强度调制光谱

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强度调制光谱相关的耗材

  • 2um铌酸锂强度调制器
    2um铌酸锂强度调制器产品介绍:美国EOSPACE公司是波音公司的分支机构,是世界上专业生产高精度,高品质的铌酸锂光电产品的公司。其产品符合航天航空要求,并且具有强大的研发能力,可以按照客户的方案进行设计和定制。 美国EOSPACE生产的高速铌酸锂强度调制器可以提供10G到40G的速率。并且具有宽的工作带宽,超低的驱动电压。同时提供多种工作波长型号,波长覆盖700,750nm, 850nm,980nm,1060nm,1310nm,1550nm,1700nm,2000+nm等选择。提供超高消光比产品,消光比可以选择40dB,50dB,以及60dB. EOSAPCE的产品提供多种定制方案,包括低电压,低插损,高消光比,指定啁啾因子,定制双工作窗口,内置监控PD,内置起偏器,外部RF端子接口,双驱动,小封装尺寸,内置相位调制器,多通道类型(1*2,2*2)等。 因产品定制后参数可能产生变化,下列参数仅供参考。其标准的强度调制器具有较低的工作电压,低差损,和高消光比的特点。产品适合宽带光通讯应用,也适合航天航空领域的微波通信用途。产品特点:工作波长2um波段提供多种定制方案提供超低电压的类型符合GR768标准
  • 40G强度调制器铌酸锂
    10-40G铌酸锂强度调制器产品介绍:美国EOSPACE公司是波音公司的分支机构,是世界上专业生产高精度,高品质的铌酸锂光电产品的公司。其产品符合航天航空要求,并且具有强大的研发能力,可以按照客户的方案进行设计和定制。 美国EOSPACE生产的高速铌酸锂强度调制器可以提供10G到40G的速率。并且具有宽的工作带宽,超低的驱动电压。同时提供多种工作波长型号,波长覆盖700,750nm, 850nm,980nm,1060nm,1310nm,1550nm,1700nm,2000+nm等选择。提供超高消光比产品,消光比可以选择40dB,50dB,以及60dB. EOSAPCE的产品提供多种定制方案,包括低电压,低插损,高消光比,指定啁啾因子,定制双工作窗口,内置监控PD,内置起偏器,外部RF端子接口,双驱动,小封装尺寸,内置相位调制器,多通道类型(1*2,2*2)等。 因产品定制后参数可能产生变化,下列参数仅供参考。其标准的强度调制器具有较低的工作电压,低差损,和高消光比的特点。产品适合宽带光通讯应用,也适合航天航空领域的微波通信用途。产品特点:工作波长C和L波段,可以定制其他波长600-2000nm) 提供Z-cut和X-cut类型提供多种定制方案提供超低电压的类型Vpi3V.产品参数:参 数Z-cut 固定啁啾X-cut 零啁啾插入损耗4dB(3dB可定制)5dB(4dB可定制)调制电压Vpi @1GHz4volts (3.5V 可定制)5volts (4v 可定制)直流偏置端 Vpi10volts3dB 带宽10G-35G10G-25GS11 (0.13-25GHz)-10dBNull Dpth @DC20dB (更高参数可定制)光回波损耗50dBAlpha啁啾因子-0.7±0.10.0±0.1外形尺寸88.4*8.9*8.9mm输入光纤 PM输出光纤SM or PM
  • 10-20G强度调制器库存
    10-20G强度调制器 大量全新库存

强度调制光谱相关的仪器

  • 该仪器采用闭环控制技术调节和调制光强和调制, 从而保证了光源的绝对稳定性. 在仪器匹配的光源内装有光强传感器, 工作时系统自动比较并计算测得的实际光强与设定值的偏差并加以校正,这样就消除了由于光源器件的非线性、老化、以及温度漂移产生的光强输出误差。 CIMPS可以配置以下各种配件选件:CIMPS-abs、CIMPS-QE/IPCE、CIMPS-dtr、CIMPS-emit、CIMPS-fit,光电化学池、365nm-1550nm 智能光源CIMPS软件:使用Zahner 的CIMPS系统测量光电输运函数与执行电化学阻抗或循环伏安法实验一样方便。Zahner公司的Thales软件已经内置了多种标准的光电测试技术。模拟与拟合软件SIM允许用户自定义各种不同的等效电路元件以及电子输运函数,极大的降低了光电输运函数中频率依赖性关系分析的难度。CIMPS软件能够实现以下实验:1、静态光电压曲线,静态光电流曲线2、动态光致电压效率,动态光致电流效率3、填充因子,最大功率,峰值转化效率4、时域谱测量,瞬态光强度下电压,电流对时间谱5、斩光伏安法6、电荷抽取等方法7、常规电化学测量(EIS,CV等)
