上海伯东KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜
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河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明:实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.相比传统的有以下优点：更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的领导者. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中. 上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作！若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！
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伯东公司德国普发真空pfeiffer为您提供《上海伯东KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜》，该方案主要用于其他中无检测，参考标准《暂无》，《上海伯东KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜》用到的仪器有上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 140。
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