材料带隙

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材料带隙相关的耗材

  • 热剥离胶带 石墨烯膜 LED 碳纳米管 晶圆定位 二维材料
    热释放胶带,热剥离胶带,发泡胶。剥离温度为90℃~100℃,120℃,150℃,拍的时候,说明哪种温度,此销售的胶带为单面胶带。用于石墨烯膜、LED、碳纳米管、晶圆研磨定位、二维材料转移等领域。 主要型号:90~100°中粘125-135°中粘125-135°高粘150-160°中粘产 品 名 称:热释放胶带,热剥离胶带(国产胶带),发泡胶带剥 离 温 度:90~100℃/120℃/150℃结 构:两层结构,一层为热剥离胶层,厚度50微米。一层为保护膜,厚度10微米。厚的一层为带胶层,薄的一层为保护膜,使用的时候撕去保护膜即可。剥 离 原 理:热剥离胶带是由一种独特的粘合胶(热敏胶)制成,在常温下有一定的粘合力,可以起到定位的作用,能够满足各种精密加工要求,只要把温度加热到设定的温度,30-50秒钟,那么粘合力就会消失,能实现简单剥离,残留物较少,不污染被粘物。在电子产品生产过程中,能够实现简易自动化。主要使用在MLCC、MLCI、石墨烯膜转移、二维材料转移、纳米管转移、晶圆研磨定位、电路板安装、LED灯制作等定位上。尺 寸:约A4纸大小材 质:热敏胶 使用说明: 1.在一定的温度下有粘性,可以起到定位的作用,能够满足各种精密加工需要。可以用剪刀剪切,根据自己需要的尺寸,自己剪切即可。2.加工完毕后,只需要加热到设定温度,约几十秒到1分钟,粘性消失,实现简易剥离。用 途:用于转移石墨烯膜,碳纳米管,晶圆和研磨加工定位,LED、电路板安装,各种零部件定位以及环形压敏电阻定位、分切定位上。
  • 100ml带手柄塑料烧杯/塑料烧杯,带手柄
    上海楚定分析仪器有限公司专业生产销售塑料系列产品,包括烧杯,量筒等,均采用优质聚丙烯或聚乙烯材料制造而成,产品计量准确,耐温高,直接供美国、英国、加拿大等欧美国家。 C15702010E 100ml塑料烧杯 本色刻度 聚丙烯 (带柄) 15 C15702016E 250ml塑料烧杯 本色刻度 聚丙烯 (带柄) 21 C15702022E 500ml 塑料烧杯 本色刻度 聚丙烯 (带柄) 24 C15702028E 1000ml塑料烧杯 本色刻度 聚丙烯 (带柄) 33 C15702032E 2000ml 塑料烧杯 本色刻度 聚丙烯 (带柄) 63
  • 迈尔斯通Milestone新材料半导体用PFA酸缸浸泡桶清洗桶清洗缸15L带四氟盖子 RNKSG-15L
    迈尔斯通Milestone清洗缸15L带四氟盖子材料:PFA 进口四氟尺寸:320mm*220mm*253mm容量:15L材料耐受温度:-200℃-260℃应用行业:实验室耗材清洗,如溶样罐、微波消解罐、试剂瓶、坩埚、烧杯等等的清洗特点:一体成型不渗漏,耐强酸强碱,金属空白值小于0.01PPB,透明度好,平滑的表面适用于痕量、超痕量分析、同位素分析等实验室,是洁净的实验分析器皿迈尔斯通Milestone清洗缸15L带四氟盖子

材料带隙相关的仪器

  • 半导体材料能带测试,亚带隙测量系统 该系统采用恒定光电流法分析半导体薄膜和各种光导材料的带隙结构,是评价非晶硅和各种非晶半导体的理想方法。规格:原理:恒流法(CPM)光源:氙灯或卤素灯工作范围:约4小时,13 - 0.59 ev (300 - 2100 nm)辐照面积:6 x6mm辐照强度:2 nw-2mw
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  • 锂电池材料真空带式干燥:原理是一种在真空条件下,连续将原料分布在传送带上,物料随 传送带在加热板上运转从而被干燥,再经过冷却、粉碎的一种低温干燥方法。在整个干燥过程中,物料处于真空、封闭环境,干燥过程温和(工作温度 30-135° C ),可以很好的保持其物性,得到高质量的最终产品。锂电池材料进入真空度下经过一段时间逐步干燥,干燥所 得的颗粒有一定程度的结晶效应,同时从微观结构上看内部 有微孔。直接粉碎到所需要的粒径后,颗粒的流动性很好, 可以直接压片或者灌胶襄,颗粒具有良好速溶性。另外,锂电池材料真空带式干燥机履带的带速、料层的厚度、干燥温度和真空度等一系列参数均可在线调节,以适应不同产品的工艺要求。锂电池材料真空带式干燥技术是专门针对锂电池材料设计制造的。提高锂电池材料的产品品质。
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  • 微机控制材料试验机可对橡胶、塑料、塑胶、薄膜、纺织、纤维、纳米材料、高分子材料、复合材料、包装带、纸张、电线电缆、光纤光缆、安全带、保险带、皮革皮带、鞋类、胶带、聚合物、弹簧钢、轴承钢、不锈钢(以及其它高硬度钢)、铸件、钢板、钢带、有色金属、汽车零部件、合金材料及其它非金属材料和金属材料进行拉伸、压缩、弯曲、撕裂、90°剥离、180°剥离、剪切、粘合力、拔出力、延伸伸长率等试验。
