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请教各位大侠,SEM能用来标定异质外延膜的厚度么?外延膜大概40nm左右,衬低375微米,SEM能分辨出不同的物质么,象TEM不同的物质颜色不一样,或者还是得打能谱?一般的SEM分辨率能有多少?能谱束斑多大?急切等待各位大侠赐教!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
[color=#444444]在钛酸锶(SrTiO3)基片上沉积陶瓷薄膜CTNA,如图,由XRD可以看出是外延生长薄膜,现如今想计算该薄膜的晶格常数,怎么算??[/color][color=#444444]用Jade拟合,然后晶胞参数精修行不通(拟合之后的误差因子非常大);[/color][color=#444444]如果手动计算,条件好像不够(薄膜样为正交结构,a不等于b不等于c。由同一晶面族的三个晶面算不出来,一个方程两个未知数。)[/color][color=#444444]如果采用GSAS结构精修,是否可行? XRD图谱里面既有薄膜样的衍射峰又有基底的衍射峰,并且又是外延薄膜,和pdf卡片上面的标准衍射峰不可能完全对应,怎么处理?或者有没有其他的计算方法。。[/color][color=#444444] 请大侠赐教,不胜感激![img=,690,478]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707041523_01_3226112_3.jpg[/img][/color]
MBE有许多优点:①由于MBE是在超高真空系统中操作,使用纯度极高的元素材料,所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜;②生长速率低,大约为一微米每小时,可以精确地控制外延层厚度,制造超薄层晶格结构及其它器件;③生长温度低,可避免高温生长引起的杂质扩散,能得到突变的界面杂质分布;④可在生长腔内安装仪器,例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量;⑤由于基本能够旋转,保证了外延膜的均匀性。分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展,使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件,为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。MBE存在的不足是:表面形态的卵形缺陷,长须状缺陷及多晶生长,难于控制两种以上V族元素,不利于批量生产等。