镓等离子双束系统

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

TESCAN SOLARIS X 是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束 FIB-SEM 系统，配置新颖的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及最新款的 iFIB+TM 离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，非常适合于材料、生命及半导体领域分析表征中最具挑战性的大体积三维样品的分析工作。 TESCAN SOLARIS X 配置的 TriglavTM 超高分辨率电子镜筒，同时使用了全新的 TriLensTM 三透镜系统以及高效的 TriSETM 和 TriBETM 探测器系统，能够提供卓越的表面灵敏度和衬度图像，实现对电子束高敏材料或不导电材料纳米特征的观察。TESCAN SOLARIS X 是半导体和材料表征中最具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有极高的精度和极高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证最佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 TESCAN SOLARIS X Xe Plasma FIB-SEM 主要优势：1. 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；2. 新一代 Triglav™ UHR SEM 镜筒具有极佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；3. 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；4. 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工；5. 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；6. 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；7. 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；8. 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并最大限度地减少维护成本；9. 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；10. 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现最大的吞吐量和易用性。突出特点* 极高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。 图（左）：SiAlON - 石墨烯样品的三维重构图像，使用 In-Beam f-BSE 探测器逐层成像，该样品的 FIB-SEM 层析成像由 1339 层组成，重构的尺寸为 22×22.3×66.9 μm。 图（右）：使用 Xe 等离子体 FIB 从 DRAM 65 nm节点上制备出的 80 nm 厚度的 TEM 样品，STEM-BF 高倍图像。 * 新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现极大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中最大的视场（FoV）。在30 keV 下最大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的最佳解决方案。图：OLED 显示屏，横截面长度为 1086 μm，视野范围 1.26 mm * 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+™ Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。* 充分利用电子和离子束功能，实现应用最大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS™ 具有所有这些品质，TESCAN SOLARIS X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。* 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB 最佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择最佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。* 最小的表面损伤和无 Ga 离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。* 强大的检测系统由 TriSE™ 和 TriBE™ 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的最大信息。 * 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav™ 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。* 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。* 提供微分析的最佳工作条件新一代 Triglav™ 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。* 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。* 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav™ SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing™ 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的最佳条件。* 大尺寸晶圆分析得益于最佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。* 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence™ 软件平台是一个优秀的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以最好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence™ 还提供先进的 DrawBeam™ 矢量扫描发生器，用于快速精确的 FIB 加工和电子束光刻。 * TESCAN SOLARIS X 是 S9000X 的升级机型。关于TESCANTESCAN 发源于全球最大的电镜制造基地-捷克 Brno，是电子显微镜及聚焦离子束系统领域全球知名的跨国公司，有超过 60 年的电子显微镜研发和制造历史，是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者和技术领导者。

