集成电路制造技术原理

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  • 蒸馏水制造装置 400-877-7332
    产品参数： 纯水制造方式: 蒸馏（W型 蒸馏&rarr 蒸馏）成品水: 蒸馏水（W型 二段蒸馏水）纯水制造能力: 约1.8L/h纯水出水量: 2.0L/min满水时(Max.10L/回)加热器: 陶瓷加热器 1.4kw储水罐: 聚乙烯制 10L阀门(一次完成)原水: A型： 自来水 An型：离子交换水 W型： A和An制造的蒸馏水 原水压力使用范围: 49.0～490kPa(0.5～5.0kg/cm2)外尺寸：340Wx410Dx700Hmm电源：15A 1.5KVA AC100V 50/60Hz 产品特点：1、安全性能高，功能多，使用方便，低价格。2、可以显示运转状态、水质、警告、异常内容的信息。3、配备了锅炉水自动排水、断水检测、加热器过热检测、漏水检测、冷却水自动调整等功能4、为了减少水碱，装有软水树脂匣。5、An型可以处理去离子水和离子交换水，W型为二段式制造蒸馏水。
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    厂商： 东京理化器械株式会社
    品牌： 东京理化/EYELA
    型号： SA-2100型
    价格： 面议
  • 蒸馏水制造装置 400-877-7332
    产品参数： 纯水制造方式: 离子交换&rarr 蒸馏成品水: 离子交换水&bull 蒸馏水蒸馏水制造能力: 约1.8L/h蒸馏水出水量: 2.0L/min (Max.20L/回)蒸馏水出水量设定: 1~20L(设定单位：1L 精度：± 10%)离子交换水出水量: 1.3L/min (Max.20L/回)离子交换水出水量设定: 1~99L(设定单位：1L 精度：± 10%)原水压力使用范围: 49.0～490kPa(0.5～5.0kg/cm2)加热器: 陶瓷加热器 1.4kw储水罐: 聚乙烯制 20L外尺寸：550Wx430Dx750Hmm电源：15A 1.5KVA AC100V 50/60Hz 产品特点：1、从原水的供给到纯水的收集，全部使用微电脑自动程序控制。2、可以显示运转状态、水质、异常内容、树脂匣的交换时期等信息，蒸馏水、离子交换水的总出水量也可以显示。3、配备了锅炉水自动排水、断水检测、加热器过热检测、漏水检测、冷却水自动调整等功能。4、可以设定出水量，便于大量取水或频繁取水。5、离子交换柱的使用寿命延长至原来的1.7倍。6、蒸馏水出水前可以用UV杀菌灯进行杀菌；中空薄膜出水口对蒸馏水进行过滤，降低有机物和微粒子的含量。
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    厂商： 东京理化器械株式会社
    品牌： 东京理化/EYELA
    型号： SA-2100E2100E-UV
    价格： 面议
  • 电源管理芯片充电ic集成电路芯片
    电源管理芯片充电ic集成电路芯片电源适配器IC在所有的电子设备和产品中，都不乏电源IC的“身影”。随着数字高速IC技术和芯片制造工艺技术的共同高速发展，高性能电源IC“助阵”的作用显得愈加重要。而日新月异的电子产品应用、环保绿色节能需求的兴起也对电源IC提出了更高的要求，催生新一代高集成度、高性能和高能效电源管理IC的需求，亦成为电源管理IC厂商永恒的使命。电源管理半导体从所包含的器件来说，明确强调电源管理集成电路(电源管理IC，简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分，即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。电源管理集成电路包括很多种类别，大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器(即LOD)，以及正、负输出系列电路，此外 不有脉宽调制(PWM)型的开关型电路等。因技术进步，集成电路芯片内数字电路的物理尺寸越来越小，因而工作电源向低电压发展，一系列新型电压调整器应运 而生。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等等。电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件，可将它分为两大类，一类包含整流器和晶闸管；另一类是三极管型，包含功率双极性晶体管，含有MOS结构的功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。在某种程度上来说，正是因为电源管理IC的大量发展，功率半导体才改称为电源管理半导体。也正是因为这么多的集成电路(IC)进入电源领域，人们才更多地以电源管理来称呼现阶段的电源技术。深圳市骊微电子科技有限公司从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，公司同时提供电源产品应用与电源设计服务。
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    厂商： 深圳市骊微电子科技有限公司
    品牌： 未知
    型号： 电源管理芯片
    价格： 面议
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  • 【实战宝典】半导体集成电路芯片制造工艺是怎样的？