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  • 可控强度调制光电化学谱仪 IMPS / IMVS系统可以完成 IMPS和IMVS等多种光电化学测试功能。可控强度调制光电化学谱仪 IMPS / IMVS 采用实时闭环快速控制技术来调节和调制光强, 从而保证了光源的绝对稳定性和可靠性。 在仪器匹配的光源内装有光强传感器, 工作时系统自动比较并计算测得的实际光强与设定值的偏差并加以快速校正,这样就消除了由于光源器件的非线性、老化、以及温度漂移产生的光强输出误差。仪器还可以直接输入单位为(W/cm2)的具体数值校正光源,非常方便。札纳CIMPS光电化学系列产品的型号:CIMPS-ProZennium Pro 电化学工作站 PP212 外置恒电位/恒电流仪,用于光源强度调制和驱动 EPC42控制模块 光具座,传感器,光感放大反馈系统 CIMPS及Thales软件CIMPS-X Zennium X 电化学工作站 PP212 外置恒电位/恒电流仪,用于光源强度调制和驱动 EPC42控制模块 光具座,传感器,光感放大反馈系统 CIMPS及Thales软件CIMPS可以配置以下各种配件选件:CIMPS-abs、CIMPS-QE/IPCE、CIMPS-dtr、CIMPS-emit、CIMPS-fit,光电化学池、365nm-1550nm 智能光源 可选光源:Zahner的光电化学系统使用独特的智能LED单色光源,每一个光源都有可溯源的NIST标准的标定数据。系统自动识别每一个光源的标识芯片,标识芯片中包含光源的所有信息。光源单元具有自动过载保护功能。 CIMPS应用方法:使用Zahner 的CIMPS系统测量光电输运函数与执行电化学阻抗或循环伏安法实验一样方便。Zahner公司的Thales软件已经内置了多种标准的光电测试技术。模拟与拟合软件SIM允许用户自定义各种不同的等效电路元件以及电子输运函数,极大的降低了光电输运函数中频率依赖性关系分析的难度。CIMPS软件能够实现以下光电化学实验:静态光电压曲线/静态光电流曲线IMPS/IMVS动态光致电压效率,动态光致电流效率 填充因子(FF),开路电压(Voc)),短路电流(Isc),功率(Pmax),峰值转化效率(PCE)可编辑的时域谱测量,瞬态光强度下电压,电流时间谱斩光伏安法-CLV电荷抽取等方法-Charge extraction常规电化学测量(EIS,IV等)
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  • 产品名称:1550nm高消光比强度调制器产品简介:MXER-LN系列是具有极高消光比的高性能铌酸锂(LiNbO3)强度调制器,依赖与厂家Photline Technologies的“Magic Junction”专利设计。MXER-LN系列强度调制器是同时需要高消光比及高带宽系统应用中的关键器件,如脉冲捡拾、脉冲产生、雷达遥感以及光纤传感系统。 产品特点:• 高消光比:40dB• 高带宽( 15GHz)• X-cut,高稳定性• 低驱动电压应用领域:• 脉冲生成/捡拾• 载波抑制• 光纤传感• 脉冲应用指标规格: 参数单位min标准MAX电学特性电光带宽GHz1012-电回损S11dB--12-10Vpi RF @50kHzV-5.56Vpi RF @10GHzV-6.57Vpi DCV-6.57RF输入阻抗?50射频输入功率dBm28光学特性工作波长nm153015501580插入损耗dB-45DC消光比dB30--35--40--光回损dB-40 min, -45 typ光输入功率dBm20选项-20GHz带宽订购信息:请联系我们的销售人员北京波威科技有限公司电话:Email:
