电子器件材料塞隆

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电子器件材料塞隆相关的耗材

  • 微型电子器件插件、X-断面观测插件
    微型电子器件插件采用特制夹具将微型电子器件、太阳能电池以及其他晶片状材料固定在样品杯中,使其免遭到破坏。测试后,样品可以完好无损的取下,重新回到制备环节中去,或者参与其他损耗检测。微型电子器件插件与金像样品杯结合使用,可以直接将样品固定于插件上。不需要在背面粘附样品或者样品表面接触,通过倾斜的夹钳将样品牢固的固定在插件上,16 个夹钳均匀施力,不会造成样品的损坏。X-断面观测插件适合于涂层以及多层半导体器件等断口、断面的观测。与传统的耗时又费钱的树脂镶嵌相比,这种办法简单而快速,且不需要螺丝等其它工具来固定样品。X-断面观测插件与金像样品杯结合使用。借助X-断面观测插件,样品固定在特制夹具中,无需其他辅助工具,可以迅速而简便的对样品的位置进行调整。X-断面观测插件保留样品断面的原始状态,无需抛光,使得观测完毕后样品可重新使用或进行其它检测。
  • 检测器电子器件升级套件
    检测器电子器件升级套件通过升级可将检测器寿命至少延长20%。订货信息:所适用的ICP-MS型号部件编号2005年4月之前生产的ELAN 9000/6x00/DRC*W1013195*需要硬件工程师负责安装,但需缴纳安装费
  • 美国PE 珀金埃尔默 W1013195检测器电子器件套件
    美国PE珀金埃尔默 W1013195检测器电子器件套件检测器电子器件升级套件检测器寿命至少提高20%。ICP-MS模型部件编号2005年4月之前制造的ELAN 9000/6x00/DRCs* W1013195* 需要安装服务,但不包括在内。请联系吴女士:13336089003

