硅单晶材料

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硅单晶材料相关的耗材

  • 碲化铁铜单晶
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。碲化铁铜单晶CuFeTe Crystals
  • M型单晶/P型多晶金刚石抛光液
    *产品名称*品牌*产品规格*产品价格 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎9MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎6MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4MMe 1L/瓶1100 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3Mpe 1L/瓶2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1Mpe 1L/瓶 2200 M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4Mpe 1L/瓶 2200 Bio DIAMANT系列水基环保抛光液遵循欧洲严格的REACH标准,做到零有机物排放(VOC-Free)和生物友好,非常适合制样实验室使用,无需特殊的排放处理程序。M型单晶金刚石抛光液,精准的粒径分布,高效的抛光能力,轻松的色彩识别配套,可以配合全品类抛光织物使用,是制样实验室最适用的产品品种。 M型单晶高效型金刚石磨料悬浮液规格颜色粒度原料:单晶高效型金刚石磨料悬浮液9MMe型红色悬浮液9μm适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛6MMe型黄色悬浮液6μm 适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛3MMe型绿色悬浮液3μm适合需要完美保边和保存夹杂物的制样要求,达成优秀的平整表面的初抛1MMe型蓝色悬浮液1μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的最终抛光0.25MMe型灰色悬浮液0.25μm适用于中硬度的最终抛光 P型多晶金刚石抛光液,优质的多晶结构配合高密度织物可以快速提高抛光效率,提升制样表面平整度,推荐配合高密度强支撑高平整度抛光布使用。P型单晶高效型金刚石磨料悬浮液原料:多晶快速分散型金刚石磨料适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛
  • 二硫化钼单晶(MoS2)-合成
    1、企业介绍泰州巨纳新能源有限公司:巨纳集团(Sunano Group)是能源行业的知名品牌。泰州巨纳新能源有限公司(Sunano Energy)是国内最早的从事石墨烯制备、性能检测及应用产品开发的公司之一,注册资本11000万元,有办公用房300多平方米,厂房和洁净室3000多平方米。核心研发团队主要由国内外知名高校博士组成,部分成员来自于2010年诺贝尔物理学奖小组,项目技术处于国际领先地位,在石墨烯领域拥有专利30余项。企业管理团队有丰富的成功创业经验,创新意识强,公司客户遍布全球。2、高质量二维晶体材料简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料。巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合荷兰HQ Graphene为全球客户提供高质量的类石墨烯二维晶体材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。 名称:二硫化钼单晶(MoS2)-合成纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm-20 mm 属性:半导体

