光电响应

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光电响应相关的耗材

  • 光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器
    光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管(APD)及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管,在400~1000nm范围具有高灵敏度,相当快的响应速度,峰值响应位于650nm,适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点: 高量子效率 低噪声,高速度 高增益,M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值:0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值:1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值:1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm,50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值:3.5典型值:1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注:Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm,50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值:0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值:0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管,是非常经济适用的InGaAs APD,在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm,特别适合人眼安全的激光测距,自由空间光通讯,OTDR及高分辨OCT。 特点: 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器(参造Alpha) 光电倍增管 光电倍增管(Photomultiplier Tube, PMT)是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件,是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器,广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外,响应波长150nm~2.6μm,光敏面包括InGaAs,GaP,Si,Ge,以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性: 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度,最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器,采用自主设计生产的PD芯片,并且针对不同应用领域做了优化设计,使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号:PDS443-C-C特点:◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计,透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项:a 请在ESD防护下使用,避免在加电和加光时安装或拆卸器件;b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V(nA)(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术,连续的模拟信号输出,正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点: 应用: 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V(nA)(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V(nA)Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值:1.0典型值:0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛,包括:共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点:量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.
  • PDC光电探测器系列产品
    PDMM 系列光电模组PDMM 系列光电模组包括高性能光电二极管,高精度低噪声的模数转换器以及逻辑控制模块。采用单电源供电,SPI 通信方式。具有外部连接简单,控制端易开发等特点。可广泛应用于工业、医疗等领域。1. 产品特点pA 级超低漏电流pF 级超低结电容;光谱响应范围 350nm 至 1100nm;采样频率最高可达 2.5K Hz;16-bit 模数转换精度; 电子噪声最低仅有 0.13fC;多档增益范围;SPI 标准通信接口7~12V 宽供电电压范围;支持固件远程升级;支持图像数据处理及校准功能;支持客户定制化功能扩展;2. 应用领域水质检测; 体外诊断; 荧光分析; 光学测量3. 模块技术指标入射方向顶部入射/侧窗入射最高通信速率10Mbps输入电压+7V~+12V采样时间0.4ms~100ms功耗1.2W增益范围1.75pC~14pC接口类型SPI/3.3V-LVCMOS工作温度0~50CAD数据位宽16bit储存温度-10~60℃4. 光电二极管规格感光面积(mm)1.1*1.12.6*2.22.6*2.63.7*3.73.9*3.9结电容典型值(pF)155065100115结电容最大值(pF)2590100200250漏电流典型值(pA)0.75451012漏电流最大值(pA)1025305050光谱响应范围(nm)350~1100反向击穿电压(V)30 5. 特性曲线6. 机械图PDCTXX-2XX 系列产品手册 1. 产品特点350~1100nm 宽光谱响应范围极低的结电容pA 级超低漏电流可见光范围波长响应优化TO-18 标准封装2. 产品型号及性能参数2.1 产品型号型号感光面积(mm² )封装形式管壳高度(mm)说明PDCT 01-2011.10X1.10TO18-23.75玻璃窗口PDCT 01-2021.10X1.10TO18-25.83玻璃透镜窗口PDCT 01-2031.10X1.10TO18-23.75石英窗口PDCT 01-2041.10X1.10TO18-23.75628-35窄带滤光片PDCT 02-201Φ1.5TO18-23.75玻璃窗口PDCT 02-202Φ1.5TO18-25.83玻璃透镜窗口 备注:其他感光面积、滤光片类型以及管壳高度可定制,请联系销售人员获取更多信息2.2 性能参数参数典型值最小值最大值单位说明光谱响应范围(入)350to1100nm响应峰值波长(λp)820nm光响应(S)0.5100.490A/W@λp暗电流(ID)0.755pAVR=0.01V暗电流温度漂移系数1.122Times/℃ 电容(Ct)1525pFVR=0V:f=100kHz反向击穿电压(VR)30V2.3 光谱响应曲线2.4 BP628-35 滤波片光谱截止曲线3. 环境参数 参数规格单位说明工作温度范围-20~+80°C储存温度条件-40~+100°C工作湿度范围10~90RH%无结露4. 外形尺寸 (单位:mm) PDCT01-201 / PDCT01-203 / PDCT01-204 外形尺寸PDCT01-202 外形尺寸PDCT02-201 外形尺寸PDCT02-202 外形尺寸PDCTXX-0XX 系列产品手册1. 产品特点350~1100nm 宽光谱响应范围极低的结电容pA 级超低漏电流可见光范围波长响应优化TO-5 标准封装多种管壳高度选项2. 产品型号及性能参数2.1 产品型号型号感光面积(mm² )封装形式管壳高度(mm)说明PDCT 07-0012.60X2.60TO5-36.4410nm滤光片PDCT 07-0022.60X2.60TO5-36.43pin玻璃窗口PDCT 07-0122.60X2.60TO5-24.3玻璃窗口PDCT 07-0132.60X2.60TO5-24.3石英窗口PDCT 07-0142.60X2.60TO5-24.3镀金管壳PDCT 14-0013.70X3.70TO5-24.3玻璃窗口PDCT 14-0023.70X3.70TO5-24.3石英窗口PDCT 14-0033.70X3.70TO5-24.3520-20窄带滤光片PDCT 15-0013.90X3.90TO5-24.3玻璃窗口2.2 性能参数参数典型值最小值最大值单位说明光谱响应范围(λ)350to1100nm响应峰值波长(λp)820nm光响应(S)0.5100.490A/W@λp暗电流(ID)@VR=0.01V530pAPDCT 07系列1050PDCT 14系列1050PDCT 15系列暗电流温度漂移系数1.122Times/℃电容(Ct)@VR=0V;f=100kHz65100pFPDCT 07系列100200PDCT 14系列110220PDCT 15系列反向击穿电压(VR)30V2.3 光谱响应曲线备注:带滤波片除外3. 环境参数参数规格单位说明工作温度范围-20~+80°C储存温度条件-40~+100°C工作湿度范围10~90RH%无结露4. 外形尺寸 (单位:mm)4.1. PDCT07-001 / PDCT07-0024.2. PDCT07-012/013/014 4.3. PDCT14-001/002/003 4.4. PDCT15-001 PDCT34-XXX 系列产品手册1. 产品特点350~1100nm 宽光谱响应范围极低的结电容 pA 级超低漏电流可见光范围波长响应优化TO-8 标准封装2. 产品型号及性能参数2.1 产品型号型号感光面积(mm2)封装形式说明PDCT 34-1015.80X5.80TO-8玻璃窗口PDCT 34-1025.80X5.80TO-8石英窗口 2.2 性能参数参数典型值最小值最大值单位说明光谱响应范围(λ)350to1100nm响应峰值波长(λp)820nm光响应(S)0.5100.490A/W@λp暗电流(ID)20pA@VR=0.01V暗电流温度漂移系数1.122Times/℃ 电容(Ct)400450pF@VR=0V;f=100kHz反向击穿电压(VR)30V 2.3 光谱响应曲线3. 环境参数参数规格单位说明工作温度范围-20~+80°C储存温度条件-40~+100°C工作湿度范围10~90RH%说明PD CD 06-0012.6X2.2DIP陶瓷环氧填充PD CD 34-0015.8X5.8DIP
  • 光电探测器组件MPGD4217Y型探测器组件
    光电探测器组件MPGD4217Y型探测器组件主要特点:1.峰值波长1550nm2.单电源工作3.低功耗4.标准TO-8金属封装5.质量等级:M16.标准号:Q/UH20428-2004应用1.激光测距2.激光雷达3.激光引信最大额定值参数符号最大额定值单位正电源Vcc+5.5V工作温度范围Tamb-55-+85℃存储温度范围Tstg-55-+125℃功耗P260mW推荐工作条件参数符号最大额定值单位正电源Vcc+5V光电特性Vcc=+5V,λ=850nm参数测试条件数值单位响应度1~5μW,RL=50?≥1×104V/W输出噪声RL=50?≤6mV动态范围RL=50?≥20dB上升时间1~5μW,RL=50?≤8 ns输出阻抗1~5μW≤50?最小可探测光功率RL=50?≤500nW 外形尺寸及引脚定义管脚定义管脚符号功能1NC空2NC空3VR偏置电压4Vout信号输出5NC空6GND外壳地7NC空8VCC电源电压9NC空10NC空11NC空12GND地