电子器件材料塞隆相关的仪器

  • ............. 用途:应用于微电子及光电子工艺电子器件:精密芯片,LED外延式芯片,LCD,BGA,精密光学仪器及光学元件,镀金铜线等;该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。全自动氮气柜HSD系列(1%~60%RH)介绍Product Introduction 1.全自动氮气柜柜体采用1mm及1.2mm钢板制作,多处加强结构,承重性能好,重叠式结构设计,密封性能。2.表面处理采用先进的有18道工序组成的橘纹烤漆,耐腐蚀性强。 3.门镶3.2mm高强度钢化玻璃,防前倾耳式结构设计。带平面加压把手锁一体化设计,有防盗功能。底部安装可移动带刹车脚轮方便移动及固定(防静电机型脚轮为防静电)。4.LED超高亮数码显示,温湿度传感器采用品牌honeywell,温湿度独立显示,使用寿命长。湿度可设定且具有记忆功能,断电后无需再设定。5.湿度显示范围0%~99%RH,温度显示范围-9℃~99℃。显示精度:湿度±3%RH 温度±1℃6.配备氮气节约装置,当箱内湿度到达设定值时,系统会自动切断氮气供应,当超过设定值时,系统会智能打开氮气供应。相比市场其他直充氮气机型可节约70%氮气消耗量。大程度降低使用成本。7.采用多点供气系统。氮气通过30多个小孔冲入箱内,箱内氮气分布比较均匀。避免了普通单点供气而产生的死点死角现象。8.行业内一家拥有智能化控制系统的氮气柜。自动判断机器内湿度来决定工作时间,节省能源,延长产品使用寿命。产品机芯采用中外合作先进技术,使得产品性能稳定,质量大有保障。主机外壳采用高温阻燃材料,降低安全隐患。防静电机型表面处理采用先进的防静电烤漆,静电阻值为106-108欧姆,美观大方,耐腐蚀性强.,机型颜色为黑色。备注:普通不防静电柜子颜色为电脑白,防静电柜子颜色为黑褐色,型号为HSD98FD(可选配)。全自动氮气柜用途:应用于微电子及光电子工艺电子器件:精密芯片,LED外延式芯片,LCD,BGA,精密光学仪器及光学元件,镀金铜线等;该系列产品被大量应用于在无尘净化车间电子器件及材料的安全防氧化保管。 主要技术参数Specifications
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  • 中图仪器NS系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器,可以对微米和纳米结构进行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。NS系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪对测量工件的表面反光特性、材料种类、材料硬度都没有特别要求,样品适应面广,数据复现性高、测量稳定、便捷、高效,是微观表面测量中使用非常广泛的微纳样品测量手段。 产品功能1.参数测量功能1)台阶高度:能够测量纳米到330μm或1050μm的台阶高度,可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料。2)粗糙度与波纹度:能够测量样品的粗糙度和波纹度,分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线,可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等数十项参数。3)应力测量:可测量多种材料的表面应力。2.测量模式与分析功能1)单区域测量模式:完成Focus后根据影像导航图设置扫描起点和扫描长度,即可开始测量。2)多区域测量模式:完成Focus后,根据影像导航图完成单区域扫描路径设置,可根据横向和纵向距离来阵列形成若干到数十数百项扫描路径所构成的多区域测量模式,一键即可完成所有扫描路径的自动测量。3)3D测量模式:完成Focus后根据影像导航图完成单区域扫描路径设置,并可根据所需扫描的区域宽度或扫描线条的间距与数量完成整个扫描面区域的设置,一键即可自动完成整个扫描面区域的扫描和3D图像重建。4)SPC统计分析:支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析,针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.双导航光学影像功能在NS200-D型号中配备了正视或斜视的500W像素的彩色相机,在正视导航影像系统中可精确设置扫描路径,在斜视导航影像系统中可实时跟进扫描轨迹。4.快速换针功能NS系列柔性电子器件薄膜测量台阶仪采用了磁吸式测针,当需要执行换针操作时,可现场快速更换扫描测针,并根据软件中的标定模块进行快速标定,确保换针后的精度和重复性,减少维护烦恼。典型应用部分技术参数型号NS200测量技术探针式表面轮廓测量技术探针传感器超低惯量,LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)样品R-θ载物台电动,360°连续旋转单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸150mm(6吋),200mm(8吋)尺寸(L×W×H)mm640*626*534重量40kg仪器电源100-240 VAC,50/60 Hz,200W使用环境相对湿度:湿度 (无凝结)30-40% RH温度:16-25℃ (每小时温度变化小于2℃)地面振动:6.35μm/s(1-100Hz)音频噪音:≤80dB空气层流:≤0.508 m/s(向下流动)恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息,请随时联系中图仪器咨询。
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  • 飞纳台式电镜 Phenom 微型电子器件插件适用于半导体、微型电子器件和太阳能电池等。采用独特的固定机制,样品装载时不需要粘合剂和接触表面。 微型电子元器件插件规格试样:半导体或微电子器件夹持尺寸: 10 x 10 mm - 19 x 19 mm厚度: 高达1.5 mm主要优势不需要胶或粘结剂不刮擦或污染样品即时制样、加载不需要额外的工具来夹持试样
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  • 光电子器件环境可靠性试验方法