硅单晶材料相关的仪器

  • 单晶靶材 400-860-5168转2205
    产品名称:单晶靶材 产品简介:我公司是各种靶材的专业生产商。可为光学镀膜、半导体、磁数据存储,玻璃,机械加工等镀膜企业和科研院所提供高品质(高纯度、高致密度、单相性好)的靶材。不仅满足了国内科研院所及相关企业的需求,而且远销至美国、德国、日本、韩国、新加坡等国家和地区,并得到客户的称赞和信赖。欢迎来函来电定购。本公司生产的单晶靶材由单晶棒制作,质量可靠,为广大用户理想选择。 具体信息:材料纯度相对密度最大直径Al2O34N100%4"CaF24N100%2"GaAs5N100%2"GaP5N100%2"LaAlO34N100%3"LiNbO34N100%3"LiTaO34N100%3"MgO4N100%2"SrTiO34N100%1"SiO24N100%4"Si5N100%6"Ge5N100%4"YSZ4N100%2"
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  • DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪关键词:电解质溶液、导电凝胶、碳粉、石墨烯粉体浆料 DAD-4型交流法导电材料电阻率测试仪是一种区别于直流法测试材料电阻率的新的测试方法,主要是针对于离子导电物质(如电解质溶液、导电凝胶)和导电粉体悬浊液(如碳粉、石墨烯粉体浆料)设计的电阻率测试仪器。适用范围:广泛应用于科研单位、高等院校对凝胶、溶液、离子导电材料以及不适用于直流测试样品的导电性能测试。一、主要功能材料测试项目:1、离子导电物质(如电解质溶液、导电凝胶)电阻率,电导率测试2、导电粉体悬浊液(如碳粉、石墨烯粉体浆料)电阻率,电导率测试3、可测金属箔、碳纸等导电薄膜,也可测陶瓷、玻璃或 PE 膜等基底薄膜涂层电阻率/方阻二、符合:符合:符合 GB/T 1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。三、 优势特征:1、本测试仪特增设测试结果自动分类功能。2、可定制 USB 通讯接口,便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。3、8 档位超宽量程,行业。 同行一般为五到六档位。4、仪器小型化、手动/自动一体化。5、仪器操作简便、性能稳定,所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入,简便而且免除模拟定位器的不稳定。6、 探头选配:根据不同材料特性需要,探头可有多款选配。四、基本技术参数3.1 测量范围1、电阻率:2πS*(0.10Ωm~100kΩm),( S 针距,单位 m)2、电阻:0.10Ω~100.0kΩ3、 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)4、直 径:测试台直接测试方式 180mm×180mm5、手持方式不限. 长(高)度:测试台直接测试方式 H≤100mm,6、测量方位: 轴向、径向均可7、碳化钨探针:Φ0.5mm,直线探针间距 1.0mm,探针压力: 0~2kg 可调(薄膜方阻探针:Φ0.7mm,直线或方形探针间距 2.0mm,探针压力: 0~0.6kg 可调8、电源:22V,DC 8.4V (充电锂电池,大容量电池为厂家定制)9、.外形尺寸、重量:10、主 机: 240mm(长)×130 mm(宽)×50mm(高), 净 重:≤2.5kg11、带电脑软件,可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。12、USB 通讯接口,通用性好、方便快捷。13、可以配置ZJ-3型压电测试仪进行D33系数测试
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  • YXG-2型单晶滚磨X射线定向仪YXG-2 MODEL SINGLE CRYSTAL GRINDER X-RAY ORIENTATION INSTRUMENT 产品特点用于大直径硅单晶及蓝宝石参考面的定向测量,也可以用于其它种类的单晶定向测量,需和磨床配合。因该机测量的角度是固定的,所以保证了滚磨后晶向的准确性。 FeaturesThis model suits for orientation measurement of cylindrical surface of silicon single crystal with big diameter. It can also be used for other types of single crystal' s orientation measurement. It is specially used with roller mill, orientation for crystal cylindrical surface. Because this machine is with fixed angel and assures precision of crystal' s direction after rolling mill, products' orientation precision can be improved. 技术指标●输 入 电 源: 单相交流电压220V,50Hz,0.3kW● X 射 线 管: 铜靶,风冷.管电压:30kV,管电流:0~5mA●计 数 器: 盖革计数管●时 间 常 数: 0.1、0.4、3秒三档●狭 缝: 4' 5' 6' ●光 闸: 电动●外 形 尺 寸: 控制部分:550mm(长)×350mm(宽)×1700mm(高) 测试部分:750mm(长)×550mm(宽)×1750mm(高)●重 量: 180kg TechnicalParameters●Input power: Single-phase AC voltage with 220V,50Hz,0.3kW●X-ray tube: Cu target, air cooling. Tube voltage: 30kV, Tube current :0~5mA●Counter: Geiger counter●Time constant: 0.1s, 0.4s, 3s●Slit range: 4' , 5' , 6' ●Optical Shuttle: electricity●Size:Controller device:550mm(L)×350mm(W)×1700mm(H) Testing device:750mm(L)×550mm(W)×1750mm(H)●Weight:180kg
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  • 【资料】单晶学习材料

    单晶学习材料[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=96366]单晶学习材料[/url]

