斜度规

国家标准计划《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》（Test method for nitrogen content in monocrystalline silicon —Secondary ion mass spectrometry method）正在征求意见，截止日期为2021年10月12日。该国家标准计划由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会；该文件的起草单位为中国电子科技集团公司第四十六研究所，主要起草人为马农农、何友琴、陈潇、刘立娜、何烜坤。氮对于硅单晶的性能有着重要影响。在硅单晶生长过程中故意引入氮可以增加单晶生长过程中无缺陷区域的V/G允许值，增加在氢气和氩气中退火后有效区域的深度和体微缺陷的浓度，减小退火后晶体形成的颗粒(COP)的尺，以及增加在温度降低工艺下氧在衬底外延层的沉积量。传统的硅单晶的氮浓度测定方法包括的红外光谱法、电子核磁共振法、深能级透射光谱法和带电粒子活性分析法等。该文件规定了用二次离子质谱法（SIMS）对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法，即用铯（Cs）一次离子束溅射参考样品，根据参考样品中氮的同位素种类，选择分析负二次离子14N28Si或者15N28Si，以确定氮在硅中的相对灵敏度因子（RSF）。 对测试样品的分析，用一次铯离子束以两种不同的速率对每个测试样品溅射，第二次溅射时通过减少束的扫描面积来改变溅射速率，因为测试面积固定不变，所以这种改变束的扫描面积的技术能够将氮的体浓度同仪器的背景氮浓度区分开来，即使测试硅片氮的体浓度比仪器的背景氮浓度低。 该方法适用于锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2%（1×1020 cm-3）的单晶样品的测量，其中氮的浓度大于等于1×1014 cm-3。在测定硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测定受到以下因素的干扰： 1.表面硅氧化物中的氮干扰氮体浓度的测试，可以通过预溅射予以消除。 2.从SIMS仪器样品室和固定装置上吸附到样品表面的氮干扰氮的测试。 3.当测试氮的时候采用质量数为42的14N28Si离子时，碳会以12C30Si形式引入干扰。 4.在样品架窗口范围内的样品表面必须平整，以保证每个样品移动到分析位置时，其表面与离子收集光学系统的倾斜度不变，否则测试的准确度和精度都有所降低。 5.测试准确度和精度随着样品表面粗糙度的增大而显著降低，可以通过对样品表面腐蚀抛光予以消除。 6.参考样品中氮的不均匀性会限制测试准确度。 7.参考样品中氮的标称浓度的偏差会导致SIMS测试结果的偏差。 8.硅衬底中800℃以上的热处理会导致氮的扩散，以至于氮的浓度在一定深度不是固定的，而这种测试方法的一个关键的假设就是到一定深度氮的浓度是固定不变的。9.硅衬底的热处理如果是在含氮的环境中进行，会从环境中引入大量的氮深入到硅晶体中。 10.仪器如果状态不够好（例如真空度不够），仪器背景会升高，可以通过烘烤仪器来改善真空度。 因此，对于二次离子质谱法测定硅衬底单晶体材料中氮总浓度对于仪器设备提出了如下要求：1.二次离子质谱仪应配备铯一次离子源、能检测负二次离子的电子倍增器、法拉第杯检测器。仪器分析室的真空度优于5×10-7Pa，质量分辨率优于300； 2.用于装载样品的样品架应使样品的分析面处于同一平面并垂直于引出电场（一般5000 V ±500 V）；3.配备用于烘烤装载了样品的样品架的烘箱；4.使用触针式的表面轮廓仪校正参考样品浓度曲线的深度坐标。或者用其它类似设备来测试SIMS测试坑的深度。新的国家标准计划《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》的制定，既是填补了国内硅单晶氮含量测定相关国家标准的空白，也将有助于提高我国硅单晶的生产质量。现行国家标准中，硅单晶的相关国家标准共13个，相关标准的发布日期在2009-2018年间，实施日期在2010-2019年间。其中，标准名称提及仪器及测试方法的有3个，分析方法分别是低温傅立叶变换红外光谱法和光致发光测试方法。