    【实战宝典】半导体集成电路芯片制造工艺是怎样的？

    问题描述：半导体集成电路芯片制造工艺是怎样的？解答：[font=宋体][color=black]半导体集成电路芯片需要经过设计、制造（包括硅片制造、晶圆制造）、封装测试才能最终应用到终端产品。[/color][/font][align=center][font='Times New Roman','serif'][color=black][img=,298,258]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207041424528880_8629_3389662_3.jpg!w298x258.jpg[/img][/color][/font][/align][align=center][font=宋体][color=black]芯片制造流程示意图[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]*[/color][/font][font=宋体][color=black]引自[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black][5] p6[/color][/font][/align]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

  • 【实战宝典】半导体集成电路芯片制造中需要用到哪些材料？

    【实战宝典】半导体集成电路芯片制造中需要用到哪些材料？

    问题描述：半导体集成电路芯片制造中需要用到哪些材料？解答：[font=宋体]半导体集成线路芯片制造中的材料是指在集成电路器件制备工艺中所需要的材料，是集成电路工业不可或缺的基础。主要包括两类，分别为器件制造本身所需要的材料和器件制造过程中所消耗的材料。根据在器件制备工艺中的作用和功能的不同，半导体集成电路材料大致可分为功能材料（基体材料）、微细加工材料、工艺辅助材料和封装结构材料四大类。[/font][align=center][img=,624,308]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051334504011_1741_3389662_3.jpg!w622x307.jpg[/img][/align][align=center][font=宋体]半导体集成电路芯片制造中的材料[/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img=,397,448]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051334598003_6959_3389662_3.jpg!w415x449.jpg[/img][/font][/align][align=center][font=宋体]半导体集成电路制造中典型的材料化学品和化学品[/font][font='Times New Roman', serif]*[/font][font=宋体]引自[/font][font='Times New Roman', serif][8]P462[/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img=,382,216]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051335058256_8695_3389662_3.jpg!w380x222.jpg[/img][/font][/align][align=center][font=宋体]半导体集成电路芯片制造中的材料成本构成[/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img=,580,324]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051335122407_2039_3389662_3.jpg!w579x463.jpg[/img][/font][/align][align=center][font=宋体]某硅片厂主要原、辅材料[/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img=,583,243]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051335316825_2789_3389662_3.jpg!w587x250.jpg[/img][/font][/align][font=宋体]某[/font][font='Times New Roman', serif]Fab[/font][font=宋体]厂主要原、辅材料[/font]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

  • 【实战宝典】半导体集成电路制造工艺控制，需要用到哪些分析技术？

    【实战宝典】半导体集成电路制造工艺控制，需要用到哪些分析技术？

    问题描述：半导体集成电路制造工艺控制，需要用到哪些分析技术？解答：[font=宋体]微量污染物可影响半导体芯片产品的可靠性，甚至造成产品失效。因此，在接收原材料、生产制造过程、故障检测阶段以及整个装配和包装过程中，就应对污染物含量进行检测，降低污染。[/font][font=宋体]分析仪器，包括[color=#3333ff]电感耦合等离子体质谱仪[/color]（[/font][font='Times New Roman', serif][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/font][font=宋体]）、[color=#3333ff]气相[/color]质谱仪[/font][font='Times New Roman', serif]([color=#3333ff]GC-MS[/color])[/font][font=宋体]，傅里叶红外光谱（[/font][font='Times New Roman', serif]FT-IR[/font][font=宋体]）[/font][font='Times New Roman', serif],[/font][font=宋体]差式扫描量热仪（[/font][font='Times New Roman', serif]DSC[/font][font=宋体]），[color=#3333ff]离子色谱仪[/color]（[/font][font='Times New Roman', serif]IC[/font][font=宋体]）[/font][font='Times New Roman', serif],[/font][font=宋体]自动滴定仪等，是半导体和电子产品制造领域不可或缺的工具。[/font][align=center][b][font='Times New Roman', serif][img=,501,219]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051336508908_4908_3389662_3.jpg!w501x218.jpg[/img][/font][/b][/align][align=center][font=宋体]半导体集成电路制造与分析技术[/font][/align][align=center][font=宋体][img=,403,344]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051338299155_5299_3389662_3.jpg!w403x344.jpg[/img][img=,403,344]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051338299155_5299_3389662_3.jpg!w403x344.jpg[/img][/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img]file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image004.jpg[/img][/font][/align][align=center][font=宋体]前道工艺与分析技术[/font][/align][align=center][font=宋体][img=,403,352]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051338450296_3640_3389662_3.jpg!w403x352.jpg[/img][img=,403,352]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/07/202207051338450296_3640_3389662_3.jpg!w403x352.jpg[/img][/font][/align][align=center][font='Times New Roman', serif][img]file:///C:/Users/ADMINI~1/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image006.jpg[/img][/font][/align][font=宋体][/font][align=center]后道工艺与分析技术[/align]以上内容来自仪器信息网《[color=#3333ff]ICP-MS[/color]实战宝典》

