广谱光电二极管光电探测器

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  • 深圳维尔克斯光电有限公司
    维尔克斯专业代理欧美知名品牌激光器、光谱仪、光电测试分析仪器和光电元器件。凭借强力的专业技术背景和多年的行业经验，维尔克斯能够满足客户不同的应用要求，精准地为客户提供解决方案，设备安装和故障排除。 深圳维尔克斯光电代理的产品包括：以色列Holo/Or激光微透镜(DOE)，Holoor激光光束整形器、激光扩散镜、激光分束器、螺旋相位板、激光多焦点透镜、长焦深透镜、激光光栅、激光缩放器、双波长激光透镜；美国Wilks HATR-T2, CVH, TRANS-SP, ATR-SP红外测油仪、快速水中油分析仪、含油分析仪,InfraCal Tog/Tph Analyzer；美国NOIR激光防护眼镜、激光眼镜、激光防护镜、激光护目镜：ARG, YLW, EC2, YG3, YRB，RB3, YPL, DBY, DBD, KTI, YG2，ND20；法国Sofradir EC公司Electrophysics 7290,7290A,7292M,7215红外相机、红外CCD、红外热像仪、红外探测器、红外传感器；以色列DUMA Spoton光斑质量分析仪、Alignmeter准直仪、Angelmeter角度仪、Beamon光束质量分析仪、M平方仪、光斑位置分析仪；美国Scientech精密电子天平，激光能量计/功率计；德国Firstsensor光电二极管PIN、雪崩光电管ADP、位敏二极管；德国BATOP可饱和吸收镜SAM、SOC可饱和吸收耦合输出镜、SA可饱和吸收体、太赫兹器件、THz光谱系统、TDS1010太赫兹时域光谱仪、THz Kit、PCA光导天线、太赫兹透镜、THz聚焦镜；白俄罗斯Solar Laser Systems SHR/SHR-IR激光波长计、LQ系列纳秒固体激光器、LP系列光学参量振荡器（纳秒OPO）、LZ221激光喇曼频移器、双色散单色仪、原子力显微镜共聚焦光谱仪；美国Solar Light SFP-290AS防晒指数测试仪、紫外防晒系数测试仪、防晒系数SPF测试系统；美国Semrock 荧光显微镜滤光片、拉曼光谱滤光片、瑞利滤光片、带通滤波片、高通/低通滤波片、陷波滤光片、二向色分束镜；德国Layertec飞秒激光分束镜、宽带镜、啁啾镜、GT干涉镜；美国FLIR T620/i3/i5/i7/e40/e50/e60红外热像仪；
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  • 武汉搏盛科技有限公司
    武汉搏盛科技有限公司是以传感、测控、自动化技术为主要发展方向的高科技公司，是为OEM厂商和自动化领域经销商提供产品销售和技术支持的公司。产品涵盖了光学、电学、力学、热学、磁学、声学传感器领域里的元件、模块和变送器，以及二次仪表和自动化控制设备，广泛应用于机械制造、工业过程控制、汽车电子产品、通信电子产品、消费电子产品和专用设备等各领域。 本公司产品主要两大类： 一、应用于精密分析、环保监测、生物光子、生命科学、药物研究、临床应用诊断、工业测控、激光加工、高能物理、宇宙研究、地矿探测等诸多领域的光电半导体。产品包括光电池/硅光电二极管（紫外增强近红外型、蓝光增强近红外型、可见光红外抑制型、可见光抑制近红外型）、进口PIN光电二极管、进口APD雪崩光电二极管、四象限探测器、PSD位置传感器……特点：响应快，暗电流低。特殊规格、参数可接受订制。 二、应用于塑胶、轻工、鞋业、纺织、化工、石油、烟草、食品、治金、电力等各种工业机械设备及自动化流水线上，作限位、定位检测、自动计数、测速、自动保护、信号传送、保护、隔离等功能的传感器。产品包括红外光电传感器、光纤放大器、光纤管、接近开关、磁性开关、光幕传感器、激光传感器、压力传感器、电量隔离传感器、导轨开关电源…… 目前，为配合广大客户的货期需求，公司常规产品均备有库存，并配备专业的产品应用工程师配合销售工程师参与客户的项目现场为客户提供技术支持、产品安装及售后服务，将“快速、创新，服务、团队，分享、价值”的经营理念落实到实处，本公司依托中部掘起政策，已成为华中乃至西部地区自动化领域首选供货商，销售业绩蒸蒸日上，值此佳机，更坚定了我们实现“传感、测控、自动化专家”的使命。 武汉搏盛科技有限公司人本着诚信引领未来、拼搏造就昌盛的宗旨为实现客户的理想锲而不舍，不懈努力。 企业宗旨：诚信引领未来，拼搏造就昌盛 经营理念：快速 创新 服务 团队 分享 价值 服务优势：产品建议服务 产品配套服务 产品一站服务
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  • 深圳市檀臻科技有限公司
    深圳市檀臻科技有限公司 Tangent Optics Co.,Ltd檀臻科技专注于光电探测领域，与全球顶级光电仪器及器件厂商合作，致力于为物理光学、生物光子学、化学材料分析、纳米光子学等领域提供优质产品和服务，并不断积累经验为科学研究者和高科技企业提供成像及光谱相关解决方案。目前我们代理的国外仪器、设备及系统生产商产品均为各自领域内的技术领先产品：Cobolt：单纵模、窄线宽、高功率DPSS激光器，多波长激光器HüBNER：OPO激光器，激光合束器，太赫兹成像产品Becker & Hickl： TCSPC单光子计数器，荧光寿命成像-FLIM系统id Quantique：TCSPC单光子计数器，SPAD, 近红外InGaAs SPAD，超导纳米线探测器，量子传感Semrock：高性能荧光滤光片， 拉曼滤光片，激光反射镜，窄带滤光片Princeton Instruments：科学级制冷型CCD，X-ray CCD , EMCCD, ICCD 各种研究级光谱探测与影像探测系统Energetiq：超高亮度，宽光谱LDLS光源SuperLum：超辐射发光二极管，OCT领域首选低相干光源SmartAct：尖端的微米、纳米移动控制系统，机械手，真空、低温系统用移动台
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广谱光电二极管光电探测器相关的仪器