光电响应相关的仪器

  • 仪器简介:DSR100系列探测器光谱响应度测量系统,是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验,采用国家标准计量方法进行测试,是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数:型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 <0.1nm(435.8nm@1200g/mm光栅) <2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 <5nm <10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片,消除多级光谱杂散光  光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV;直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 (标定200~1100nm) 标准热释电探测器(标定1~14mm)光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜,含计算机主要特点:◆ 宽光谱范围(200~2500nm或1~14&mu m可选),适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品,如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器,都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计,维护简单系统采用替代法的测量原理,设计成开机即用的turnkey模式,用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试,日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术,提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法,通过选频放大的技术,可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路,同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV,动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声,DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计,优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同,因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的,这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中,采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中,影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差,色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同,波长范围越宽,色差越明显。而在反射式的光学系统中,由于根本不涉及折射,所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路,成像质量大大优于透射式光路,从而可以得到更高均匀度的平行光斑,或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源,降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响,但光源本身的波动依然无法消除。因此,在采用调制法的系统中,光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性,电动平移台重复定位精度10um,远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量,不需要对操作人员进行复杂的培训,特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程,可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓,四壁可拆卸,方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓,给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时,也能容纳一些特殊体积的探测器,比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项,CCD图像监控,可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件,数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据,可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档,以便后期分析处理。
