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痕量金属的检测和定量是半导体工业中的一个重要分析任务。
TOF-SIMS能够以同位素灵敏度检测所有元素（即使是轻质元素）。
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intensity oounts 10° Si2* 2 Fe* 10 0 Mass 559 l560 1561 案例一、痕量金属检测痕量金属的检测和定量是半导体工业中的一个重要分析任务。 TOF-SIMS能够以同位素灵敏度检测所有元素（即使是轻质元素）。 高质量分辨率，高质量精度和良好的信噪比可使灵敏度达到1E7至1E9 atoms/cm2。 该技术可应用于带图案的硅片，甚至硅片的背面，也不会降低灵敏度。 该技术通过使用外部标准进行定量，其准确度与其他技术（如TXRF或ICP-MS）相当。如图所示硅片表面质谱的细节。高质量分辨率和准确度使得痕量金属可以明确被识别。更多案例请参考我司官网：http://www.iontof.com.cn/bk_17198958.html
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产品配置单
北京艾飞拓科技有限公司（IONTOF中国代表处）为您提供《硅片中痕量金属检测检测方案(二次离子质谱)》，该方案主要用于硅片中痕量金属检测检测，参考标准《暂无》，《硅片中痕量金属检测检测方案(二次离子质谱)》用到的仪器有IONTOF / TOFSIMS 飞行时间二次离子质谱 / TOF-SIMS M6型。
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