  • 【求助】(已应助)求单晶硅的分析标准(GB 1550~GB1556)

    求以下标准,若能提供给我,将万分感谢!可发邮件到wxy-lkx@163.comGB1550 硅单晶导电类型测定方法GB 1551 硅单晶电阻率直流二探针测量方法GB 1552 硅单晶电阻率直流四探针测量方法GB 1553 硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法GB 1554 硅单晶(111)晶面位错蚀坑腐蚀显示测量方法GB 1555 硅单晶晶向光图测量方法GB 1556 硅单晶晶向X光衍射测量方法GB 6459 地面用太阳电池电性能测试方法

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  • 年产10万片碳化硅单晶衬底项目在涞源投产
    9月5日上午,河北同光科技发展有限公司年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目,在保定市涞源县经济开发区投产,成为保定第三代半导体产业从研发到规模量产的一次成功跨越。碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表,处在碳化硅产业链的最前端,是高端芯片产业发展的基础和关键。河北同光晶体有限公司是全省首家能够量产第三代半导体材料碳化硅单晶的战略新兴企业。2020年3月,涞源县人民政府与该公司签署协议,政企共建年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目,总投资约9.5亿元、规划占地112.9亩。项目采用国际先进的碳化硅单晶衬底生产技术,布局单晶生长炉600台,购置多线切割机、研磨机等加工设备200余台,建成具有国际先进水平的碳化硅单晶衬底生产线。该公司董事长郑清超介绍,项目从动工到投产用时17个月,满产运行后能够将产能提升3倍,产品将面向5G通讯、智能汽车、智慧电网等领域,满足其芯片需求,预计年销售收入5-10亿元。下一步,同光正谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地,拟总投资40亿元。到2025年末实现满产运营后,预计新增产值40-50亿元,成为全球重要的碳化硅单晶衬底供应商。保定市副市长王建峰表示,保定不仅具有支撑科技成果转化落地的产业优势,还拥有17所驻保高校、354家科技创新平台、23万名专业技术人才等雄厚人才支撑的科技创新优势,是全国创新驱动发展示范市和“科创中国”试点城市。未来将在数字经济、生物经济、绿色经济领域全面发力,重点围绕“医车电数游”、被动式超低能耗建筑和都市型农业等七大重点产业,大力实施“产业强市倍增计划”和“双千工程”,积极推动“北京研发保定转化、雄安创新保定先行”,着力建设创新驱动之城,加快构建京雄保一体化发展新格局,聚力打造京津冀城市群中的现代化品质生活之城。
  • 浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
    据浙江大学杭州国际科创中心发布,近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下,成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着,碳化硅衬底成本有望大幅降低,半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。据介绍,碳化硅(SiC)单晶作为宽禁带半导体材料,对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的发展至关重要。目前,国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到 6 英寸,但其厚度通常在~20-30 mm 之间,导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。科研人员表示,增加碳化硅单晶厚度主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。针对挑战,浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺,显著提升了碳化硅单晶的生长速率,成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。
  • 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟对《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》等2项团体标准征求意见
    各CASA成员单位:由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已形成征求意见稿,为保证标准的科学性、先进性和适用性,现面向CASA成员单位征求意见。 T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定 辉光放电质谱法》规定了采用辉光放电质谱法测定等静压石墨构件纯度的方法,包括术语和定义、试验原理、试验环境、仪器设备、试剂与材料、试样、试验步骤、试验结果及试验报告。本文件适用于单个杂质元素含量范围为0.01mg/kg~5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定,所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件,以及碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。 T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。本文件适用于纯度要求达到5N5(质量分数99.9995%)以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨,包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件,以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。 请于2024年8月24日前填写《CASA标准文件征求意见表》反馈至联盟秘书处。TCASAS 036 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法-征求意见稿.pdfCASA标准征求意见表 .docxTCASAS 048碳化硅单晶生长用等静压石墨-征求意见稿.pdf
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