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  • 【讨论】关于导数光谱和调制光谱的讨论

    [font=宋体][size=3][/size][/font] [font=宋体][size=3]波长调制是用以获得导数光谱的一种方法。假如波长间隔小鱼谱带宽度,在正弦的情况下,所得到的强度调制的振幅,将严格的正比于调制间隔范围累的光谱斜率,即谱带对于波长的一阶导数。然而,导数光谱也可以不包括波长调制的其他方法获得。反之,波长调制还有其他方面的应用,并不局限于记录导数光谱。方法的操作原理基本上相同,都是根据测量强度和吸光度随波长的变化。[/size][/font][size=3][font=宋体]问题:[/font][font=Times New Roman]1 [/font][font=宋体]导数光谱除了波长调制,还有什么其他方法获得[/font][/size][size=3][font=Times New Roman] 2 [/font][font=宋体]波长调制还有其他什么方面的应用?[/font][/size]

  • 【讨论】光谱图 调制度

    [size=4]大家好!有个问题要请教:如果干涉图的调制度为0.9,那么反映在光谱图上,是怎样的啊?谢谢![/size]

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  • 波长调制光谱(WMS)技术简介
    可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy, 即TDLAS)是一种红外吸收光谱分析技术,利用分子“选频”吸收形成吸收光谱的原理,实现高分辨率的分子浓度定量分析技术。TDLAS能够进行原位非接触式测量,并且具有高精度、高选择性等特性,结合波长调制光谱(WMS)和锁相放大等抑制噪声的技术,可以实现ppm甚至ppb量级的痕量气体分子浓度测量。 之前我们已经介绍过锁相放大的工作原理和其在TDLAS中的应用,今天小编就跟大家聊聊WMS背后的科学还有实际的应用方式吧! TDLAS基本原理及Beer-Lambert定律 了解WMS技术之前,我们先简单复习一下TDLAS的原理:基本方法是通过调谐特定的半导体激光器波长,扫过被测气体分子的特定吸收光谱线,被气体吸收后的透射光由光电探测器接收,经锁相放大模块提取透射光谱的谐波分量,反演出待测气体浓度信息。 为了确定与于目标分子浓度相关的吸收,必须将透射光强度I与入射光强度I0进行比较。这个定量分析的依据来自Beer-Lambert定律: 其中L为光程,α(v) 是由入射光波长和样品中目标分子浓度同时决定的吸收系数。TDLAS技术通过使用Beer-Lambert定律分析吸收光谱的数据,便可以获得分子浓度信息。 图一 TDLAS技术示意图 直接吸收光谱(DAS) 接着,我们来看一下直观的直接吸收光谱(Direct Absorption Spectroscopy, DAS)技术。顾名思义,DAS技术通过检测入射光和透射光强度直接获得光吸收量(如图二),并根据两个信号的比例直接推断出气体特性,典型的DAS方法得到的信号如图三。 图二 DAS示意图:调谐激光器波长扫过被测气体分子的特定吸收光谱线,在吸收峰可以直接看到的投射光强度衰减 图三 直接吸收光谱(DAS)技术的典型透射光强度信号 图三也显示了DAS的潜在问题,其相对简易直接的性质使得DAS对许多噪声源敏感。各种高强度的噪声可能源于激光强度波动、激光波长波动(如果激光波长在吸收曲线内波动,也会导致透射光的强度波动)、探测器噪声、散粒噪声(光子噪声)和其他技术噪声。如果吸收谱线足够强,即吸收物质的浓度足够高、提供足够的信噪比 (SNR),则可以使用DAS进行准确测量。