S9000X Xe Plasma FIB-SEM S9000X Xe Plasma FIB-SEM TESCAN S9000X是一款氙（Xe）等离子超高分辨双束FIB-SEM系统，配置新颖的TriglavTM 超高分辨率电子镜筒以及zui新款的iFIB+TM离子镜筒，它的超高分辨表征能力和无与伦比的样品制备效率，足以应对半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析工作，实现大体积三维样品特性分析。TESCAN S9000X 是半导体和材料表征中zui具挑战性的物理失效分析应用的平台，具有ji高的精度和ji高的效率。 它不但提供了纳米尺寸结构分析所必需的高分辨率和表面灵敏度，为大体积 3D 样品特性分析保证zui佳条件。同时，它还提供非凡的 FIB 功能，可实现精确、无损的超大面积加工，包括封装技术和光电器件的横截面加工。 S9000X Xe Plasma FIB-SEM主要优势：&bull 新的 Essence 软件的用户界面可实现更轻松、更快速、更流畅的操作，包括碰撞模型和可定制的面向应用流程的布局；&bull 新一代 Triglav&trade UHR SEM 镜筒具有ji佳的分辨率，优化的镜筒内探测器系统在低束流能量下具有卓越的性能；&bull 轴向探测器通过能量过滤器，可以接收不同能量的电子信号，增强表面敏感性；&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工；&bull 新一代 SEM 镜筒内探测器结合高溅射率 FIB，实现超快三维微分析；&bull 专利的气体增强腐蚀和加工工艺，尤为适合封装和 IC 去层应用；&bull 高精度压电驱动光阑，可实现 FIB 预设值之间的快速切换；&bull 新一代 FIB 镜筒具有 30 个光阑，可延长使用寿命，并zui大限度地减少维护成本；&bull 半自动离子束斑优化向导，可轻松选择 FIB 铣削条件；&bull 专用的面向工作流程的 SW 模块、向导和工艺，可实现zui大的吞吐量和易用性。概述：突出特点 &bull ji高的吞吐量，适用于挑战性的大体积铣削任务新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒可提供高达 2 μA 的超高离子束束流，并保持束斑质量，从而缩短铣削任务的总时间。&bull 新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 镜筒具有无与伦比的视野，可实现ji大面积的截面加工新型 iFIB 镜筒具有等离子 FIB-SEM 市场中zui大的视场（FoV）。 在30 keV 下zui大视场范围超过 1 mm，结合高离子束流带来的超高溅射速率，可在几个小时之内完成截面宽度达 1 mm 的电子封装技术和其他大体积（如 MEMS 和显示器）样品加工。这是简化复杂物理失效分析工作流程的zui佳解决方案。 &bull 应用范围广阔，可扩展您在 FIB 分析和微加工应用范围新型 iFIB+&trade Xe 等离子 FIB 离子束流强度可调范围大，可在一台机器中实现广泛的应用：大电流可实现快速铣削速率，适用于大体积样品去层；中等电流适用于大体积 FIB 断层扫描；低束流用于 TEM 薄片抛光；超低束流用于无损抛光和纳米加工。 &bull 充分利用电子和离子束功能，实现应用zui大化快速、高效、高性能的气体注入系统（GIS）对于所有 FIB 应用都是必不可少的。新的 OptiGIS&trade 具有所有这些品质，S9000X 可以配备多达 6 个 OptiGIS 单元，或者可选配一个在线多喷嘴 5-GIS 系统。此外，不同的专有气体化学品和经过验证的配方可用于封装技术的物理失效分析。 &bull 轻松实现 FIB 精确调节，并保证 FIB zui佳性能新型 iFIB+ 镜筒配有超稳定的高压电源和精确的压电驱动光阑，可在 FIB 预设值之间快速切换。此外，半自动束斑优化向导允许用户轻松选择zui佳束斑，以优化特定应用的 FIB 铣削条件。 &bull zui小的表面损伤和无Ga离子注入样品制备，以保持样品的特性与 Ga 离子相比，Xe 离子的离子注入范围和相互作用体积明显更小，因此带来的非晶化损伤也更小，这在制备 TEM 样品薄片时尤其重要。此外，Xe 离子的惰性特性可防止研磨样品的原子形成金属化合物，这可能导致样品物理性质的变化，从而干扰电测量或其它分析。 &bull 强大的检测系统由 TriSE&trade 和 TriBE&trade 组成的多探测器系统，可收集不同角度的 SE 和 BSE 信号，以获得样品的zui大信息。 &bull 改进和扩展成像功能，获得有意义的衬度新一代 Triglav&trade 镜筒内探测器系统经过优化，信号检测效率提高了三倍。此外，增加的能量过滤功能，可以对轴向 BSE 信号过滤采集。通过选择性地收集低能量轴向 BSE，实现用不同的衬度来增强表面灵敏度。 &bull 超高速三维微分析镜筒内探测器系统可实现快速图像采集，结合 Xe 等离子体 FIB 的高溅射速率，可实现 3D 微量分析的超快速数据采集。EDS 和 EBSD 数据可以在 FIB-SEM 断层扫描期间同时获得。使用专用软件进行后处理，可以获得 3D 重建，实现整个焊球、TSV、金属合金等样品的独特微观结构，成分和晶体学信息。 &bull 提供微分析的zui佳工作条件新一代 Triglav&trade 还具有自适应束斑优化功能，可提高大束流下的分辨率。这有利于快速实现 EDS，WDS 和 EBSD 等分析技术。 &bull 更低的TOF-SIMS分析检测限，可获得不受干扰的元素质谱数据（与Ga+ FIB 相反，Ga+ 峰可能干扰其他元素如 Ce, Ge 和 Ga 本身的检测）。 &bull 不牺牲空间分辨率，而实现快速微分析Triglav&trade SEM 镜筒结合新型肖特基 FE 枪，可实现高达 400 nA 的电子束流，并实现束流快速调整。In-Flight Beam Tracing&trade 功能可以实现束流和束斑优化，满足微区分析的zui佳条件。 &bull 大尺寸晶圆分析得益于zui佳的 60° 物镜的几何设计和大样品腔室，可实现对 6“ 和 8”晶圆任意位置的 SEM 和 FIB 分析。 &bull 轻松实现以往复杂操作新的 TESCAN Essence&trade 软件平台是一个优xiu的多用户界面软件，可以快速方便地访问主要功能。用户界面易于学习，并可实现用户定制，以zui好地适应特定的应用程序和用户的技能水平以及使用习惯。各种软件模块，向导和流程使所有 FIB-SEM 应用程序都能为新手和专家用户提供轻松，流畅的体验，从而提高生产力并有助于提高实验室的效率。新的 TESCAN Essence&trade 还提供先进的DrawBeam&trade 矢量扫描发生器，用于快速精确的FIB加工和电子束光刻。 亚科电子（山东）设备咨询电话：