    光电子器件环境可靠性试验方法

    如今,通信设备的制造厂商,对光电子器件的可靠性要求越来越高,光电子器件和通信设备的制造厂商之间没有专门的、统一的光电子器件可靠性试验很难进行有效的沟通,影响产品可靠性的提高。而电子器件可靠性评估是指对电子器件产品、半成品或模拟样片(各种测试结构图形),通过各种可靠性性试验、加速寿命试验和快速评价技术等,并运用数理统计工具和有关模拟仿真软件来评定其寿命、失效率或可靠性质量等级。下面,雅士林整理了光性的试验方法供给大家参考。[align=center][img=,600,600]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/06/202206291702592424_851_1385_3.jpg!w600x600.jpg[/img][/align]  1、高温贮存:确定光电子器件能否经受高温下的运输和贮存,以保证光电子器件经受高温后能在规定条件下在[b][url=http://www.instrument.com.cn/netshow/C27536.htm]高低温试验箱[/url][/b]正常工作。  试验条件如下:  贮存温度:(85±2)℃或贮存温度;  贮存时间:2000h。  进行试验:  A)试验前测试试样的主要光电特性;  B)把光电子器件贮存在规定试验条件的高低温试验箱中,在开始计时之前应有足够升温时间,使所有试样处在规定的温度下,温度传感器应位于工作区内温度。  C)在达到规定的试验时间后,把试样从试验环境中移出,放置24h,使之达到标准测试条件,并对试样光电特性进行测试。验完成后,应在48h内完成试样的主要光电特性测试,并进行目检。当有规定时,也可以在试验过程中的某些时刻进行测试。  2、恒定湿热:本试验的目的是测定光电子器件承受高温和高湿的能力,以及高温和高湿对器件的影响程度,保证光电子器件的长期可靠性。试验设备为在加载负荷时能为工作区提供和控制规定的温度、湿度、热容量和空气流量的恒温恒湿试验箱。  试验条件如下:  温度:+85℃;  湿度:85%RH;  保持时间:500h(不加偏置)或1000h(加偏置);  规定的偏置电压或电流(适用时)。  进行试验:  a)试验前对光电子器件的主要光电特性进行测试;  b)将光电子器件放进恒温恒湿试验箱内,其摆放位置不应妨碍试样四周空气的流动;  c)试样在规定条件下连续完成规定的试验时间。  d)试样基材或外包材(如封帽,引线,封套等)腐蚀面积超过5%,或贯穿性腐蚀;  e)引线损坏或部分分离;

  • 【分享】物理所硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发获重要进展

    短波长光电子与Si微电子的集成因其重大的应用价值而被广泛关注,其中硅基ZnO材料与光电子器件研究是目前国际上的一个重要课题;然而Si基高质量ZnO单晶材料的制备、器件结构的设计等问题具有很大的挑战性,这是由于Si表面具有很强的活性,极易形成无定形的氧化物与硅化物,阻碍ZnO的外延生长。另外,由于Si的能带结构与ZnO不匹配,难以获得理想的光电子器件性能。因此如何控制Si衬底表面和ZnO/Si异质界面,并设计出新型器件结构已成为这一研究方向的核心科学问题。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组经过五年多的持续攻关研究,发展了一种低温界面工程技术,并进一步设计和构筑了具有锐利界面的新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功Si基ZnO可见盲紫外探测器原理型器件。 自2004年起梅增霞副研究员和博士生王喜娜、王勇等系统研究了Si(111)-7x7清洁表面上金属Mg薄层的沉积工艺,发现只有在低温下才能抑制Si与Mg原子的界面互扩散而形成Mg(0001)单晶薄膜,进一步研究发现该单晶Mg膜可通过活性氧处理形成岩盐相的MgO(111)超薄膜,从而为两步法外延生长ZnO提供了良好的模板;通过一系列生长参数的优化,利用MBE法最终在2英寸Si晶片上制备出高质量的ZnO单晶薄膜,其结晶性和光电性能等综合指标居国际领先水平;相关论文被应用物理快报的审稿人评为最高级的“EXCELLENT”(APL,90, 151912 (2007)), 评语中指出这是一项杰出的研究工作,论文以确凿的证据展示了一种在Si衬底上制备ZnO单晶薄膜的机理与方法,而且所述利用Mg氧化获得MgO的界面技术可应用到其他硅基异质膜的制备中。这一独创性的低温界面工程技术已申请国际专利一项、国内专利两项(其中一项已获授权(ZL200610064977.5))。这一工作是与清华大学的薛其坤院士、贾金锋教授、北京工业大学的张泽院士以及中科院上海技物所的陆卫研究员课题组合作完成的。 在Si基ZnO单晶薄膜制备工艺获得突破的基础上,杜小龙研究组进一步开展了Si基ZnO光电子器件应用研究。最近,该组的郭阳副研究员和张天冲博士生等与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i-MgO/p-Si双异质结p-i-n可见盲紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到104以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见盲紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强,并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。相关器件的制备技术已申请国家发明专利(申 请 号: 200810227958.9),相关研究工作最近已发表在应用物理快报上(APL, 94, 113508 (2009))。 由于ZnO的生长温度较低可以与成熟的Si平面工艺兼容,因此Si基ZnO体系可提供一种将电学、光学以及声学器件进行单片集成的途径,潜在应用价值巨大。物理所独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创新研究开辟了一条新路。该项研究获得中科院知识创新工程课题、国家自然科学基金委项目以及科技部项目等资助。

