超薄电动平移台

p　　2月15日，徕卡推出新产品ARTOS 3D连续超薄切片机。br//pp style="text-align: center "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 368px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/65e5d42d-0dba-4354-93d1-bbe95d818dcb.jpg" title="1.jpg" alt="1.jpg" width="450" height="368" border="0" vspace="0"//pp　　关注细胞超微结构的您：br//pp　　还在为只能得到十几张超薄切片而不满吗?/pp　　还在为TEM下只能观察到一层切片的细胞结构而劳神吗?/pp　　还在为单层贴壁细胞内细胞器之间，病毒和宿主之间的关系而发愁吗?/pp　　那么，告诉您一个好消息!徕卡3D连续超薄切片机上市啦!/pp　　它可以一次自动切出上百个切面尺寸灵活 (微米到毫米) 的超薄切片。/pp　　内置切片-条带收集系统，可直接转移至SEM内。/pp　　通过序列断层成像，对生物样品超微结构进行纳米级别的三维重建。/pp　　span style="background-color: rgb(112, 48, 160) color: rgb(255, 255, 255) "strong徕卡3D连续超薄切片机(ARTOS 3D)具有以下3个优势：/strong/span/pp　　strong1 快速连续切片和轻松对准SEM成像/strong/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 300px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/ba360912-11fd-4f8c-b01a-0b69f1619b6c.jpg" title="2.jpg" alt="2.jpg" width="450" height="300" border="0" vspace="0"//pp　　strong2 通过无缝的工作流程，节省高品质切片的制作时间/strong/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 300px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/edf00fbc-aefb-408e-b632-cfcfa99a772f.jpg" title="3.jpg" alt="3.jpg" width="450" height="300" border="0" vspace="0"//pp　　strong3 可重复且无假象的切片/strong/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 300px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/b1006e83-1c47-41b9-b832-ff07e696d746.jpg" title="4.jpg" alt="4.jpg" width="450" height="300" border="0" vspace="0"//pp　　可选择透明的硅片收集切片，因此 ARTOS 3D 也是strong光电联用显微技术 (CLEM)/strong 的理想解决方案。整体的成像解决方案工作流程如下：/pp style="text-align: center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 450px height: 300px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/201907/uepic/02d50b2c-131d-4c75-b542-d985403828dc.jpg" title="5.jpg" alt="5.jpg" width="450" height="300" border="0" vspace="0"//pp　　除此之外，ARTOS 3D 的卓越性能和速度源于strong EM UC7 技术/strong，因此可用于各种样品制备任务。/pp　　strong /strong由于 EM UC7 的观察系统采用strong共心运动方式/strong，而刀台以电动方式进行横向和竖向运动且自动接近所选刀段，ARTOS 3D可以制备LM和TEM高品质半薄及超薄切片，并获得进行SEM和 AFM 检测所需的光滑表面。/pp　　strong /strong 将您的 EM UC7 超薄切片机升级为strong ARTOS 3D 超薄切片机/strong/pp　　strong /strong 短短几分钟即可将 EM UC7 和 ARTOS 3D 超薄切片机转换为配备 strongEM FC7 冷冻箱/strong的冷冻超薄切片机/p

10月29日，江苏雷博科学仪器有限公司（以下简称“雷博科仪”）在2022年浙江省X-射线衍射分析与电子显微学学术交流会上发布了其自主研发的高端电镜制样设备---UM10超薄切片机，同时面向大众推出了此设备的2款配套产品GK25玻璃制刀机和SA350减震台。雷博科仪成立于2013年9月，公司地点在江苏省江阴市，是一家致力于高档科研仪器研发及生产的高科技公司。公司主营纳米薄膜制备类设备和电镜周边制样类设备，主要产品有等离子清洗机、匀胶机、显影机、烤胶机、提拉机、涂膜机等相关纳米薄膜制备产品和电解双喷仪、冲孔仪、超薄切片机、玻璃制刀机、包埋聚合箱、离子溅射仪等相关电镜周边制样产品。超薄切片机是公司2019年立项研发的一款电镜制样的设备，主要应用于生物类、高分子、无机非金属、金属等材料的切片。此前国内应用该款设备主要依赖于进口，不仅价格高而且一旦发生售后，周期较长，严重影响科研项目的进度。2022年10月，历经3年多的时间，经过公司研发团队不懈的技术探索，终于取得技术上的突破，完成了首台样机的问世，并顺利通过XX大学超半年以上的使用测试，测试结果比肩进口设备水平，得到行业内专家的肯定，此款设备的问世，将填补国内空白，打破此前超薄切片机严重依赖进口的尴尬局面。UM10超薄切片机视频演示以下是电镜下观察效果（植物细胞）（肌肉组织）UM10超薄切片机，采用的是机械式推进结构，使切片的过程更平稳连续。三目体视显微镜，更便于直接观察结果。为减少外界震动影响切片效果，机台内置减震模组，可以有效的隔绝外界震动。更多数据可参考一下表格▼