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  • 【分享】用分光光度计测量材料的光学带隙Eg

    说明:因为以前有很多人问这方面的问题,所以特意收集了些资料。注:用紫外-可见分光光度计测材料的光学带隙,这个材料一般是指非晶态半导体材料。对晶态半导体材料好像不适用。关键词:分光光度计 禁带宽度 光学带隙 Eg一。理论http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161637_274443_1786353_3.gif http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161709_274461_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161641_274444_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161642_274445_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161642_274446_1786353_3.gif为了区别用电导率法测得的禁带宽度,用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161707_274457_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161615_274434_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161616_274435_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161616_274436_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161616_274437_1786353_3.gif对于m =2 的情况:http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161620_274438_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161620_274439_1786353_3.gif二。测光学带隙的作图方法以m =2 为例,http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161632_274440_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161633_274442_1786353_3.gif三。用积分球测量粉末状TiO2的带隙http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161644_274447_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161645_274448_1786353_3.gif另一个相关文献(附件里):http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161658_274451_1786353_3.gifhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/01/201101161658_274452_1786353_3.gif

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  • 光电二极管中的带隙之争:直接与间接材料的能量之战
    直接带隙和间接带隙是固体材料中两种不同类型的能带结构,它们在电子的能级分布和电子激发行为上有显着差异,影响着器件的效率、响应速度和应用场景。工作原理直接带隙光电二极管直接带隙指的是材料的价带(valence band)和导带(conduction band)的能级在动量空间中的最小距离发生在相同的动量值(通常是在动量为零处)。换句话说,电子在从价带跃迁到导带时,其动量不会发生显着变化,这种跃迁过程不需要额外的动量(或波矢)。因此,直接带隙材料通常在吸收或发射光子时具有高效率,能量损失较小。例如,常见的直接带隙材料包括氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)。直接带隙材料的光电二极管利用其电子从价带到导带的直接跃迁特性。