我国现行硅单晶国家标准一览序号标准号标准名称类别状态发布日期实施日期1GB/T 12964-2018硅单晶抛光片推标现行2018/9/172019/6/12GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片推标现行2018/9/172019/6/13GB/T 25076-2018太阳能电池用硅单晶推标现行2018/9/172019/6/14GB/T 26071-2018太阳能电池用硅单晶片推标现行2018/9/172019/6/15GB/T 35306-2017硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法推标现行2017/12/292018/7/16GB/T 12962-2015硅单晶推标现行2015/12/102017/1/17GB/T 13389-2014掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程推标现行2014/12/312015/9/18GB/T 29504-2013300mm 硅单晶推标现行2013/5/92014/2/19GB/T 29506-2013300mm 硅单晶抛光片推标现行2013/5/92014/2/110GB/T 29508-2013300mm 硅单晶切割片和磨削片推标现行2013/5/92014/2/111GB/T 26065-2010硅单晶抛光试验片规范推标现行2011/1/102011/10/112GB/T 24574-2009硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法推标现行2009/10/302010/6/113GB/T 24581-2009低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法推标现行2009/10/302010/6/1相信在未来几年，将会有越来越多的与仪器及分析测试紧密相关的半导体测定国家标准出台，这既能促进我国半导体产业的高质量发展，也将加速带动国内半导体相关仪器市场的蓬勃发展。硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法.pdf

日本EKO高精度紫外辐射仪 EKO新型紫外辐射传感器MS-10S(UVA)和MS-11S（UVB）设计独特，内部集成温度、湿度和倾角，提供数字输出和模拟输出，通过与通风装置和加热器MV-01相结合，可以在寒冷和积雪地区进行精确的紫外线测量。 校准传感器通过标准紫外线灯进行，该灯可追溯***国国家标准技术研究院（NIST），并且紫外线辐射量是通过在每个紫外线范围内对测量的光谱辐照度进行积分来定义的，同样的标准紫外线灯是用紫外分光光度计测量的，灵敏度是由光谱辐射计测量的紫外辐射量决定的，从而提供了传感器的测量精度。采用新技术的传感器具有优异的长期稳定性，每5年可重新校准一次。技术指标：型号MS-10S(UVA)MS-11S（UVB）可追溯NIST标准NIST标准光谱范围315~400 nm280~315nm测量范围0 ~ 150 W/m20 ~ 10 W/m2响应时间（95%）0.5 s0.5 s非线性质保时间五年质保五年质保温度响应（-20~+50℃）0.2W信号输出Modbus、SDI12和0-1VModbus、SDI12和0-1V其它内部信息（数字输出）湿度：±2%、温度：±0.3℃倾斜度：±1°湿度：±2%、温度：±0.3℃倾斜度：±1°工作环境-40~+60℃-40~+60℃重量~0.5kg~0.5kg尺寸Φ96*101HΦ96*101H其它可选通风系统可选通风系统 技术指标：型号 ：MS-10S(UVA)可追溯：NIST标准 光谱范围：315~400 nm测量范围：0 ~ 150 W/m2响应时间（95%）：0.5 s非线性： 1% 校准时间：5year/次质保时间：五年质保温度响应（-20~+50℃）： 2%光谱选择性： 20%方向响应： 5W/m2（0~+70℃）供电：5-36V DC功耗：0.2W信号输出：Modbus、SDI12和0-1V其它内部信息（数字输出）：湿度：±2%、温度：±0.3℃、倾斜度：±1°工作环境：-40~+60℃；0~99.99%RH重量：~0.5kg尺寸：Φ96*101H其它：可选通风系统技术指标：型号：MS-11S（UVB）可追溯：NIST标准光谱范围：280~315nm测量范围：0 ~ 10 W/m2响应时间（95%）：0.5 s非线性： 1%校准时间：5year/次质保时间：五年质保温度响应（-20~+50℃）： 2%光谱选择性： 20%方向响应： 1W/m2（0~+70℃）供电：5-36V DC功耗 ：0.2W信号输出：Modbus、SDI12和0-1V其它内部信息（数字输出） 湿度：±2%、温度：±0.3℃、倾斜度：±1°工作环境 -40~+60℃ 0~99.99%RH重量 ：~0.5kg尺寸：Φ96*101H其它：可选通风系统 创新点：EKO新型紫外辐射传感器MS-10S(UVA)和MS-11S（UVB）设计独特，内部集成温度、湿度和倾角，提供数字输出和模拟输出，通过与通风装置和加热器MV-01相结合，可以在寒冷和积雪地区进行精确的紫外线测量。 校准传感器通过标准紫外线灯进行，该灯可追溯***国国家标准技术研究院（NIST），并且紫外线辐射量是通过在每个紫外线范围内对测量的光谱辐照度进行积分来定义的，同样的标准紫外线灯是用紫外分光光度计测量的，灵敏度是由光谱辐射计测量的紫外辐射量决定的，从而提供了传感器的测量精度。采用新技术的传感器具有优异的长期稳定性，每5年可重新校准一次。