然而,检测低浓度的气体分子需要进一步减少吸收接收信号中的噪声,WMS就是一种在TDLAS技术中广为应用来抑制噪声的方法。 波长调制光谱(WMS) WMS能够改善DAS在信噪比较差的环境中的局限性。将入射激光的波长用一个相对较高频率的载波(通常约为10 kHz)进行调制(如图四),并且将吸收光谱信号以调制频率或该频率的谐波进行解调评估分析,获取特异但有规律可循的谐波波形,从而获取分子浓度信息。由于噪声的影响主要存在于低频,例如二极管的1/f噪声或机械噪声,WMS技术将吸收光谱的检测转移到到了信噪比较优的高频,以此达到抑制噪声的目的。 图四 WMS示意图:调制入射激光的波长至较高频率,将接收端信号以调制频率的谐波进行解调分析 WMS的实现是通过调制可调谐半导体激光器的注入电流,以达到对激光输出的波长和强度的高频调制,并将吸收信号移到了更高的频率。其中,TDLAS系统的线性响应(激光器的线性强度调谐)以调制频率的一次谐波为中心,系统的非线性响应(例如吸收和非线性强度调谐)则反应在调制频率的二次及更高次谐波,因此可以透过对高次谐波信号的分析来提取光谱吸收信息。一般来说,二次谐波分析足以满足大多数的气体分析要求。 要提取并分析在已知载波频率的高频信号,锁相放大器是一个十分强大的工具。利用锁相放大器可以用来创建指定频率的带通滤波器,如果带宽足够窄,便能抑制宽带噪声,所以用于调制的频率必须避开主要的噪声频率。(点击这里了解锁相放大器在TDLAS系统中的功用) 除此之外,WMS技术还提供了另外一种选择,能够通过频分复用的方法同时发射传播多个不同波长的激光。多个激光以不同的频率调制并收集在单个探测器上,谨慎选择的调制频率能够尽量避免谐波重叠或拍频干扰,最终每个激光信号都可以由独立的锁相放大通道器提取。利用昕虹光电数字电路实现的双通道锁相放大器,使得实现这样的一个多组分分子一体化探测系统变得经济而简单,实现对多个目标分子(如多种温室气体N2O,CH4,CO2等)同时进行测量。 参考文献:1. “Absorption spectroscopy”, http://www.atomic.physics.lu.se/fileadmin/atomfysik/Education/Elective_courses/FAF080_AtomoMolekylSpektr/Lab_absorption_spectroscopy_2017.pdf2. Christopher Lyle Strand, 2014, ‘Scanned Wavelength-Modulation Absorption Spectroscopy with Application to Hypersonic Impulse Flow Facilities’, PhD thesis, Standford University, USA.
  • 基于177.3nm激光的真空紫外光调制反射光谱仪
    CPB仪器与测量栏目最新发文:基于177.3nm激光的真空紫外光调制反射光谱仪,此装置将有望成为高效无损地探测宽禁带半导体材料电子能带结构高阶临界点的有效光学表征手段,并广泛用于超宽禁带半导体材料及其异质结的电子能带结构研究。光调制反射光谱是通过斩波器周期性地改变泵浦光源对样品的照射来测量半导体材料反射率相对变化的一种光谱分析技术。由于所测差分反射率作为能量的函数在材料电子能带结构的联合态密度奇点附近表现出明显的特征,光调制反射光谱已成为研究具有显著电子能带结构的半导体、金属、半金属及其微纳结构和异质结等材料联合态密度临界点的重要实验技术之一。光调制反射光谱中所使用的泵浦激光的光子能量一般要高于被研究材料的带隙,随着第三代宽禁带与超宽禁带半导体材料相关研究和应用的不断深入,需要更高能量的紫外激光作为光调制反射光谱的泵浦光源。目前国际上已报道的光调制反射光谱系统中,配备的泵浦光最大光子能量约5 eV,尚未到达真空紫外波段。因此,迫切需要发展新一代配备高光子能量和高光通量的泵浦光源的光调制反射光谱仪,使其具备探测超宽带隙材料的带隙和一般材料的超高能量临界点的能力。