道能不能把这两个曲线弄到一张图上。

  • 残余应力测量

    用X射线应力测定仪测残余应力与X射线衍射仪残余应力附件测残余应力的区别？

  • 什么是玻璃应力仪？玻璃应力仪原理与使用方法

    [b]一、玻璃表面应力仪原理简述[/b]玻璃表面应力仪是用于测量化学强化和物理强化以及微晶玻璃的表面应力。通过让光沿着玻璃表面传播，根据光弹性技术测出其玻璃表面的应力值CS以及应力层深度DOL。[b]二、玻璃应力仪设备特点：[/b]1.该仪器具有其他型号没有的仅有的测量方法(折射计光弹性分析原理)。2.自动测量，因测试者造成的个人差小。3.能够用电脑保存数据，便于品质管理。4.测试条件不佳的试料可以进行手动测量。5.使用LED光源，使用寿命长，达到10,000小时 (以前500小时)。6.使用了玻璃校准片因此可将机器误差控制到及较小。三、产品参数：测量范围：0-1000mpa测量精度：±5mpa测量范围(应力层深度):0-200μm度(应力层深度): ±1μm光源：LED波长592 ±2nm超窄带滤光片测量对象：化学强化玻璃 物理强化玻璃测量形状：平板玻璃 10×10mm 或以上棱镜：Nd=1.72pc：(os、测量软件 已安装os：windows 10操作系统电源：AC220v 3a尺寸：300×600×250 (测量头) 重量：14kg 200×400×400 (pc) 重量：5kg250×400×400(监测器) 重量：3kg[align=center][img]https://nimg.ws.126.net/?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2023%2F0407%2Fba9d7d42j00rsq74d004ud000b400b4p.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg[/img]什么是玻璃应力仪？玻璃应力仪原理与使用方法[/align][b]玻璃表面应力仪的使用注意事项[/b]1.请使用此款机器时务必要杜绝连通互联网和局域网以及含有病毒的USB接口的软盘或硬盘。2.请操作机器时要轻拿轻放被测样品，以免对棱镜部分造成损伤；当检测图像显示不清晰时，请自行用棉签棒沾工业酒精轻轻擦拭棱镜表面和斜面。3.请使用与原厂配套耗材（即型号为GS-1/GS-4的1.64/1.72折射率的显影液），以免对棱镜部分造成损害。4.请在室内使用该机器，避免强光照射，室内空气不可太潮湿，且酸碱度要适中。5.请远离其他化学品。6.使用过程中发生异常情况请马上联系相关供应商进行解决。7.请保留好原厂出厂的手册以及相关出厂报告文件。8.本机器耗材“FSM-LED595光源/三棱镜/显影液”请在寿命结束后更换新配件再继续使用。9.请务必保存好本机器原厂配套的密码狗，如有丢失责任自负。10.请正确操作本机器配套的电脑配置，切勿随意强制关机，以免造成电脑毁坏。