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  • 单片微波集成电路MMIC放大器
    单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚，具有可与美国同类产品媲美的产品性能，却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。 单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。 单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性，适用于高可靠性空间应用，结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值（GaN为3.4，GaAs为1.4）， 这使得它特别适合高可靠性应用。GaN MMIC amplifiers made by China provide high performance with lower price on market, MMIC output power over the 0.03 to 4.0GHz band. This MMIC is matched to 50 Ohms at the input but un-matched at the output above 0.5GHz.
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 单片微波集成电路MMIC放大器 GaN MMIC Amplifiers
    单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚，具有可与美国同类产品媲美的产品性能，却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。 单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。 单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性，适用于高可靠性空间应用，结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值（GaN为3.4，GaAs为1.4）， 这使得它特别适合高可靠性应用。单片微波集成电路MMIC放大器参数
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • Nalgene 5973 微量离心管架ResMer 制造技术
    Nalgene 5973 微量离心管架ResMer 制造技术?ResMerTM 制造技术能够让这些管架在苛刻的实验室环境中保持其颜色和性能不变。可用于广泛的温度范围，具有较强的耐化学性。其上的每个孔旁都标有模制字母和数字，以便于您识别样本。当架中未夹持任何离心管或放满离心管时，都可叠放。可高温高压灭菌订货信息：Nalgene 5973 微量离心管架ResMer 制造技术目录编号试管大小 , mm阵列颜色L×W×H，mm每盒数量每箱数量5973-00151.54×6白色149×90×5218
    供应商： 北京豫维科技有限公司
    品牌： Nalgene
    价格： 面议
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  • 长川科技集成电路封测设备研发制造基地项目正式生产入库
    据四川经济网报道，近日，由长川科技（内江）公司调试组装生产的首批集成电路测试机在内江高新区白马园区正式生产入库，标志着内江集成电路封测设备研发制造基地项目取得重要的阶段性成果。图片来源：四川经济网据悉，2021年9月，内江高新技术产业开发区管理委员会与杭州长川科技股份有限公司举行“集成电路封测设备研发制造基地项目”签约仪式。“集成电路封测设备研发制造基地项目”位于内江高新区高桥园区，将分期建设集成电路测试机、分选机研发制造基地。根据报道，长川科技是国家集成电路产业基金投资的第一家封测装备企业，目前已拥有海内外授权专利372项，公司产品部分核心性能指标已达到国际先进水平。长川科技项目落地内江高新区，实现了四川省在集成电路封装测试装备项目上的突破。据了解，目前，长川科技内江研发制造基地正在内江高新区高桥园区加快建设。今年，长川科技将在内江持续招引研发人才、扩大研发和生产投入，实现测试机、分选机年产能1000台，力争投产首年实现产值破亿。
    时间： 2022-03-31
    作者： KPC
  • 关于召开“第24届中国集成电路制造年会暨2020年广州集成电路产业发展论坛”的通知