中科院理化所研制的深紫外固态激光源使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化深紫外全固态激光器的国家,已成功与多种尖端科研设备相结合并取得重要成果。此文详细介绍了由中科院半导体所谭平恒研究员课题组利用该深紫外固态激光源搭建的国际上首台真空紫外光调制反射光谱仪(图1)的系统设计和构造,将光谱仪器技术、真空技术、低温技术与中科院理化所研制的177.3 nm深紫外激光源相结合,同时采用双单色仪扫描技术和双调制探测技术,有效避免了光调制反射光谱采集中的荧光信号的干扰,提高了采集灵敏度。该系统将光调制反射技术的能量探测范围从常规的近红外至可见光波段扩展至深紫外波段,光谱分辨率优于0.06 nm,控温范围8 K~300 K,真空度低至10-6 hPa, 光调制反射信号强度可达10-4。通过对典型半导体材料GaAs和GaN在近红外波段至深紫外波段的光调制反射信号的测量对其探测能力进行了性能验证(图2)。此装置将有望成为高效无损地探测宽禁带半导体材料电子能带结构高阶临界点的有效光学表征手段,并广泛用于超宽禁带半导体材料及其异质结的电子能带结构研究。该系统基于中科院半导体所承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制(二期)”子项目“深紫外激光调制反射光谱仪”,目前已经初步应用于多种半导体材料在深紫外能量范围内的能带结构和物性研究,并入选《中国科学院自主研制科学仪器》产品名录,将有望在推动超宽禁带半导体材料的电子能带结构研究、优化超宽禁带光电子器件的性能方面发挥重要作用。图1. 深紫外激光调制反射光谱仪图2. 177.3 nm(7.0 eV)激光泵浦下的GaAs在1.2 eV至6 eV内的双调制反射光谱及对应能级跃迁
  • 纯相位空间光调制器在PSF工程中的应用
    纯相位空间光调制器在PSF工程中的应用一、引言2014年诺贝尔化学奖揭晓,美国及德国三位科学家Eric Betzig、Stefan W. Hell和William E. Moerner获奖。获奖理由是“研制出超分辨率荧光显微镜”,从此人们对点扩散函数 (PSF) 工程的认识有了显着提高。Moerner 展示了 PSF 工程与 Meadowlark Optics SLM 的使用案例,用于荧光发射器的超分辨率成像和 3D 定位。 PSF工程已被证明使显微镜能够使用多种成像模式对样本进行成像,同时以非机械方式在模式之间变化。这允许对具有弱折射率的结构进行成像,以及对相位结构进行定量测量。 已证明的成像方式包括:螺旋相位成像、暗场成像、相位对比成像、微分干涉对比成像和扩展景深成像。美国Meadowlark Optics 公司专注于模拟寻址纯相位空间光调制器的设 计、开发和制造,有40多年的历史,该公司空间光调制器产品广泛应用于自适应光学,散射或浑浊介质中的成像,双光子/三光子显微成像,光遗传学,全息光镊(HOT),脉冲整形,光学加密,量子计算,光通信,湍流模拟等领域。其高分辨率、高刷新率、高填充因子的特点适用于PSF工程应用中。图1. Meadowlark 2022年蕞新推出 1024 x 1024 1K刷新率SLM二、空间光调制器在PSF工程中的技术介绍在单分子定位显微镜(SMLM)中,通过从相机视场中稀疏分布的发射点来估计单个分子的位置,从而克服了分辨率的衍射限制。可实现的分辨率受到定位精度和荧光标签密度的限制,在实践中可能是几十纳米的数量级。有科研团队已经将这种技术扩展到三维定位。通过在光路中加入一个圆柱形透镜或使用双平面或多焦点成像,可以估算出分子的轴向位置。光斑的拉长(散光)或光斑大小的差异(双平面成像)对轴向位置进行编码。将空间光调制器(SLM)与4F中继系统结合到成像光路中,可以设计更广泛的点扩散函数(PSF),为优化显微镜的定位性能提供了可能。利用空间光调制器(SLM)对荧光显微镜进行校准,可以建立一个远低于衍射极限的波前误差,SIEMONS团队就利用Meadowlark空间光调制器实现了高精度的波前控制。