当光子(光量子)击中材料并激发电子从价带跃迁到导带时,电子和空穴对会迅速分离并在电场作用下产生电流。这种跃迁过程不需要额外的动量,因此直接带隙材料在光电二极管中表现出高效的光电转换效率和快速的响应速度。例如,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等直接带隙材料被广泛用于高速光通信、激光雷达和高频光电探测器等应用中。 间接带隙光电二极管间接带隙则是指材料的价带和导带的能级在动量空间中的最小距离发生在不同的动量值上。在这种情况下,电子在从价带跃迁到导带时,除了能量外还必须具备额外的动量(波矢)以保持能量守恒。这使得在光子吸收或发射时,电子可能会通过与晶格振动(声子)相互作用来释放或吸收额外的动量。因此,间接带隙材料通常在吸收或发射光子时会有较大的能量损失。典型的间接带隙材料包括硅(Si)和锗(Ge)。 间接带隙材料的光电二极管则需要额外的动量来实现电子的跃迁。这种额外的动量通常是通过与晶格振动(声子)相互作用来获得,因此在光电转换过程中会引入更大的能量损失。典型的间接带隙材料如硅(Si)和锗(Ge),虽然其光电转换效率较低,但由于在集成电路、传感器和太阳能电池等应用中具有成熟的制造技术和低成本的优势,仍然被广泛使用。研究方向直接带隙材料的研究方向包括:提高效率和响应速度: 进一步优化直接带隙材料的电子结构和晶体质量,以提高光电转换效率和响应速度。新型器件架构: 探索新型光电二极管的结构设计,如量子阱结构和纳米结构,以改善光电性能。应用拓展: 将直接带隙材料应用于更广泛的光电子器件中,如高功率激光二极管和光伏电池。间接带隙材料的研究方向包括:提高光电转换效率: 探索通过材料工程和表面修饰等方法提高间接带隙材料的光电转换效率。减小能量损失: 研究如何减少光子吸收到电子-空穴对生成之间的能量损失,以提高器件性能。集成电路应用: 开发新型间接带隙材料的光电子集成电路应用,包括在传感器和数据通信中的应用。直接带隙和间接带隙在光电二极管中的不同应用和研究方向反映了它们在材料科学和光电子技术中的重要性和多样性。随着技术的发展和对能源效率的不断追求,研究人员和工程师在不同的材料选择和器件设计中持续探索和优化,以满足不同应用场景下的需求和挑战。光伏检测请搜寻光焱科技
  • 我科学家首创宽带隙半导体材料太阳能电池
    日前,厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授课题组研发成功一种新型太阳能电池,即将氧化锌和硒化锌两种宽带隙半导体材料用作太阳能电池,从而大大稳定了太阳能电池的性能并使其寿命延长。这也是国际上首次实现了宽带隙半导体在太阳能电池中的应用。近期,英国皇家化学学会的《材料化学》杂志发表了这一成果,在国际上引起广泛关注。   所谓宽带隙半导体,一般是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上来讲,带隙越宽,其物理化学性质就越稳定,抗辐射性能越好,寿命也越长 但与此相对应,带隙宽的一个缺点是——这种材料对太阳光的吸收较少,光电转换效率低。由于这种“致命性缺陷”,宽带隙半导体材料以往在太阳能电池中不用作发电的关键结构,而仅用作电极。   据介绍,目前,在太阳能电池中,应用较多的是硅太阳能电池,但其寿命有限。针对硅电池“寿命短”的问题,从2005年起,厦门大学半导体光子学中心的专家们将眼光瞄向了具有稳定物理化学性质、抗辐射性能好、“寿命长”的宽带隙半导体,致力于“宽带隙半导体在太阳能电池应用”的研究。   经过深入研究,课题组发现,有两个制约“转化”的瓶颈:一是能否形成光生电流 二是能否提高宽带隙半导体的吸光率。   最让课题组“费脑筋”的是如何让光电子“流动”起来。经过多次实验,课题组决定,选用两种宽带隙半导体材料——氧化锌和硒化锌作为太阳能电池的材料,形成类似于PN结的带阶,让电流“流动”起来。   同时,课题组在提高吸光率上也大“做文章”——“改革”了以往的制备方式,通过控制条件,让两种材料实现共格生长,首次形成新型量子结构,大幅度降低了宽带隙半导体的有效带隙,增加了吸收太阳光的范围。同时,将叠层状的薄膜形式改为一根一根的同轴线形式,每根仅有200纳米。这样一来,吸光面积大幅度增加,吸光率也随之提高。
  • 安徽工业大学PNAS:宏量制备石墨烯纳米带及其功能材料