  • 硅光电二极管探测器 400-860-5168转1980
    仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器
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    厂商： 先锋科技（香港）股份有限公司
    品牌： OSI Optoelectronics
    型号： si
    价格： 面议
  • 广谱 InGaAs光电二极管，光电探测器 400-860-5168转1545
    广谱InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.3 mm - 3 mm）u 截止波长 （1.9μm, 2.05μm, 2.2μm and 2.6μm）u 高分流电阻u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18 or TO-5)应用：u 气敏监测u 烃类传感器u 火焰/火花检测u FTIRu 光谱u SWIR光电检测
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    厂商： 瞬渺科技（香港）有限公司
    品牌： GPD
    型号： GAP 1.9-2.6um
    价格： 面议
  • OSI 硅 Si 光电二极管探测器放大器 Photop混合封装系列 200-1100nm 400-860-5168转3429
    总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： UDT-555UV
    价格： 面议
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广谱光电二极管光电探测器相关的资讯

  • 快讯-新型光电感测研究蓬勃，光焱PD-RS 用于光电探测器&光电二极管响应时间表征
    有机光感测器(OPD)、量子点光感测器(QDPD)、钙钛矿光感测器(PPD)、新型材料光感测器、雪崩光电二极管(APD)等光电器件的研究一直是非常热门的领域。近期波兰Military University of Technology的Martyniuk教授领导的团队以及中科院上海技术物理研究所的合作者,展示了基于红外的APD目前状态和未来发展。加州大学戴维斯分校（UC Davis）的研究人员，正在开发一种提高矽薄膜光吸收率的策略，采用微米和奈米结构的新型光感测器设计，其性能提升可与砷化镓( GaAs) 和其他III-V 族半导体相媲美。麻省理工学院（MIT）的研究人员在一项突破性的研究中证明了新型光伏奈米粒子发射出一串相同光子的发展潜力，这项发现可能会革新量子计算和量子传输设备的领域。来自哥本哈根大学和明斯特大学的Patrik Sund与其研究团队，成功研发出一种薄膜锂铌酸盐的集成光子平台，并与固态单光子源进行整合，进一步推动了光子量子计算的发展。因此,检测与分析光电器件(探测器或光伏器件)的光电转换过程具有重要意义。基于对客户需求的理解,光焱科技推出了光电响应测试与分析仪PD-RS，並成功帮助客户完成设备安装。PD-RS 可得出光电器件光电转换过程的重要参数，包含恒定光强脉冲光的光电流时间响应变光强光电流与响应度变化测试(LDR)-3dB 频率响应测试Rise/ Fall time检查与分析从而了解光电器件的内部结构与载流子动力学、材料组成与器件结构对载流子动力学的影响关系。这为评价光电器件性能与改进设计提供了重要参考。
    时间： 2023-11-01
    作者： 光焱科技
  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
    时间： 2023-12-14
    作者： 光焱科技
  • 流量密码-光电二极管的量子效率(PD-QE)