大家还记得吗？在上次关于电子天平知识的分享中，针对不太好懂的“最小称量值”的问题，小编为大家做了通俗易懂而又细致的说明，应该都解开了大家心中大部分的疑惑吧。其实，为了保证电子天平的准确称量，如何对其进行正确调节、校准和使用都是关键性问题，而“水平调节”则是称量前准备工作中极其重要的一步，也是保证准确称量的初始前提。 为什么要进行“水平调节”？作为一种精度高、响应快、读数方便的精密称重仪器，电子天平对使用环境的要求极为苛刻。为实现准确称量，在理想情况下，所测物体的重力要完全垂直于天平传感器杠杆，而在实际称量过程中会由于摆放位置不平而产生称量误差，称量精度越高误差就越大。这是因为在不水平的状态下，重力和传感器产生了夹角，从而产生分力，带来称量误差。电子天平有个倾斜状态下的误差标准，而超过一定的斜度就会影响到称量结果的准确性了。为了减少称量误差，使用天平前做好水平调节则成为了称量准备工作中不可或缺的一环。“水平调节”两步走电子天平一般有两个或四个水平调脚。只需旋转这些水平调脚，就可以调整水平。电子天平前部或后部有一个水平泡，其必须位于黑线圈的中央，否则称量会不准确。调好之后，应尽量不要搬动，否则水平泡可能会发生偏移，则需要重新调整。 天平底部的调平水平调脚 第一步：先把水泡调到水平泡黑圈的中央线单独旋转一个左边或右边的调平水平调脚，即调整天平的倾斜度，可以将水平泡调至中央线。对于初次使用天平的用户而言，判断调整哪一个调平水平调脚是问题的关键。有一种简单的判断方法，先手动略微倾斜天平，使水平泡达到中央线，然后看左右两侧调平水平调脚的高低，调整其中一个的高矮，就可以使水平泡保持在中央线。小编在这里建议，水平泡达到中央线之后，才能进行下一个步骤。 水平泡示意图（上面的 | 为中央线）第二步：保持水泡在中央线移动，最终到达黑圈中央同时旋转前部或后部的两个调平水平调脚，切记两手幅度必须一致，且都须同时顺时针或逆时针，则天平倾斜度保持不变，让水平泡沿着中央线移动，最终到达黑圈的中央。如果两手幅度不一致，水平泡就会偏移中央线。一旦偏移，则需从第一步重新开始。熟练的操作人员一般1~2分钟就可以调平一个电子天平的水平泡。 注意：以上水平调节的方法对具有两个或四个水平调脚的天平均适用，而主要的区别是四个水平调脚的天平由于参与调节的旋钮多，因此相比前者调节起来更加灵活和快速。你必须知道的小贴士A. 水平泡与水平调脚的关系水平泡偏向哪一侧，说明那一侧偏高，应逆时针旋转水平调脚使其降低。水平调脚旋转规则为：顺时针——升高；逆时针——降低B. 双手调节手法双手同时旋转调平水平调脚，一只手向胸前，一只手向胸外，方向相反。C. 准备工作的顺序在电子天平通电之前，我们必须要将其调至水平。当水平泡被调节到圆心中间位置时，就可以通电预热了。不要忘了新天平要预热至少1小时以上哦！无懈可击的奥豪斯AX电子天平怎么样，听小编说了这么多，大家记住了调节的方法和规则了吗？是不是想迫不及待地动手操作一番呢？如果没记住的话也不要紧，接下来跟随小编一起来看看奥豪斯Adventurer AX系列电子天平是怎么做的吧，没准会有新的收获哟~Adventurer AX系列电子天平搭载4.3寸全彩色触摸显示屏，前置U盘读取接口，拥有整体空间节省的风罩设计，全面满足实验室中所有称量的需要！接下来，大家擦亮眼睛哦，重点来啦，针对大家关心的水平调节问题，AX天平更是以独特的软硬件设计帮助初学者用户们在短时间内掌握所有方法技巧，手把手教您轻松快速地玩转水平调节！（登陆“腾讯视频”搜索“AX天平”观看水平调节教学视频）A. 四个水平调脚设计打破了两个水平调脚只能单面调整的局限，您可根据水平泡的位置灵活调整任意一角的水平调脚旋钮，使整个过程更加简便、快捷；B. 水平调节示意图在称重界面中的“参数设置”模式下，选择“水平调节示意图”，随之将会在屏幕上出现针对八种水平泡可能的位置以及所对应的水平调脚的调节方向，您只需参考示意图进行操作即可；C. 自动背光点亮水平泡当打开“水平调节示意图”时，天平自动点亮水平泡背光灯，在阴暗的环境下也不影响调节使用！ 怎么样，水平调节的方法是不是变得很简单，您学会了吗？是不是也对Adventurer AX系列电子天平产生了浓厚的兴趣呢？如果您想了解更多AX系列天平以及奥豪斯其他天平家族的产品信息，或正在寻求更专业细致的选型指导，请及时联系我们，我们的工程师们将会在第一时间为您提供专业的解答和建议。