原理证明和实验显示,在1微米的轴向范围内,在x、y和λ的精度低于10纳米,在z的精度低于20纳米。对这篇文献感兴趣的话可以联系我们查阅文献原文《High precision wavefront control in point spread function engineering for single emitter localization 》下面我们来具体看看是如何应用的,以及应用效果如何。图2. A)SLM校准分支和通过光路的偏振传输示意图。额外的线性偏振滤波器没有被画出来,因为它们与偏振分光器对齐。B)相机上的强度响应作为λ/2-板不同方向α的SLM的相位延迟的函数。C) 光学装置的示意图。一个带有SLM的中继系统被添加到显微镜的发射路径中(红色),一个单独的SLM校准路径(绿色)被纳入发射中继系统中。这允许在实验之间进行SLM校准。BE:扩束器,DM:分色镜,L:镜头,LPF:线性偏振滤镜,M:镜子。OL:物镜,PBS:偏振分光镜,TL:管镜。光路如上图2所示,包括一台尼康Ti-E显微镜,带有TIRF APO物镜(NA = 1.49,M = 100),一个200毫米的管状镜头,一个带有SLM的中继系统被建立在显微镜的一个出口端口。中继系统包括两个消色差透镜,一个向列型液晶空间光调制器(LCOS)SLM(Meadowlark,XY系列,512x512像素,像素大小=15微米,设计波长=532纳米)和一个偏振分光器,用于过滤未被SLM调制的X偏振光。di一个消色差透镜在SLM上转发光束。第二个中继镜头确保在EMCCD上对荧光物体进行奈奎斯特采样。显微镜配备了一套波长为405nm、488nm、561nm和642nm的合束激光器。 这个配置增加了一个用于校准SLM的第二个光路。这个空降光调制器校准光路是为测量入射到SLM上的X和Y偏振光之间的延迟差而设计的,为了测量某个SLM像素的调制,需要将SLM映射到校准路径的相机上。这种映射是通过在SLM上施加一个电压增加的棋盘图案来获得的。平均捕获的图像和没有施加电压时的图像之间的差异被用作角落检测算法(来自Matlab - Mathworks的findcheckerboard)的输入,以找到角落点。对这些点进行仿生变换,并用于找到对应于每个SLM像素的CMOS像素。图3. SLM校准程序。A) 单个SLM像素的测量强度响应作为应用电压的函数。每一个极值都对应于等于π的整数倍的相位变化,并拟合一个二阶多项式以提高寻找极值的精度。强度被分割成四个部分,它们被缩放为[0 1]。这个归一化的强度(B)被转换为相位(C),并反转以创建该特定电压段和像素的LUT(D)。E)20个随机选择的SLM像素的归一化强度响应,显示像素间的变化。F) 测量的波前均方根误差是校准后立即使用校准LUT的相位的函数,45分钟后,以及制造商提供的LUT。G) 在不同的恒定相位下,用于成像光路的SLM部分的LUTs。暗点表示没有3个蕞大值的像素。H) 测量的平均相位和预定相位之间的差异作为预定相位的函数。 图3解释了SLM像素的校准程序。首先,以256步测量作为应用电压函数的强度响应,产生一连串的蕞小值和蕞大值,它们对应于π或2π的迟滞。在被照亮的SLM平面内的所有像素似乎有三个蕞大值,这意味着总的相位调制为4π或1094纳米。这些极值出现的电压是通过对极值附近的三个点进行拟合抛物线来找到的,这增加了精度,并充分利用了SLM的16位控制。然后,强度被分为四段,用公式(11)的逆值对这些段进行缩放并转换为相位。相位响应被用来为每个SLM像素构建一个单独的查找表(LUT),以补偿SLM的非均匀性。LUT参数在SLM上平滑变化,并与肉眼可见的法布里-珀罗条纹大致对应,表明相位响应的差异是由于液晶层厚度的变化造成的。额外的像素与像素之间的变化可能来自底层硅开关电路的像素与像素之间的变化。完整的校准需要大约5分钟(在四核3.3GHz i7处理器上的3分钟扫描和2分钟计算时间),但原则上可以优化到运行更快。实验结果:图4 测量的PSF与矢量PSF模型拟合之间的PSF比较。