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  • DSR300系列微纳器件光谱响应度测试系统是一款专用于低微材料光电测试的系统。其功能全面,提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描以及光响应速率测试。40μm探测光斑,实现百微米级探测器的*对光谱祥响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源,例如超连续白光激光器,皮秒脉冲激光器,半导体激光器,卤素灯,氙灯等,满足不同探测器测试功能的要求。是微纳器件研究的优选。 功能:? 光谱响应度? 外量子效率? 单色光/变功率IV;? 不同辐照度IT曲线(分辨率200ms)? 不同偏压下的IT曲线? LBIC,Mapping? 线性度测试? 响应速率测试 微纳器件光谱响应度测试系统主要技术参数显微镜头标配:10倍超长工作距离物镜,工作距离大于17mmNA值:0.42光谱范围:350-800nm选配:1,50倍超长工作距离消色差物镜,工作距离大于17mmNA值:0.42光谱范围:480-1800nm 2,15倍紫外物镜,工作距离大于8.5mmNA值:0.32光谱范围:250-700nm 3,50倍超长工作距离紫外物镜,工作距离大于12mmNA值:0.42光谱范围:240-500nm 4,40倍反射式长工作距离工作距离大于7.8mmNA值:0.5光谱范围:200nm-20um光斑中心空心光源选配光源1、半导体激光器波长:405nm,532nm,633nm,808nm,980nm可选不稳定性:<1% 2、皮秒脉冲激光器波长:375nm,405nm,488nm,785nm,976nm可选脉宽:100ps频率:1-20M Hz 3、氙灯光源光谱范围:250nm-1800nm不稳定性:<1% 4、超连续白光激光光源光谱范围:400-2400nm频率:0.01MHz-200MHz脉宽:100ps光谱仪焦距:300mm;相对孔径:f/3.9;光学结构:C-T;光谱仪分辨率:0.1nm;倒线色散:2.7nm;波长准确度:±0.2nm波长重复性:±0.1nm扫描步距:0.005nm狭缝规格:圆孔抽拉式固定狭缝,孔径:0.2mm,0.5mm,1mm,1.5mm,2mm,2.5mm,3mm;三光栅塔台;光栅配置:1-120-300、1-060-500、1-030-1250,光栅尺寸:68×68mm6档自动滤光片轮,光谱范围200-2000nm;内置电动机械快门,软件控制快门开关;杂散光抑制比:10-5探针台配置4个探针座,配20/10微米针尖探针2米三同轴电缆,漏电流小于1pA。真空吸附样品台。探针座:XYZ方向12mm调节行程,0.75um调节分辨率,0-30°调节探针角度。LBIC MaappingXY方向行程50mm,分辨率5um。数釆v 锁相放大器斩波频率:20Hz~1KHz;频率6位显示,2.4英寸屏,320×240液晶显示;电压输入模式:单端输入或差分输入;电压、电流两种输入模式; 满量程灵敏度:1nV至1V;电流输入增益:106或108V/A;动态储备:>100dB;时间常数范围:10μs至3ks; v keithley2612B量程:100nA/1A最小信号:1nA本地噪音:100pa分辨率:100fa通道数:2 v keithley2636B量程:1nA/1A最小信号:10pA本地噪音:1pa分辨率:10fa通道数:2制冷样品台温度范围:-196℃-600℃,(-196℃需要选择专用冷却系统)全程温度精度/温度性:0.1℃/<0.01℃光孔直径:2.4mm样品区域面积:直径22mm两个样品探针,1个LEMO接头(可增加至1探针)工作距离:4.5-12.5mm气密样品腔室,可充入保护性气体独立温度控制响应速率测试示波器型号:MDO32模拟带宽100MHz采样率5GS/s记录长度10M时间范围:uS-S,需要配合调制激光器使用时间范围:10nS-S,需要配合皮秒脉冲激光器使用 三维可调高稳定探针台结构,方便样品位置调节。内置三路半导体激光器或者两路光纤激光器,外置一路激光光路。可以引入可调单色光源,进行全光谱范围的光谱响应度测试。测试功能曲线:40um光斑@550nm@50倍物镜200um光纤 70um光斑@550nm@50倍物镜400um光纤5um光斑@375nm皮秒激光器@40倍物镜 紫外增强氙灯和EQ99光源的单色光能量曲线,使用40倍反射式物镜,300mm焦距光谱仪,光谱仪使用1200刻线300nm闪耀光栅,光斑直径大小80um。
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  • 薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS10-Film适用范围: 非晶硅薄膜电池、CIGS 薄膜电池、CdTe 薄膜电池、非晶/ 微晶双结薄膜电池、非晶/ 微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等光谱范围:300~1700nm电池结构:单结、多结太阳电池可测参数:光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度可测样品面积:300mm×300mm● 集成一体化turnkey系统● 大面积薄膜电池测试专用● 超大样品室,光纤传导● 背面电极快速连接● 反射率、内外量子效率同步测试● 快速高效售后服务 SCS10-Film系统规格 光源150W高稳定性氙灯,光学稳定度≤0.4%,光纤传导测试光斑尺寸2mm~10mm可调单色仪三光栅DSP扫描单色仪波长范围300nm~1700nm波长准确度±0.2nm(@1200g/mm,500nm)扫描间隔最小可达0.1nm,默认设置10nm输出波长带宽0.1nm~10nm可调,默认设置5nm多级光谱滤除装置根据波长自动切换,消除多级光谱的影响光调制频率4~400Hz标准探测器进口Si光电探测器,含校正测试报告数据采集装置灵敏度直流模式:100nA;交流模式:2nV测量重复精度0.6%( 400~1000nm范围0.3%)测量速度单次光谱响应扫描 1min 完整流程扫描 5min(扫描间隔10nm)样品加持探针样品台,156mm×156mm,特殊样品台可定制*Mapping扫描速度:20点/s(@0.5mm step)分辨率:0.5mm仪器尺寸主机:;样品室:控制机柜:800mm×600mm×1300mm计算机及软件系统含工控计算机、显示器、鼠标、键盘,正版windows 7操作系统,系统软件安装光盘
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  • 光谱响应特性的测量