    量子效率（QE）是光电二极管评估和应用的关键指标。它代表了光电二极管将入射光子转换为电荷载流子的有效性，这对于依赖光检测和能量转换的各种技术至关重要。量子效率高 显示光电二极管具有优秀的性能，特别是在光谱学、医学成像和太阳能收集等应用中。光电二极管功能的核心是光电效应，其中具有足够能量的光子取代电子，在半导体材料内产生电子空穴对。成功参与此过程的光子比例定义了光电二极管的 QE。这个效率不是一个静态值；它随着入射光的波长而变化，使得光电二极管的光谱响应成为其整体性能的关键因素。量子效率不仅仅是一个规格；它反映了光电二极管推动技术进步的潜力。准确可靠的 QE 测量对于突破光电探测器的极限至关重要。光焱科技的核心技术包括模拟光源/照明器、量子效率光谱分析与半导体光电芯片测试等技术。这些技术使该公司能够开发出精准、可靠、高效的硅光子组件与光电芯片测试解决方案，帮助客户提高产品的质量、性能和可靠性。光伏检测请搜寻光焱科技
    时间： 2024-04-10
    作者： 光焱科技
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广谱光电二极管光电探测器相关的论坛

  • 硅光二极管是硅光电池吗?

    看到网上及论坛内不少说这两种是一样的，也有说是不一样的http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20071107/1050063/硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。特点：当它照射光时会流过大致与光量成正比的光电流. 用途：1.作传感器用时,可广泛用于光量测定和视觉信息,位置信息的测定等. 2.作通信用时,广泛用于红外线遥控之类的光空间通信,光纤通信等. 3.紫蓝硅光电池是用于各种光学仪器，如分光光度计、比色度计、白度计、亮度计、色度计、光功率计、火焰检测器、色彩放大机等的半导体光接收器；紫蓝硅光电池具有光电倍增管，光电管无法比拟的宽光谱响应，它特别适用于工作在300nm-1000nm光谱范围的各种光学仪器对紫蓝光有较高的灵敏度、器件体积小、性能稳定可靠，电路设计简单灵活，是光电管的更新换代产品。目前也有可以使用到190-1100nm的产品,但紫外能量弱一些,光谱带宽不能太小,已经有很多厂家在紫外可见分光光度计上用了。 网上硅光电池是发电的硅光电二极管只要是用光来控制电流 本身几乎不发电另外光电二管管与硅光电二极管有什么区别？

  • DT2080隧道二极管探测器HEROTEK

    [font=宋体]随着隧道二极管探测器行业竞争的加剧，大型企业间的收购并购、整合和资本运营的日益密切，国内外优秀的隧道二极管探测器企业越来越注重对隧道二极管探测器市场的分析和研究，尤其是对目前市场环境和客户需求趋势的深入分析，以提前抢占市场并获得市场优势。正因如此，一大批优秀的隧道二极管探测器品牌迅速发展，逐步形成行业的佼佼者。[/font][url=https://www.leadwaytk.com/article/5281.html]DT2080[/url][font=宋体]隧道二极管探测器一般用于某些开关电源电路或高频率振荡电路中。[/font][font=宋体]特征[/font][font=宋体]?不需要偏差值[/font][font=宋体][font=宋体]?极低输出电阻（标称值为[/font][font=Calibri]125[/font][font=宋体]Ω）[/font][/font][font=宋体][font=宋体]?迅速脉冲检验能力（典型上升时间低于[/font][font=Calibri]5ms[/font][font=宋体]）[/font][/font][font=宋体]?宽带、平整的频率响应[/font][font=宋体][font=宋体]?优异的热稳定性（±[/font][font=Calibri]0.5dB[/font][font=宋体]典型超温极限）[/font][/font][font=宋体][font=宋体]?极低的[/font][font=Calibri]1/f[/font][font=宋体]噪音[/font][/font][font=宋体]应用[/font][font=宋体]?雷达设备[/font][font=宋体]?变送器监控[/font][font=宋体]?电源和信号检测[/font][font=宋体]?导弹制导技术[/font]