  • 电力电子器件热传导中的“热阻”

    Ta ,此时R即为d点到a点热阻。  在电力电子器件中,设芯片温度为:Tj、流动介质温度为Ta  热阻: Rja = (Tj - Ta)/P  当Ta为一定,发热功率P恒定时,热阻Rja 越小,芯片温度Tj也越小。  Rj-a 由三部分热阻叠加。ⅰ,芯片到器件外壳,热阻为Rjc;ⅱ,由器件外壳到散热器,热阻为Rcs;ⅲ,散热器到周围介质,热阻为Rsa  Rja = Rjc + Rcs + Rsa  第一项由器件制造者设计决定,第二项很小,装置设计者要考虑的就是第三项:Rsa  为叙述方便,先从强迫空气冷却(风冷)说起。  在风冷条件下Rsa 由以下几个因素决定:  ⅰ,散热器材质的热导率越大越好;  ⅱ,散热器与空气接触面面积越大越好;  ⅲ,风速大比小好;  但要注意的是:风机吹出的风是流体,同样遵循流体运动原理。即前方阻力小风速就大,流量增大;前方阻力大,风速就小,流量减小,有如并联电路的欧姆定律。所以不能用减小散热片的间距多加翅片,来单纯达到加大散热器的表面积的效果。因为间距一小,空气阻力增加,风在间隙处很难进去。此时,如在散热器周边没有阻挡物,大量的风就从周边通过。间隙内的风速很小,风量也不大,达不到冷却的目的。  文章来源:中国电力电子朱英文:高级工程师,中国电力电子产业网特约顾问