【科学背景】二维(2D)半导体具有原子级厚度，是潜在的高度缩放晶体管沟道材料，因其能够抑制短沟道效应而成为研究热点。然而，要超越传统的硅基晶体管，需要在2D半导体上开发无瑕的超薄高介电常数（κ）介电材料，以实现高效的栅极控制。然而，由于2D半导体表面没有悬挂键，直接进行原子层沉积（ALD）来沉积介电层存在非均匀成核和电流泄漏的问题，特别是在介电层厚度小于3nm的情况下。为了解决这个问题，科学家们提出了多种界面工程方法，包括等离子预处理和种子层预沉积，但这些方法通常会引入额外的界面电荷散射、较差的热稳定性或整体栅极电容降低等问题。有鉴于此，南开大学材料科学与工程学院张磊，吴金雄等教授提出了一种垂直金属辅助的范德华（vdW）集成方法，这种方法能够在不损伤2D半导体表面的情况下，将高κ介电材料层叠到2D半导体上。研究中开发了一种铋氧化物（Bi2O3）辅助的化学气相沉积（CVD）方法，用于垂直生长钯、铜和金等单晶纳米片，这些纳米片具有原子级平整的表面。通过无聚合物的机械压合方法，这些纳米片可以轻松转移到目标基板上。此外，CVD生长的钯与ALD过程兼容，能够在其上沉积超薄高κ介电材料如Al2O3和HfO2，同时保持其原子级平整表面。通过一步转移过程，研究人员将小于3nm的Al2O3/Pd和HfO2/Pd异质结构堆叠在几层的MoS2或石墨烯上，形成了清洁的vdW界面，没有有机污染或沉积引起的损伤。结果表明，使用2nm厚Al2O3或HfO2介电材料的顶栅MoS2场效应晶体管（FET）展示了约61mV/dec的亚阈值摆幅、0.45V的低工作电压、107的开/关比、10&minus 6A/cm² 的栅极漏电流和~1mV的可忽略滞后。【科学亮点】(1) 实验首次介绍了铋氧化物辅助化学气相沉积(CVD)方法：&bull 首次开发了铋氧化物辅助CVD方法，用于垂直生长单晶金属纳米片，如钯、铜和金，这些纳米片具有原子级平整表面。&bull 创新性地展示了纳米片通过无聚合物机械压合技术轻松转移到目标基板上，这一过程没有引入有机污染物，保持了原子级平整度。 (2) 实验通过vdW集成成功实现了亚1nm CEC的2D晶体管的制备：&bull 使用了铋氧化物辅助CVD生长的钯纳米片作为基础，成功实现了超薄高介电常数(高κ)介电材料（如Al2O3和HfO2）的原子层沉积（ALD），保持了介电材料的原子级平整度。&bull 在少层二硫化钼(MoS2)和石墨烯上，通过一步转移过程堆叠了小于3nm厚的Al2O3/Pd和HfO2/Pd异质结构，形成了清洁的vdW界面，避免了常见的沉积损伤和有机污染物的引入。(3) 实验所制备的MoS2顶栅场效应晶体管(FET)展示了亚1nm CEC（0.9nm）的高介电常数（高κ）介电材料（Al2O3或HfO2）的优异性能。具体包括低至0.45V的操作电压、106 A/cm² 的栅极漏电流。【科学图文】图1：垂直生长的单晶金属化学气相沉积chemical vapour deposition，CVD生长、无聚合物转移和表征。图2：垂直生长钯Pd纳米片的原子层沉积atomiclayer deposition，ALD兼容性和范德华van der Waals，vDW集成。图3：以亚3nm Al2O3/Pd作为顶栅介质和电极的MoS2晶体管。图4：以2nm HfO2/Pd作为顶栅介质和电极的MoS2晶体管。 【科学结论】本文的科学启迪在于了一种新颖的方法，利用铋氧化物辅助化学气相沉积（CVD）生长垂直单晶二维金属纳米片，并成功将其作为高质量原子层沉积（ALD）氧化物的平台。这一方法不仅解决了传统ALD技术在二维半导体表面上沉积难题，还避免了传统转移技术中介电层厚度过大的问题。通过铋氧化物的引入，实现了在原子级别上对金属表面的垂直生长，从而为超薄介电层的制备提供了一种新途径。此外，本文还通过简化的一步法集成过程，成功在二维半导体上形成了范德华界面，避免了传统转移过程中的有机污染和损伤，确保了介电层的质量和性能。这不仅有助于在极小的电容等效厚度下实现高效的栅极控制，还为制造更高性能的二维场效应晶体管（FET）奠定了基础。原文详情：Zhang, L., Liu, Z., Ai, W. et al. Vertically grown metal nanosheets integrated with atomiclayerdeposited dielectrics for transistors with subnanometre capacitanceequivalent thicknesses. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928024012023