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  • 光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器
    光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点： 高量子效率 低噪声，高速度 高增益，M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注：Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 特点： 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器（参造Alpha） 光电倍增管 光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性： 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度，最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号：PDS443-C-C特点：◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项：a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点： 应用： 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 完美光子
    价格： 面议
  • 激光甲烷探测器
    激光甲烷探测器是德国进口的高精度甲烷浓度探测仪器，它采用全球领先的调谐二极管激光吸收光谱技术（TDLAS），能够在60米远的距离高精度探测甲 烷浓度,瓦斯浓度和甲醇浓度，探测灵敏度高达1ppm,探测速度高达0.1秒。激光甲烷探测器特点可探测60米外的甲烷瓦斯甲醇浓度，超级安全，非常适合危险区域作业超级紧凑，超轻设计，装入口袋即可携带操作方便，手持式操作，如同使用大哥大超级易用，一键即可获得结果是最快最安全的高精度瓦斯浓度探测器激光甲烷探测器参数尺寸：70x179x42毫米重量：600克探测气体：甲烷,瓦斯，CH4技术原理：可调谐二极管激光吸收光谱技术TDLAS探测距离：高达60米测量范围：1-50000ppm.m测量精度：+/-10%@100ppm.m测量速度： 约0.1秒报警声响：72-76dB电池：可充电NIMH电池充电时间：4小时电池续航：充满后工作6小时工作环境温度：-17到50摄氏度工作环境湿度：30-90%RH
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
    品牌： 孚光精仪
    价格： 面议
  • 1290nm 20mW 5.6mm 内置PD探测器 单模激光二极管
    1290nm 20mW TO18 内置PD探测器 单模激光二极管产品型号和主要参数如下：产品型号：WSLD-1290-020m-1-PD-F中心波长：1290nm输出功率：20mW封装：TO18模式：单模内置PD探测器平窗激光管威创激光可以提供的激光产品波长范围: 375nm~1920nm，包含单模激光二极管、多模激光二极管，光纤耦合激光模块、光纤耦合激光器系统、医疗激光模块、RGB白光激光器等，光纤类型：单模光纤、多模光纤、保偏光纤可选，可以根据客户的要求进行特殊定制（波长/功率/封装/光纤类型/光纤芯径等），如有需求 欢迎商洽！威创激光可以提供波长选择：375nm, 395nm,405nm, 445nm/450nm, 465nm, 488nm, 495nm, 505nm/510nm, 515nm/520nm/525nm, 633nm, 635nm/638nm/640nm/642nm, 650nm/658nm/660nm, 670nm, 685nm/690nm, 705nm, 730nm, 755nm/760nm/770nm, 780nm/785nm, 795nm, 800nm/808nm/810nm, 820nm/830nm, 840nm/850nm/860nm, 880nm, 905nm,915nm, 940nm, 976nm/980nm, 1060nm/1064nm, 1210nm, 1270nm, 1280nm, 1290nm, 1310nm, 1330nm, 1350nm, 1370nm, 1390nm, 1410nm, 1430nm, 1450nm, 1470nm, 1490nm, 1510nm, 1530nm, 1550nm, 1570nm, 1590nm, 1610nm, 1625nm, 1650nm, 1720nm, 1900nm, 1920nm．威创激光可以提供产品类型包含：单模激光二极管，多模激光二极管，单模光纤耦合激光二极管／单模尾纤激光器，单模保偏尾纤激光二极管／单模保偏光纤耦合激光器，多模光纤耦合激光模块／多模尾纤激光二极管，光纤可插拔激光模块／激光二极管，准直激光模组，RGB白光光纤耦合激光模块，RGB白光光纤耦合激光器系统，光纤耦合激光器系统，３波长光纤耦合激光器系统，３通道光纤耦和激光器，用于CTP印刷使用的405nm激光二极管／激光模块等。威创激光可以提供产品封装类型包含：TO18, TO5,C-mount, TO3, E-mount, H-mount, COS, 2-pin, 4-pin, 9-pin, 8-pin, 11-pin, 15-pin等。威创激光可以提供产品光纤芯径包含：3um, 4um, 5um, 6um, 9um, 10um, 25um, 40um, 50um, 60um, 62.5um, 105um, 200um, 400um, 600um, 800um, 1000um等。
    供应商： 威世博创（天津）科技有限公司
    品牌： 威创激光
    价格： 面议
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