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电子器件材料塞隆相关的资讯

  • 湖南大学王兆龙课题组:3D打印超抗冻多功能柔性电子器件
    柔性电子作为一种新兴的电子技术,以其独特的柔性/延展性(弯曲、折叠、扭转、压缩或拉伸)和高灵敏特性,在信息、医疗等领域具有广泛应用前景,如电子皮肤、柔性屏、脑机接口等。水凝胶材料以其独有的特性(柔性、导电性、高拉伸性)在柔性电子领域被广泛研究和使用。采用诸如光学光刻、微接触印刷等微纳制造技术可实现图案化水凝胶柔性电子器件的制造,但是上述技术加工步骤复杂、加工成本高、幅面较小,难以实现复杂三维结构信号强化效应。微纳3D打印技术很好地平衡制造成本、加工精度和幅面的问题,可快速制造并成型任意形状和定制设计的水凝胶跨尺度结构,而且,对水凝胶进行图案化设计可进一步提高柔性电子器件的灵敏性;同时通过对水凝胶的性能诸如自粘附、导电、抗冻等性能的优化,可拓展水凝胶柔性电子的应用范围,如自粘附电子、极端温度环境工作的柔性器件等。近日,湖南大学王兆龙、段辉高教授与上海交通大学郑平院士合作,基于面投影微立体光刻技术,采用摩方精密(BMF)超高精度光固化3D打印机nanoArch S/P140,通过引入粘附性的光固化单体及材料配比优化,设计了水凝胶诸如强粘附性、导电性和抗冻性等性能。通过水凝胶的结构设计提高运动信号监测的应变灵敏度,实现宽范围的运动信号传感。作者设计3D打印水凝胶柔性电极采集人体的肌电信号,将水凝胶柔性电极采集的肌电信号作为用户界面控制机械手的同步运动,以准确的完成弹奏不同音符的动作,甚至可以控制-80℃低温环境下机械手的运动。该工作引入微尺度3D打印技术使得复杂3D结构多功能柔性电子和复杂人机接口的快速制造成为可能。文章以“3D printed super-anti-freezing self-adhesive human-machine interface”为题发表在Materials Today Physics上。该工作得到了国家自然科学基金、湖南省优秀青年基金、广东省重点研发计划,长沙市科技局等基金支持。图1 面投影微立体光刻技术(摩方精密,nanoArch S/P140)原理及水凝胶材料设计,利用共价键交联和氢键网络结合优化水凝胶性能图2 3D打印水凝胶诸如超拉伸、强粘附、抗冻等性能设计图3 基于面投影微立体光刻技术加工跨尺度结构的水凝胶制备高灵敏度的应变传感器,用于监测宽范围的人体运动信号图4 基于面投影微立体光刻技术加工水凝胶用于肌电信号的采集,将采集的肌电信号作为人机接口控制机械手的同步运动,以完成弹奏不同音符、甚至低温环境的动作控制官网:https://www.bmftec.cn/links/10
  • 湖南大学王兆龙课题组:3D打印超抗冻多功能柔性电子器件
    柔性电子作为一种新兴的电子技术,以其独特的柔性/延展性(弯曲、折叠、扭转、压缩或拉伸)和高灵敏特性,在信息、医疗等领域具有广泛应用前景,如电子皮肤、柔性屏、脑机接口等。水凝胶材料以其独有的特性(柔性、导电性、高拉伸性)在柔性电子领域被广泛研究和使用。采用诸如光学光刻、微接触印刷等微纳制造技术可实现图案化水凝胶柔性电子器件的制造,但是上述技术加工步骤复杂、加工成本高、幅面较小,难以实现复杂三维结构信号强化效应。微纳3D打印技术很好地平衡制造成本、加工精度和幅面的问题,可快速制造并成型任意形状和定制设计的水凝胶跨尺度结构,而且,对水凝胶进行图案化设计可进一步提高柔性电子器件的灵敏性;同时通过对水凝胶的性能诸如自粘附、导电、抗冻等性能的优化,可拓展水凝胶柔性电子的应用范围,如自粘附电子、极端温度环境工作的柔性器件等。近日,湖南大学王兆龙、段辉高教授与上海交通大学郑平院士合作,基于面投影微立体光刻技术,采用摩方精密(BMF)超高精度光固化3D打印机nanoArch S/P140,通过引入粘附性的光固化单体及材料配比优化,设计了水凝胶诸如强粘附性、导电性和抗冻性等性能。通过水凝胶的结构设计提高运动信号监测的应变灵敏度,实现宽范围的运动信号传感。作者设计3D打印水凝胶柔性电极采集人体的肌电信号,将水凝胶柔性电极采集的肌电信号作为用户界面控制机械手的同步运动,以准确的完成弹奏不同音符的动作,甚至可以控制-80℃低温环境下机械手的运动。该工作引入微尺度3D打印技术使得复杂3D结构多功能柔性电子和复杂人机接口的快速制造成为可能。文章以“3D printed super-anti-freezing self-adhesive human-machine interface”为题发表在Materials Today Physics上。原文链接:https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2021.100404该工作得到了国家自然科学基金、湖南省优秀青年基金、广东省重点研发计划,长沙市科技局等基金支持。图1 面投影微立体光刻技术(摩方精密,nanoArch S/P140)原理及水凝胶材料设计,利用共价键交联和氢键网络结合优化水凝胶性能图2 3D打印水凝胶诸如超拉伸、强粘附、抗冻等性能设计图3 基于面投影微立体光刻技术加工跨尺度结构的水凝胶制备高灵敏度的应变传感器,用于监测宽范围的人体运动信号图4 基于面投影微立体光刻技术加工水凝胶用于肌电信号的采集,将采集的肌电信号作为人机接口控制机械手的同步运动,以完成弹奏不同音符、甚至低温环境的动作控制官网:https://www.bmftec.cn/links/10
  • 二维半导体材料制备工艺新突破,助力柔性电子器件应用