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  • Nature：基于集成光子张量核的并行卷积处理
    近日，科学家在《自然》发表题为《Parallel convolutional processing using an integrated photonic tensor core》的文章，介绍了基于集成光子张量核的并行卷积处理。据介绍，随着超高速移动网络和互联网连接设备的激增，以及人工智能（AI）的兴起，世界上需要以快速高效的方式处理的数据量呈指数级增长。因此，高度并行化、快速和可扩展的硬件正变得越来越重要。科学家们演示了一个针对特定计算的集成光子硬件加速器（张量核），它能够以每秒数万亿次乘法累加运算（每秒1012次MAC运算）的速度运行。张量核可以看作是专用集成电路（ASIC）的光学模拟。它利用相变材料存储阵列和基于光子芯片的光频梳（孤子微梳）实现了光子在存储器中的并行计算。计算简化为测量可重构和非谐振无源元件的光传输，并且可以在超过14ghz的带宽下工作，仅受调制器和光电探测器的速度限制。考虑到微波线速率孤子微调制器、超低损耗氮化硅波导、高速片上探测器和调制器的混合集成的最新进展，这种方法为光子张量核的全互补金属氧化物半导体（CMOS）晶圆级集成提供了一条途径。虽然本工作只是针对于卷积处理，但更普遍的是，实验结果表明，集成光子学在数据密集型人工智能应用（如自动驾驶、实时视频处理和下一代云计算服务）中具有并行、快速和高效计算硬件的潜力。
    时间： 2021-01-15
    作者： KPC
  • 显微拉曼光谱在测量晶圆（多晶硅薄膜）残余应力上的应用
    在半导体生产过程中，退火、切割、光刻、打线、封装等多个生产工序都会引入应力，而应力分为张应力和压应力；应力也分有益的和有害之分。应变 Si（strained Silicon 或 sSi）是指硅单晶受应力的作用，其晶格结构和晶格常数不同于未应变体硅晶体。应变的存在，使 Si 晶体结构由立方晶体特征向四方晶体结构特征转变，导致其能带结构发生变化，从而最终导致其载流子迁移率发生变化。研究表明，在 Si 单晶中分别引入张应变和压应变，可分别使其电子迁移率和空穴迁移率有显著的提升因而，从 Si CMOS IC 的 90nm 工艺开始，在 Si 器件沟道以及晶圆材料中引入应变，提高了器件沟道迁移率或材料载流子迁移率，从而提升器件和电流的高速性能。多晶硅薄膜是MEMS（micro-electro-mechanical systems）器件中重要的结构材料，通常在单晶硅基底上由沉积方法形成。由于薄膜与基底不同的热膨胀系数、沉积温度、沉积方式、环境条件等众多因素的综合作用，多晶硅薄膜一般都存在大小不一的拉应力或者压应力。作为结构材料多晶硅薄膜的材料力学性能在很大程度上决定了MEMS器件的可靠性和稳定性。而多晶硅薄膜的残余应力对其断裂强度、疲劳强度等力学性能有显著的影响。表面及亚表面损伤还会引起残余应力，残余应力的存在将影响晶圆的强度，引起晶圆的翘曲如图1所示。所以准确测量和表征多晶硅薄膜的残余应力对于生产成熟的MEMS器件具有重要的意义。图 1 翘曲的晶圆片图 2 Si N 致张应变 SOI 工艺原理示意图，随着具有压应力 SiN 淀积在 SOI 晶圆上，顶层 Si 便会因为受到 SiN 薄膜拉伸作用发生张应变应力的测试难度非常大。由于MEMS中的多晶硅薄膜具有明显的小尺度特征，准确测量多晶硅薄膜的残余应力并不是一件容易的事情。目前在对薄膜的残余应力测量中主要采用两种方法：一种是X射线衍射，通过测量薄膜晶体中晶格常数的变化来计算薄膜的残余应力，这种方法可以实现对薄膜微区残余应力的准确测量，但测量范围较小，且对试样的制备具有较高的要求，基本不能实现在线薄膜残余应力测量。另外一种就是显微拉曼谱测量法，该方法具有非接触、无损、宽频谱范围和高空间分辨率等优点。通过测量薄膜在残余应力作用下引起的材料拉曼谱峰的移动可推知薄膜的残余应力分布。该方法可以实现对薄膜试件应力状况的在线监测，是表征薄膜材料尤其是MEMS器件中薄膜材料残余应力的一种重要方法。用于力学测量的一般要具有高水平的波长稳定性的紫外或可见光激发光源，并具备高光谱分辨率（小于 1cm-1）的显微拉曼光谱系统。1. 测量原理1.1. 薄膜残余应力与拉曼谱峰移的关系拉曼谱测量薄膜残余应力的示意图如图2所示。激光器发出的单色激光（带箭头实线）经过带通滤波器和光束分离器以后经物镜汇聚照射到样品表面‚激光光子与薄膜原子相互碰撞造成激光光子的散射。其中发生非弹性碰撞的光束（带箭头虚线）经过光束分离器和反射滤波器后，汇聚到声谱仪上形成薄膜的拉曼谱峰。拉曼散射光谱的产生跟薄膜物质原子本身的振动相关，只有当薄膜物质的原子振动伴随有极化率的变化时，激光的光子才能跟薄膜物质原子发生相互作用而形成拉曼光谱。