当前位置: 其它 > 方案详情

上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜

检测样品 其它

检测项目

关联设备 共1种 下载方案

方案详情

WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景. 河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响

智能文字提取功能测试中

       WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, 在高温高压、高真空、高辐射等严苛环境也能保持润滑, 不易失效, 在航空航天领域有着良好的发展前景.河南某大学研究室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射 WS2 薄膜, 目的研究不同沉积压力对磁控溅射 WS2 薄膜微观结构、力学性能和摩擦学性能的影响.KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 在磁控溅射沉积薄膜的实验中, 工艺参数(如沉积压力、沉积温度、溅射功率等)对 WS2 薄膜的结构和性能影响很大. 为制备摩擦磨损性能优良的 WS2 薄膜, 需要系统研究磁控溅射沉积 WS2 薄膜的工艺方法.磁控溅射 WS2 薄膜的原理是利用稀薄气体在低压真空环境中发生辉光放电, 如果薄膜沉积时工作气压过低(<0.1 Pa), 靶材不能正常起辉;沉积压力过高(>10 Pa), 真空室内等离子体密度高, 溅射粒子向基体运动中发生碰撞多, 平均自由程减小, 以致无法到达基体表面进行沉积.因此, 合适的沉积压力是磁控溅射沉积 WS2 薄膜的一个重要工艺参数.KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士                             台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-1322                     T: +886-03-567-9508 ext 161F: +86-21-5046-1490                             F: +886-03-567-0049M: +86 152-0195-1076                       M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究! 

关闭
  • 1/2
  • 2/2

伯东公司德国普发真空pfeiffer为您提供《上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜》,该方案主要用于其它中无检测,参考标准《暂无》,《上海伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜》用到的仪器有上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380。

我要纠错

推荐专场

相关方案