    p style=" margin-top: 0px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 在半导体器件不断小型化以及柔性化的主流趋势下,以二硫化钼(MoS2)等过渡金属硫属化合物(TMDC)为代表的二维半导体材料显示出独特的优势。国际半导体联盟在2015年的技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)中明确地指出它是下一代半导体器件的关键材料。二维半导体材料具有超薄厚度(单原子层或少原子层),优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性,使其在未来的更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 然而,现阶段以器件应用为背景的单层二硫化钼研究仍然存在以下两个关键的科学问题:(1)材料制备,如何获得高质量大尺度的二硫化钼晶圆;(2) 器件工艺,如何实现高密度、高性能、大面积均一的器件加工。这是新型半导体材料从实验室走向市场要经历的共性问题,如能解决其高质量规模化制备和集成器件性能调控的关键科学障碍,必将有力推动二维半导体材料的应用发展进程,给柔性电子产业注入新的发展动力。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 松山湖材料实验室张广宇副主任带领的二维材料团队,在过去十多年一直致力于高质量二维材料的外延、能带调控、复杂结构叠层、功能电子器件和光电器件的研究。近期,团队利用自主设计搭建的四英寸多源化学气相沉积设备,采用立式生长方法在蓝宝石衬底上成功外延制备了四英寸高质量连续单层二硫化钼晶圆,所外延的高质量薄膜由高定向(0° 和60° )的大晶粒(平均晶粒尺寸大于100 μm)拼接而成。在这种高定向的薄膜中,高分辨透射电子显微镜观测到了近乎完美的4|4E型晶界。得益于独特的多源设计,所制备的晶圆具有目前国际上报道中最高的电子学质量。相关工作发表在近期的Nano Letters 2020上。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: center font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 0em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/d61f3a56-f685-4c35-b5f6-c26a3ec32821.jpg" title=" 4a36acaf2edda3cc9bd4902a0de55106213f929f.jpeg" alt=" 4a36acaf2edda3cc9bd4902a0de55106213f929f.jpeg" / /span /p div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important " span class=" bjh-image-caption" style=" user-select: text !important font-size: 13px color: rgb(153, 153, 153) display: block margin-top: 11px text-align: center " 四英寸高定向单层二硫化钼外延晶圆 /span /div p style=" margin-top: 26px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 在此基础之上,团队进行了一系列器件加工工艺的优化,包括:(1)采用兼容的微加工工艺,逐层制作器件,保证了器件层与层之间的洁净,实现了器件阵列加工的大面积均一性;(2)采用独特的物理吸附与化学反应相结合的原子层沉积方法,提高了器件绝缘层质量;(3)采用金/钛/金多层结构作为接触电极,有效降低了器件的接触电阻。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 通过这些优化手段,成功实现了大面积二硫化钼柔性晶体管以及逻辑器件(如反相器、或非门、与非门、与门、静态随机存储器以及五环振荡器等)的制作,器件表现出优异的功能特性。其中,柔性场效应晶体管器件密度可达1518个/平方厘米,产量高达97%,是目前已报道结果中最高指标。此外,单个器件还表现出优异的电学性能和柔韧性,开关比达到1010,平均迁移率达到55 cm2 V-1s-1,平均电流密度为35 μA μm-1。相关结果发表在近期的Nature Electronics 2020上。 /span /p div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/b5c1c60c-854b-4a68-ac68-4f2091e8ec2f.jpg" title=" 2.jpeg" alt=" 2.jpeg" / span class=" bjh-image-caption" style=" user-select: text !important font-size: 13px color: rgb(153, 153, 153) display: block margin-top: 11px text-align: center " 大面积二硫化钼柔性晶体管与柔性逻辑器 /span /div div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/d6d7193c-438b-4de1-8723-953def3c6f33.jpg" title=" 3.jpeg" alt=" 3.jpeg" / /div p style=" margin-top: 26px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: center font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 0em user-select: text !important " span style=" font-size: 12px user-select: text !important " 二硫化钼柔性反相器、或非门、与非门、与门、静态随机存储器以及五环振荡器 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 这两项工作突破了晶圆级高质量二硫化钼薄膜的外延技术,实现了二硫化钼柔性晶体管器件及逻辑器件的高密度集成,为大面积柔性电子器件的发展提供了新的思路与技术基础,预期可以有效推动二维半导体材料在柔性显示屏、智能可穿戴器件方面的应用。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " 该系列工作由松山湖材料实验室与中国科学院物理研究所联合完成,并得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、中科院B类先导专项、中科院青促会等项目的资助。 /p
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