    近日,安徽工业大学化学与化工学院闫岩、刘明凯教授与南京大学及新加坡国立大学合作,开发出了一种宏量制备石墨烯纳米带且高效实现其层间功能化的策略。相关成果以“Rapid Production of Kilogram-Scale Graphene Nanoribbons with Tunable Interlayer Spacing for an Array of Renewable Energy”为题发表在《美国国家科学院院刊》上,论文的共同通讯作者是安徽工业大学化学与化工学院的闫岩教授、刘明凯教授,以及南京大学金钟教授和新加坡国立大学的林志群教授。安徽工业大学是第一完成单位。《美国国家科学院院刊》(Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America,通常简称为PNAS)是美国国家科学院的官方科学周刊杂志,创刊于1915年,收录的文献覆盖生物学、物理学、化学、材料学、数学和社会科学等领域。与《自然》和《科学》杂志一样,《美国国家科学院院刊》是世界上基础科学领域最负盛名的学术杂志之一,在SCI综合科学类期刊中排名第三。这是安徽工业大学首次以第一完成单位在该刊上发表文章。石墨烯纳米带是一种以带状形态存在的石墨烯材料,具有高电导率、高热导率、低噪声等特点。这些优良品质使得石墨烯纳米带成为集成电路互连材料的一种理想选择,用以替代传统金属材料。同时,由于其具有独特的宽度依赖带隙和两侧充足的孤对电子,石墨烯纳米带在高性能电子器件和纳米催化领域也得到了科研工作者的密切关注。然而,虽然已有报导多种制备石墨烯纳米带的方法,包括小分子有机合成、聚合物包埋切割、碳纳米径向切割、特定基体上外延生长等,但洁净石墨烯纳米带的宏量制备仍然面临巨大挑战。此外,如何扩展石墨烯纳米带的层间距并使其功能化也是石墨烯纳米带研究亟需解决的问题。基于此,安徽工业大学闫岩教授、刘明凯教授提出了一种“冷冻-卷曲-压缩”的策略,通过将大片层(平均宽度~20微米)的氧化石墨烯与二氧化硅溶胶超声混合,并在低温低压下进行脱水干燥和化学刻蚀,制备出了高纯度、高径向比的石墨烯纳米带材料(图1)。这种策略采用自上而下的方式,以单层的氧化石墨烯为原料,通过改变其拓扑结构,实现了高纯度石墨烯纳米带的宏量制备。该策略比小分子合成、径向剪切碳纳米管等方法更直接、更简洁,得到的石墨烯纳米带的纯度也更高。【图文导读】图1 石墨烯纳米带制备过程示意图场发射扫描电镜照片证明了这种石墨烯纳米带具有典型的准一维结构。如图2所示,这种材料具有高的长径比,表面是类石墨烯层状褶皱结构,其丰富的边缘结构为石墨烯纳米带的功能化提供了可供调控的空间。透射电镜图片证明这种材料具有薄层结构和透明性。拉曼数据中,碳材料特征峰D峰和G峰比例的降低,证明从氧化石墨烯到石墨烯纳米带,部分共轭结构得到了有效修复,这种石墨烯纳米带也显示出高达72900 S/m的电子传导速率。除了宏量制备,如何控制层与层之间的距离,是制备高性能石墨烯纳米带功能材料的另一项重大挑战。多相催化团队在“冷冻-卷曲-压缩”策略中,通过改变二氧化硅的尺寸和使用量,调控界面“π-π”相互作用和石墨烯纳米带的层间距,实现了在3.63-9.04 Å范围内层间距离的自由调节。图2 石墨烯纳米带宏量制备、结构表征与性能测试  此外,通过在层间进行客体分子/纳米材料修饰,可以实现对石墨烯纳米带材料的功能化设计,从而显著拓展石墨烯纳米带的应用范围。研究人员借助“冷冻-卷曲-压缩”的策略,将杂原子前驱体(六福磷酸铵)、单原子前驱体(乙酰丙酮钴)与石墨烯/二氧化硅进行混合,或以球形二硫化钼(零维),聚苯胺纤维(一维)或二硫化硒纳米片(二维)代替二氧化硅,并经过高温处理或化学处理,分别可以得到了氮/磷/氟共掺杂的石墨烯纳米带、钴单原子修饰的石墨烯纳米带、层间修饰二硫化钼的石墨烯纳米带、层间负载聚苯胺的石墨烯纳米带以及层间修饰二硫化硒的石墨烯纳米带材料,实现了对石墨烯纳米带材料的功能化设计。如图3所示。图3 不同尺度客体分子/纳米材料在石墨烯纳米带层间对其修饰并实现功能化设计这些新型的石墨烯纳米带基功能材料在新能源器件中表现出优异的储能和催化性能。例如,氮/磷/氟共掺杂的石墨烯纳米带材料作为非金属催化剂,在电催化氧还原反应中表现出接近商业化铂碳的催化活性。钴单原子修饰的石墨烯纳米带材料在电催化产氢反应中的塔菲尔斜率仅为48 mV/dec,展现出与商业化铂碳(44 mV/dec)接近的反应动力学。石墨烯纳米带包裹二硫化钼得到的复合材料,在电化学储锂方面表现出良好的活性。在0.1 A/g电流密度下展现出1210 mAh/g的比容量。同时展现出良好的循环稳定性,经过500次循环,容量仅衰减18.7%。石墨烯纳米带包裹聚苯胺纤维得到的复合材料,在超级电容器领域表现出良好的比容量(734 F/g)和倍率性能。石墨烯纳米带包裹二硫化硒得到的复合带状材料,作为钠离子电池正极材料,表现出486 mAh/g的电化学储钠性能。这些功能材料的开发,显著提升了石墨烯纳米带及其功能材料的应用场景(图4)。图4石墨烯纳米带基功能材料在新能源领域中的应用,包括电化学产氢、锂/钠离子电池等领域综上所述,通过设计“冷冻-卷曲-压缩”的策略,闫岩教授、刘明凯教授充分展示了如何通过界面工程宏量制备石墨烯纳米带材料,并通过改变支撑材料二氧化硅的尺寸和用量,实现了对石墨烯纳米带层间距的有效调节。进一步,通过在石墨烯纳米带的层间引入功能化非金属原子、金属单原子、不同维度纳米材料,实现了对石墨烯纳米带的功能化设计,并在一系列新能源器件中得到了应用拓展。
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