超浅层离子注入中超浅层离子注入的深度剖析检测方案
检测样品 超浅层离子注入
检测项目 超浅层离子注入的深度剖析
方案详情文
超浅层深度分析的典型应用领域是SIMS在半导体行业应用的经典课题。
该技术可以平行检测所有质量，并且在低能量溅射下具有优异的灵敏度，非常适用于筛查和区分。
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Concentrationatoms/cm 1020 101 101. 102 1016 1015 1014 Depth nm o 2000400600 案例二、浅层注入超浅层深度分析的典型应用领域是SIMS在半导体行业应用的经典课题。这里主要感兴趣的是低能量硼、磷和砷注入的分析，而且分析超浅层栅极氧化物和检测自然氧化物中的微量元素都要求在低能量溅射下具有优异的灵敏度。该技术可以平行检测所有质量，因此也能同时测量到注入的F以及金属污染物，例如铝。因此，该技术非常适用于筛查和区分。如图所示为：100 keV 砷注入, 1000 V Cs源用于溅射剥离, 15 keV Bi 源用于溅射分析。
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产品配置单
北京艾飞拓科技有限公司（IONTOF中国代表处）为您提供《超浅层离子注入中超浅层离子注入的深度剖析检测方案 》，该方案主要用于超浅层离子注入中超浅层离子注入的深度剖析检测，参考标准《暂无》，《超浅层离子注入中超浅层离子注入的深度剖析检测方案 》用到的仪器有IONTOF / TOFSIMS 飞行时间二次离子质谱 / TOF-SIMS M6型。
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