G-I)平均测量的PSF是由大约108个光子携带的信号通过上采样(3×)和覆盖所有获得的斑点编制而成。比例尺表示1μm。 图4显示PSF模型的预测结果。通过这种方式,实验的PSF是由∼108个光子的累积信号建立起来的。实验和理论上的矢量PSF之间的一致性通常是非常好的,甚至在蕞大的离焦值的边缘结构也是非常匹配的。剩下的差异,主要是光斑的轻微变宽,是由于入射到相机上的光的非零光谱宽度,由于发射光谱的宽度和四带分色器的带通区域的宽度。边缘结构中也有一个小的不对称性,这可能是由光学系统中残留的高阶球差造成的。 所有工程PSF的一个共同特点是,与简单的二维聚焦斑点相比,它们的复杂性必须在PSF模型中得到体现,该模型被用于估计三维位置(可能还有发射颜色或分子方向)的参数拟合算法。简化的PSF模型,如高斯模型、基于标量衍射的Airy模型、Gibson-Lanni模型,或基于Hermite函数的有效模型都不能满足这一要求。一个解决方案是使用实验参考PSF,或用花样拟合这样的PSF作为模型PSF,或者使用一个或多个查找表(LUTs)来估计Z-位置。矢量PSF模型也可以用于复杂的3D和3D+λ工程PSF。众所周知,矢量PSF模型是高NA荧光成像系统中图像形成的物理正确模型。复杂的工程PSF的另一个共同特点是对扰乱设计的PSF形状的像差的敏感性,并以这种方式对精度和准确性产生负面影响。为了实现精确到Cramér-Rao下限(CRLB),即无偏估计器的蕞佳精度,光学系统的像差水平应该被控制在衍射极限(0.072λ均方根波前像差),这个条件在实践中往往无法满足。因此,需要使用可变形镜或为产生工程PSF而存在的SLM对像差进行校正。自适应光学元件的控制参数可以使用基于图像的指标或通过测量待校正的像差来设置。后者可以通过基于引入相位多样性的相位检索算法来完成,通常采用通焦珠扫描的形式。这已经在高数值孔径显微镜系统、定位显微镜中实现,并用于提高STED激光聚焦的质量。三、PSF应用对液晶空间光调制器的要求1.光利用率 对于这个应用来说,SLM将光学损失降到蕞低是很重要的。PSF工程使用SLM来操纵显微镜发射路径上的波前。在不增加损失的情况下,荧光成像中缺乏信号。使用具有高填充系数的SLM可以蕞大限度地减少衍射的损失。 Meadowlark公司能提供标速版95.6%的空间光调制器,分辨率达1920x1200,高刷新率版像素1024x1024,填充因子97.2%和dielectric mirror coated版本(100%填充率)。镀介电膜版本的SLM反射率可以做到100%,一级衍射效率可以做到98%。高分辨率能在满足创建复杂相位函数的同时,能够提升系统的光利用率。2.刷新率(蕞高可达1K Hz)高速度可以实现实时的深层组织超分辨率成像。可见光波段蕞高可达1K Hz刷新速度(@532nm)。3.分辨率(1920x1200) 高分辨率的SLM是创建三维定位所需的复杂相位函数的理想选择,如此能够对每个小像元区域的光场进行自由调控。上海昊量光电作为Medowlark在中国大陆地区总代理商,为您提供专业的选型以及技术服务。对于Meadowlark SLM有兴趣或者任何问题,都欢迎通过电话、电子邮件或者微信与我们联系。欢迎继续关注上海昊量光电的各大媒体平台,我们将不定期推出各种产品介绍与技术新闻。 关于昊量光电:昊量光电 您的光电超市!上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外先进性与创新性的光电技术与可靠产品!与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿,产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装,培训,硬件开发,软件开发,系统集成等优质服务,助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念!
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