当薄膜存在拉或压的残余应力时，其原子的键长会相应地伸长或缩短，使薄膜的力常数减小或增大，因而原子的振动频率会减小或增大，拉曼谱的峰值会向低频或高频移动。此时，拉曼峰值频率的移动量与薄膜内部残余应力的大小具有线性关系，即Δδ＝ασ或者σ＝kΔδ，Δδ是薄膜拉曼峰值的频移量，σ是薄膜的残余应力，k和α称为应力因子。图 3 拉曼测量系统示意图图 4 拉曼光谱测试晶圆的示意图2. 多晶硅薄膜残余应力计算对于单晶硅，激光光子与其作用时存在3种光学振动模式，两种平面内的一种竖直方向上的，这与其晶体结构密切相关。当单晶硅中存在应变时，这几种模式下的光子振动频率可以通过求解特征矩阵方程ΔK－ λI ＝ 0获得。其中ΔK是应变条件下光子的力常数改变量（光子变形能）λi（i＝ 1 ，2，3）是与非扰动频率ω0和扰动频率ωi相关的参量（λi≈ 2ω0（ωi－ω0）），I是3×3单位矩阵。由于光子在多晶硅表面散射方向的随机性和薄膜制造过程的工艺性等许多因素的影响，使得利用拉曼谱法测量多晶硅薄膜的残余应力变得更加复杂。Anastassakis和Liarokapis应用Voigt-Reuss-Hill平均和张量不变性得出与单晶硅形式相同的多晶硅薄膜的光子振动频率特征方程式。此时采用的光子变形能常数分别是K11＝－2.12ω02 K12＝－1.65ω02 K33＝－0.23ω02是光子的非扰动频率。与之相对应的柔度因子分别是S11＝ 6.20×10-12Pa-1S12＝－1.39 ×10-12Pa-1S33＝ 15.17 ×10-12Pa-1对于桥式多晶硅薄膜残余应力的分析，假定在薄膜两端存在大小相等、方向相反（指向桥中心）的力使薄膜呈拉应力。此时，拉曼谱峰值的频移与应力的关系可以表达为Δω ＝σ（K11＋2 K12）（S11＋2 S12）/3ω0代入参量得Δω ＝－1.6（cm-1GPa-1）σ，即σ＝－0.63（cmGPa）Δω （1）其中σ是多晶硅薄膜的残余应力，单位为GPa；Δω是多晶硅薄膜拉曼峰值的频移单位为cm-1。3. 应力的拉曼表征桥式多晶硅薄膜梁沿长度方向的拉曼光谱峰值频移情况如图3所示。无应力多晶硅拉曼谱峰的标准波数是520 cm-1，从图3可以看出，当拉曼光谱的测量点从薄膜的两端向中间靠拢时，多晶硅的峰值波数将沿图中箭头方向移动，即当测量位置接近中部时，多晶硅薄膜的峰值波数将会逐渐达到最小。图中拉曼谱曲线采用洛伦兹函数拟合获得。通过得曲线的洛伦兹峰值的横坐标位置，就可以根据式（1）得到多晶硅薄膜的残余应力分布情况，如图4所示。由于制造过程的偏差，多晶硅薄膜的实际梁长L=213μm。图 10 共聚焦显微拉曼光谱扫描成像仪测得晶圆应力分布，红色的应力越大，蓝色的应力较小。
    时间： 2021-11-26
    作者： 奥谱天成
  • 我国研制出世界首个碳纳米管张量处理器芯片
    据北京大学官方网站公布的消息，该校科研团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片，可实现高能效的卷积神经网络运算。随着人工智能技术的飞速发展，尤其是ChatGPT等大模型应用的崛起，未来世界的数据将呈爆发式增长，海量数据的处理对芯片的算力和能量效率提出了严峻挑战。然而，高能效计算芯片的发展正遭遇芯片架构、晶体管性能两个重大瓶颈：传统的冯诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求，未来的高能效运算芯片必须在硬件架构上进行革新，以适用于神经网络等模型的张量数据运算。同时，构建芯片的硅基互补金属氧化物半导体晶体管也处于尺寸缩减、功耗剧增的困境，亟须发展超薄、高载流子迁移率的半导体作为沟道材料，期望构建比硅基CMOS晶体管具有更好可缩减性和更高性能的晶体管。碳纳米管具有优异的电学特性和超薄结构，碳纳米管晶体管已经展现出超越商用硅基晶体管的性能和功耗潜力，因此有望成为构建未来高效能运算芯片的主要器件技术。只有在系统架构和底层晶体管两个方面共同实现突破，才能最大化地提升芯片的算力和能效。目前成熟的硅基器件技术的运算芯片主要依赖于架构的创新，而基于新材料电子器件的研究，主要集中在提升晶体管的性能，尚未有研究工作将二者结合起来。北京大学研究团队基于碳纳米管晶体管这一新型器件技术，结合高效的脉动阵列架构设计，成功制备了世界首个碳纳米管基的张量处理器芯片。该芯片采用新型器件工艺和脉动阵列架构，将3000个碳纳米管晶体管集成为张量处理器芯片，将碳基电子学从器件研究推向系统演示，显著提升卷积神经网络的运算效率，功耗极低，且准确率达到88％。此外，碳基晶体管展现出比硅基CMOS晶体管更优的速度、功耗等综合优势，碳基张量处理器在180纳米技术节点具有3倍性能优势，并有延续至先进技术节点的潜力，有望满足人工智能时代对高性能、高能效芯片的需求。
    时间： 2024-08-02
    作者： Jansky
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