集成电路、光栅结构、纳米压印中膜厚及折射率测量检测方案(椭偏仪)

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行业背景 IC 设计(Integrated Circuit Design) 称为集成电路设计，是运用专业的逻辑和电路设计技术设计集成电路。根据世界半导体贸易组织(WSTS)，2014年全球 IC /半导体销售额达到3，254亿美元，同比增长6.48%，2015年销售额达到3610亿美元，增长率为25%。预计未来五年仍是 IC 设计行业高速发展的黄金时期。 面临挑战 IC 纳米制程工艺中，集成电路的精细度高，也就是说精度越高，生产工艺越先进。在处理器内部集成更多的晶体管后，i，可实现更多的功能和更高的性能，直接降低了处理器的生产成本，减少处理器的功耗。但随着集成电路中的工艺节点越来越小，关键尺寸测量也同时面临越来越大的挑战。这样如何测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息显得尤为重要。 解决方案 ME-L 系列穆勒椭偏仪根据测量到椭偏参数(平：振幅比，△：相位差)，通过内置数百个光学模型进行拟合可一次性测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息。 1.建立光学模型 2.建立光学模型 客户价值 ME-L 系列椭偏仪非常适用于纳米级光栅的结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息的测量与分析，并能快速一次性完成其多个重要参数测量。同时支持定制化整合于工艺流程实现实时在线监测，大幅度提升企业的整合生产效率。 关联产品与配置 行业背景    IC设计（Integrated Circuit Design）称为集成电路设计，是运用专业的逻辑和电路设计技术设计集成电路。根据世界半导体贸易组织（WSTS），2014年全球IC /半导体销售额达到3,254亿美元，同比增长6.48%，2015年销售额达到3610亿美元，增长率为25%。预计未来五年仍是IC设计行业高速发展的黄金时期。面临挑战   IC纳米制程工艺中，集成电路的精细度高，也就是说精度越高，生产工艺越先进。在处理器内部集成更多的晶体管后，可实现更多的功能和更高的性能，直接降低了处理器的生产成本，减少处理器的功耗。但随着集成电路中的工艺节点越来越小，关键尺寸测量也同时面临越来越大的挑战。这样如何测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息显得尤为重要。解决方案    ME-L系列穆勒椭偏仪根据测量到椭偏参数（Ψ ：振幅比，△：相位差），通过内置数百个光学模型进行拟合可一次性测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息。1.建立光学模型2.建立光学模型客户价值ME-L系列椭偏仪非常适用于纳米级光栅的结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息的测量与分析，并能快速一次性完成其多个重要参数测量。同时支持定制化整合于工艺流程实现实时在线监测，大幅度提升企业的整合生产效率。关联产品与配置           ME-L穆勒矩阵椭偏仪