闪存结构

据新华社伦敦5月19日电 英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备，与现在广泛使用的闪存相比，耗电量更低，而存取速度要快上一百倍。 电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料的特殊性在于，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能，是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。 英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说，他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料，相应存储设备可在常规环境下运行，因此应用价值大大提高。 研究人员安东尼·凯尼恩说，这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上。 据介绍，这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管，但在实验过程中出了故障，发现所用材料的电学性质变得不稳定了，检查之后发现它们电阻在变化，原因是已经变成了忆阻材料，于是正好把它们转用于研发新型存储设备。（记者 黄堃）

12月15日报道，台湾“国研院”纳米(台称：“奈米”)组件实验室领先全球，开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞；这个新内存在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据，将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性，这项技术预计在5到10年内进入量产。　　台湾“国研院”院长陈文华，以及负责“9纳米超节能内存”开发的何家骅博士14日召开记者会，公布这项重大研究成果。　　何家骅指出，随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加，如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存，是全球研究人员努力的目标。　　如今台湾开发出最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞，容量比现比的闪存增大20倍，但耗电量却降低了200倍，应用这个技术在1平方厘米面积下，可以储存1个图书馆的文字数据，而且可再借立体堆栈设计，进一步提升容量，让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。　　这项重要开发成果已于12月8日在美国旧金山举行的国际电子组件会议(IEDM)正式发表，引起国际微电子产学研界高度重视。　　何家骅预料，这项新技术5到10年内量产，届时将可对全球新台币1兆元的传统闪存产生重大贡献，也希望这项技术能在2025年时有机会协助台湾于全球闪存的市场占有率提升至10%以上的产值。