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【求助】厚度为100nm的SiO2层对厚度为30nm的Si层的明、暗场、高分辨像影响大吗？

  • yanghaigui
    2008/01/16
    • 私聊

透射电镜（TEM）

  • 我的样品结构为：100nmSiO2/30nmSi/150nmSiO2/Si基底，要研究中间30nmSi层的属性。
    减薄样品的时候是从Si基底开始的，从后用离子减薄，是单面减薄，顶层的100nmSiO2应该还留在样品的表面，　我想请教一下厚度为100nm的SiO2层对厚度为30nm的Si层的明、暗场、高分辨像影响大吗？如果影响很大，怎么处理，因为100nmSiO2比较薄，用离子减薄时间比较难控制吧！难道先用化学方法腐蚀掉。
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    +关注 私聊

  • longwood

    第1楼2008/01/16

    100nm的SiO2对成像起的贡献远大于30nm的Si。制样我不太清楚，但是这么单面减，边缘最薄的地方应该都是SiO2了吧？想通过平面样品获得Si层哪些信息？对于多层膜，还是截面样品比较多。

0
    +关注 私聊

  • yanghaigui

    第2楼2008/01/16

    继续请教，我们主要想做观察Si里的缺陷，怎么做样品比较好啊

0
    +关注 私聊

  • longwood

    第3楼2008/01/16

    一般情况下应用截面样品，分析界面处晶格失配，应变，统计位错密度等。晶格失配会导致位错。

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