    各有关单位:由中国半导体行业协会集成电路分会、半导体支撑业分会、中国集成电路封测创新联盟、装备创新联盟、材料创新联盟、零部件创新联盟、检测与测试创新联盟、广东省集成电路行业协会、粤港澳大湾区半导体产业联盟联合主办的以“新开局、新挑战、芯生机、芯活力”为主题的“第 24 届中国集成电路制造年会暨供应链创新发展大会”将于 10 月 13 日～15 日在广州召开。进入“十四五”开局之年，在各级政府和社会各界的关心和支持下，我国集成电路制造产业链上下游企业更加注重协同创新，政产学研用将更加密切配合，我国集成电路产业迎来了新的生机和活力。本届大会以高峰论坛、专题论坛及新闻发布会等活动形式，充分发挥“产业政策推动会、产品技术发布会、企业合作交流会”的服务平台作用。一、 会议组织机构指导单位：国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大科技专项实施管理办公室中国半导体行业协会中国集成电路创新联盟广东省工业和信息化厅广东省发展和改革委员会广东省科学技术厅广州市工业和信息化局广州市黄埔区人民政府 广州开发区管理委员会主办单位：中国半导体行业协会集成电路分会中国半导体行业协会半导体支撑业分会中国集成电路封测创新联盟中国集成电路装备创新联盟中国集成电路材料创新联盟中国集成电路零部件创新联盟中国集成电路检测与测试创新联盟广东省集成电路行业协会粤港澳大湾区半导体产业联盟承办单位：中国半导体行业协会集成电路分会广州市半导体协会广东省大湾区集成电路与系统应用研究院粤港澳大湾区半导体产业联盟《微电子制造》编辑部上海芯奥会务服务有限公司支持单位：北京市半导体行业协会上海市集成电路行业协会天津市集成电路行业协会重庆市半导体行业协会江苏省半导体行业协会浙江省半导体行业协会安徽省半导体行业协会陕西省半导体行业协会湖北省半导体行业协会深圳市半导体行业协会成都市集成电路行业协会厦门市集成电路行业协会大连市半导体行业协会合肥市半导体行业协会南京市集成电路行业协会苏州市集成电路行业协会无锡市半导体行业协会支持媒体：《中国电子报》、《电子工业专用设备》、《半导体行业》、《中国集成电路》、《半导体技术》、《半导体行业观察》、《集成电路应用》、《全球半导体观察》、仪器信息网 二、 会议时间：2021 年 10 月 13 日～15 日（10 月 13 日报到） 三、 会议地点：广州黄埔君澜酒店（广州市黄埔区温涧路 129 号） 四、会议内容 （会议议程另附）1、高峰论坛：本届高峰论坛将围绕当前全球半导体产业形势和我国产业发展状况，共商以供应链创新带动产业链上下游各环节联动的战略大计。针对中国集成电路先进制造、先进封装技术、装备和零部件、专用材料和检验与测试领域重点突破、推进产业重大项目顺利进展、加强集成电路产业与新兴应用产业协同和各地区之间协同，促进自主创新和产业集聚发展等方面的重点内容，邀请高层领导及海内外知名半导体企业、研究机构、产业联盟的专家进行交流。2、专题会议：⑴、集成电路制造产业生态发展论坛⑵、特色工艺发展论坛⑶、芯机联动创新发展论坛⑷、2021 中国半导体材料创新发展大会⑸、功率及化合物半导体发展论坛⑹、智能传感器专题论坛⑺、半导体产业投资合作论坛⑻、装备与零部件创新论坛⑼、检测与测试联盟论坛 五、参会对象： 国家及省市政府代表以及半导体行业组织（学会、协会）、境内外集成电路设计、制造、封装、装备、零部件、材料、检测与测试、设计服务、商务咨询等单位代表；软件供应商、系统厂商、高等院校、研究机构、产业服务机构、投融资机构和有关媒体代表等。六、会议联系方式：黄 刚 电话：021-38953725 Email: hg@cepem.com.cn施玥如 电话：021-60345020 Email: janey.shi@cepem.com.cn甘凤华 电话：021-389537256 Email:faith@cepem.com.cn地址：上海张江高科技园区碧波路 456 号（201203） 特此通知
    时间： 2021-07-30
    作者： 白开水
  • 北方华创“一种集成电路的制造工艺”专利获授权
    天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司近日取得一项名为“一种集成电路的制造工艺”的专利，授权公告号为CN113506731B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2016年10月8日。背景技术在集成电路制造工艺领域，目前通常使用硅基材料制造集成电路，硅 (或者多晶硅)在空气中放置的情况下表面会自然氧化形成一层致密的二氧化硅(SiO2)层。在有些工艺中，例如，在金属硅化物(Silicide) 工艺中，金属镍铂(NiPt)薄膜要与硅衬底直接接触，如果衬底表面有一层 SiO2，则会增加电阻率，影响器件性能，因此，制造后续工艺前需要去除这层SiO2。而在去除这层SiO2的同时，必须保护其他薄膜/结构不能被去除或者损伤，隔离层(Spacer，由氮化硅(Si3N4)材料制成)的线宽尺寸会影响器件电性，如漏电(leakage)增加等。因此，需要在去除 SiO2的同时尽量保持隔离层(Spacer，Si3N4)不被去除。现有工艺多采用湿法刻蚀、等离子体干法刻蚀等方法去除SiO2，其对Si3N4的刻蚀选择比低，对隔离层去除过多，造成隔离层尺寸缩小，增大漏电，从而影响器件性能。因此，有必要开发一种应用于集成电路制造工艺中的高选择比、高效率的去除晶片上的二氧化硅的方法。公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。发明内容公开了一种集成电路的制造工艺，包括：去除晶片上的二氧化硅的方法，该方法可包括：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应，并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比；以及将所述反应的副产物从所述工艺腔室内抽出。根据本发明的集成电路的制造工艺中，去除晶片上的二氧化硅的方法通过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反应，并在反应后将反应产物抽出，实现高选择比、高效率地去除二氧化硅。
    时间： 2024-08-18
    作者： Jansky
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