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Zeta电位法监控氮化硅表面二氧化硅氧化层的去除

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在空气中保存并且接触水溶液后，PH值滴定实验测得氮化硅片的等电点（IEP）为PH4。与氧化硅片相比，IEP移向了更高的PH值。然而，如果用 5%的HF酸处理几秒钟，IEP变为5.3，这说明HF 有效出去了氮化硅表面的自生氧化层。如果在HF 处理之前先用Piranha 溶液处理一下，氧化物层将会被处理的更彻底。

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SurPASS 应用报告www.anton-paar.comA48IA30-A 氮化硅片上自生氧化层监测清洁：：：：：： Zeta对固体表面痕量杂质的存在和清洁都很敏感。在微电子器件制造中，氮化硅通常作为半导体片的顶层。除了作为蚀刻掩膜，因为其介电性质它还可以作为钝化层。当在空气中或在水溶液中保存时，氮化硅表面很容易被氧化。不同方法处理后的氮化硅片证明了这种敏感性并且证实在氮化硅表面确实有Si-O功能基团存在。在空气中保存并且接触水溶液后，PH值滴定实验测得氮化硅片的等电点(IEP)为PH4。与氧化硅片相比， IEP移向了更高的PH值。然而，如果用5%的HF酸处理几秒秒，IEP变为5.3，这说明HF有效出去了氮化硅表面的自生氧化层。如果在HF处理之前先用Piranha 溶液处理一下，氧化物层将会被处理的更彻底。令人吃惊的是Piranha 处理氧化物层的结果会很好，因为众所周知Piranha 会引入Si-O键。另一方面， Piranha 溶液可以除去有机污染物。我们可以肯定在氮化硅表面的这种有机污染物的纯在阻止了HF对未经处理的氮化硅表面氧化物的消除。不同方式处理后的 SigN4片的PH依赖性。 1未处理过的SigN4片 2使用HF处理后的SigN4片 3使用Piranha和HF处理后的Si，N4片 4SiO2片

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