紫外光成像仪原理

近日，红相科技发布一款新品——TD120紫外成像仪。TD120是一款具备紫外双视场光学变焦的升级型紫外成像仪，具备小巧便携、操作简单、抗干扰能力强等特点。该产品采用红相专利全日盲技术，配备500米激光测距和环境传感器，可做到完全不受日光影响，满足全天候、全视域的检测需求。其特有的紫外增强模式，更能精准定位电晕、电弧等微小放电，辅以专业的分析和报告软件，为变电站和高压输、配电线路预防性检测提供有效帮助。产品特性紫外双视场 支持2倍光学变焦11.2°×8.4°/5.6°成4.2°双视场，兼顾看远察近。更高灵敏度紫外灵敏度达到2.0×10-18watt/cm2，干扰度小的场所可开启特有的紫外增强模式，算法优化、精度提高，更精准检测微小放电。增强环境传感器，500米激光测距精准测距有效减少测量误差，环境参数补偿，更有助放电强度分析和历史对比分析。人体工学设计，小巧便捷可旋转手柄，可调节目镜，支持单手操作和三脚架固定操作，便于现场检测。加大5.5寸液晶显示屏智能菜单，自定义功能键1920×1080高像素产品参数紫外光光学特性最小紫外光灵敏度2.0×10-18watt/cm2最小放电灵敏度1.0pC@15m波长范围240-280nm视场角11.2°×8.4°/5.6°成4.2°双视场光子计数支持放大倍数2×/4×/8×成像功能液晶显示屏5.5°AMOLED液晶屏紫外增强模式支持接口视频输出HDMI激光测距500米，可同步近距离传感器可自动息屏温湿度传感器自动同步Type-C数据传输蓝牙/WIFI/GPS有4G支持扩展三脚架接口1/4“-20电源系统外接电源DC:9V-12V电池类型锂电池电池工作时间4h连续（常温）环境参数工作温度-20℃~+55℃存储温度-30℃~+60℃湿度90%（无凝结）防护等级IP54物理特性尺寸305mm×169mm×160mm重量2.5KG配置标准配置紫外热像仪，电池，充电器，SD卡，SD卡读卡器，视频线，USB线，适配器，U盘，安全箱，耳机说明书，保修卡，合格证可选配置三脚架关于红相科技浙江红相科技股份有限公司创立于2005年10月，是一家专注红外、紫外、气体成像技术创新和产业化的高新技术企业、国家重点软件企业。十多年来，为全球100多个国家提供了数十万套红外热像仪、紫外成像仪、气体成像仪，产品专业应用于电力、国防、环保、疫情防控等领域，为社会和人类安全保驾护航。2020年初新冠疫情突然爆发，公司生产的人体测温红外热像仪为疫情防控做出重要贡献，工信部将其列为疫情防控物资重点保障企业，受到各级政府书面嘉奖。秉持“为客户创造价值、为奋斗者提供平台、为社会进步贡献力量”核心价值观，以“使世界更安全”为愿景，矢志成为一家受人尊敬的、全球卓著的专业公司和红外、紫外、气体成像技术的领跑者。

2022年9月28日凌晨两点，由中国科学院空天技术研究院自主研制的临近空间科学实验平台在我国青海省柴旦地区“鸿鹄专项“外场实验基地顺利放飞。由西安光机所空间科学微光探测技术实验室研发的科学载荷——中紫外光谱成像仪(MUV Spectral Imager，简称MUVSI)搭载此平台顺利升空，这也是MUV投入使用后的最后一次探测实验任务。MUVSI连续工作约12小时，系统工况稳定，获得了我国青海柴旦地区上空约30km高度大气紫外辐射背景的数据，当日傍晚顺利回收。MUVSI是西安光机所紫外光学技术团队第一次针对临近空间气球平台开发的光学仪器。为适应临近空间长周期工作和大动态范围目标探测的需求，研发团队先后突破了紫外宽谱段成像光学、高杂光抑制比光机结构设计、高灵敏低噪声紫外敏感ICCD器件等多项核心技术，保障了MUVSI探测谱宽达到210nm，光谱分辨率优于2nm，动态范围10000：1等综合性能指标。MUVSI在确保光学性能和力学性能的前提下，大胆采用紫外凹面变线距光栅替代传统光谱仪中的准直色散成像模组，将光学元件总数降低至2片，极大地减少光学表面带来的光能损失，同时降低了装调难度，为载荷提前半年交付提供了重要支持。MUVSI还首次尝试了高压电子学在临近空间特殊气压环境下的绝缘密封防护技术，通过反复工艺摸索和地面低气压模拟放电实验，形成了一套有效的高压(≥6000V)电子学防护方法，解决了高压电子学长期以来在低气压环境(70-5Hpa)可靠性低、故障率高的难题。另外，MUVSI还通过装载团队自研的太阳敏感器和自动增益控制算法，实现了在无遥测信号时的载荷智能参数调整，进一步保障了高质量数据的获取。增强型探测器模组2022年度放飞期间部分大气背景数据MUVSI自2019年完成正样研制，共计参加鸿鹄专项青海外场放飞实验四次，获得了近百小时有效数据，为该领域科学研究提供了宝贵的直接观测数据，也是西安光机所紫外光学技术在工程应用的一次重要尝试。该载荷技术有望在球基大气紫外辐射特性遥感、近场尾焰特性分析等重要领域得到应用。

基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，是对传统紫外探测技术的创新发展，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用，在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景，成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破，以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结，是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手，重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等；并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等，展望新型结构器件的发展和技术难点；同时，介绍紫外探测器产业化应用和发展，为工程领域提供参考，促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家，曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片；张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究，成果卓著；参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结，并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队：中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示：“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势，对面临的关键科学技术问题进行了探讨，对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，本书的出版填补了这一空白，将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录：本书目录：第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展