    光谱响应特性的测量:一,光谱响应度 即光电探测器在波长不同的光照射时的响应度。如果探测器对波长为λ的光辐射通量фλ产生的光电流为I,则其光谱响应度为 R(λ)=Iфλ单位为A/W。它与积分响应度R的关系为R=ƒφλ•R(λ)dλ ƒφλdλ[/f

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  • 仿生章鱼光磁双刺激响应黏附垫,用于精细电子器件的远程运输
    仿生章鱼吸附在操作精细物体等方面有巨大应用潜力。目前仿生章鱼吸附基于外力、电或热传导等刺激方式调节吸盘内部压强,从而赋予了其黏附性能。然而,目前常见的刺激策略中,粘附垫的强弱黏附能力转换需要以接触方式触发、且大部分存在响应时间长的问题,因此,这些粘附垫难以快速执行在密闭空间内对物体的操作任务。 近日,香港中文大学张立教授课题组提出了一种光磁双刺激响应黏附垫的设计思路。该黏附垫可以通过远程光控方式快速调节黏附强度以拾放物体,并在外部磁场控制下实现运动与递送功能。该成果以“A mobile magnetic pad with fast light-switchable adhesion capabilities” 为题发表于Bioinspiration & Biomimetics期刊。该文在意大利比萨圣安娜高等技术研究大学(Scuola Superiore Sant’Anna)Veronica Iacovacci博士、中国科学院深圳先进技术研究院徐天添研究员和杜学敏研究员的共同合作下完成。图1 光磁双刺激-响应黏附垫的设计与机理(a)章鱼吸盘的结构图(b-c)黏附垫的设计及工作机理描述 光磁双刺激-响应黏附垫是由具有微孔阵列的磁性弹性体基底和孔内温敏水凝胶沉积层组成。通过在弹性体基底内掺杂四氧化三铁与钕铁硼颗粒,赋予其光热效应与磁响应性能。孔内压强的变化可由光热效应引发的温敏水凝胶沉积层收缩与膨胀进行调节。研究团队采用面投影微立体光刻3D打印技术(nanoArch S130,摩方精密)高效、精准地实现了上述微孔阵列模具的制备(微孔直径400μm,高400μm),并通过翻模技术制备了微孔阵列磁性弹性体基底。该黏附垫具有以下优点:快速响应的黏附开关特性图3 黏附性能表征:(a)黏附垫的黏附力测试,(b)图案化弹性体基底黏附力测试,(c)黏附垫与图案化弹性体基底的黏附强度对比,(d)黏附垫重复性测试 快速响应的黏附开关特性。实验结果表明该黏附垫的黏附强度可以通过远程红外激光按需调控,黏附强度最高可达12.2 kPa,并且强弱黏附的转换在30秒内即可完成。精细物体的远程递送图4 黏附垫运输电子芯片通过曲折狭缝到达目的地 精细物体的远程递送。通过外加磁场,该光磁双刺激响应的黏附垫可在狭隘空间内对脆弱的电子芯片进行安全可靠地定向运输,在电子器件装配等领域具有重要的应用前景。综上所述,该光磁双刺激响应黏附垫表现出快速响应的黏附开关特性、显著的黏附性能及对精细物体的远程递送能力。这种新型黏附垫有望广泛应用于电子器件装配等领域。官网:https://www.bmftec.cn/links/10
  • 国内科研机构开发出超高灵敏响应非铅钙钛矿光电探测器
    p   眼睛是心灵的窗户,是人体最重要的器官之一。同样,在光电子器件中,最重要的部件之一就是它的“眼睛”——光电探测器。近日,中科院大连化物所韩克利研究员团队采用溶液法制备了一种基于非铅钙钛矿的高灵敏度光电探测器。相关研究成果发表在《物理化学快报杂志》(The Journal of Physical Chemistry Letters)上。 /p p   光电探测器在信号处理、通讯、生物成像等诸多领域发挥着重要作用。目前高性能的钙钛矿光电探测器大多基于含铅钙钛矿。研究人员前期曾制备了一种超级灵敏的铅基钙钛矿光电探测器。发现其中含有的重金属元素铅对环境和人类会造成危害,限制了其商业化应用。目前已有报道的非铅钙钛矿光电探测器性能要远低于含铅钙钛矿光电探测器,因此制备高性能非铅钙钛矿光电探测器成为当下研究热点。 /p p   近日,该团队成功合成了一种含锑(Sb3+)元素的钙钛矿单晶。通过研究其载流子动力学,发现该单晶具有载流子寿命长、迁移率高、扩散长度长等优点。利用该材料构建的微米尺度光电探测器能达到高效的电荷收集率,可实现在弱光下的高灵敏响应(40A/W),该灵敏度为目前已有报道的非铅钙钛矿光电探测器最高值。此外,研究还发现该光电探测器具有小于1毫秒的快速响应时间,表明Sb基钙钛矿是一种很好的光电探测材料,在取代含铅钙钛矿方面具有较大优势。 /p
  • 快讯-新型光电感测研究蓬勃,光焱PD-RS 用于光电探测器&光电二极管响应时间表征
    有机光感测器(OPD)、量子点光感测器(QDPD)、钙钛矿光感测器(PPD)、新型材料光感测器、雪崩光电二极管(APD)等光电器件的研究一直是非常热门的领域。近期波兰Military University of Technology的Martyniuk教授领导的团队以及中科院上海技术物理研究所的合作者,展示了基于红外的APD目前状态和未来发展。加州大学戴维斯分校(UC Davis)的研究人员,正在开发一种提高矽薄膜光吸收率的策略,采用微米和奈米结构的新型光感测器设计,其性能提升可与砷化镓( GaAs) 和其他III-V 族半导体相媲美。麻省理工学院(MIT)的研究人员在一项突破性的研究中证明了新型光伏奈米粒子发射出一串相同光子的发展潜力,这项发现可能会革新量子计算和量子传输设备的领域。来自哥本哈根大学和明斯特大学的Patrik Sund与其研究团队,成功研发出一种薄膜锂铌酸盐的集成光子平台,并与固态单光子源进行整合,进一步推动了光子量子计算的发展。因此,检测与分析光电器件(探测器或光伏器件)的光电转换过程具有重要意义。基于对客户需求的理解,光焱科技推出了光电响应测试与分析仪PD-RS,並成功帮助客户完成设备安装。PD-RS 可得出光电器件光电转换过程的重要参数,包含恒定光强脉冲光的光电流时间响应变光强光电流与响应度变化测试(LDR)-3dB 频率响应测试Rise/ Fall time检查与分析从而了解光电器件的内部结构与载流子动力学、材料组成与器件结构对载流子动力学的影响关系。这为评价光电器件性能与改进设计提供了重要参考。
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