【求助】有关用origin中分峰拟合XPS谱图中遇到的一个小问题

X代表结合能，Y代表的是CPS（Counts per second）），光电子峰的强度

103.336这个数字也可以认为是103.4啊！
每个仪器都有一定的误差
不可能那么精确的

icecutie说的对
那是因为你在origin里面没有点出Y轴
它在实际中意义也不太大
主要还是说X轴即结合能

好的，明白了，我实际上就是这样操作的，
只是自己心里没底，想求证下，呵呵，
既然高人说这样可以，那我就可以放心大胆的用了。

谢谢您啊！

还有另外一个问题（不知道不另开贴直接这样问合不合适，呵呵）：

就是我做Si与O的XPS时发现对于不同的氧化物（与Si相关的）形式中Si 2p的结合能是不同的，那我想是不是与此相应的O 1s 的结合能也应该不同呢？打个比方说，SiO2和SiO吧，它们两个各自的Si 2p结合能是不同的，那么与它们相结合的O 1s的结合能是不是也就应该不同呢？可是我查O 1s的结合能表怎么查不到呢？如果各位有的话可否告诉我下它们（O 1s）各自的标准值是多少？

另外，如果我的样品里既有SiO2又有SiO（从不同的Si 2p结合能推知的），那么它们的O 1s是不是也应该介于SiO2和SiO各自的O 1s的结合能之间的一个数值呢？还是会向高能或者低能方向略微移动呢？这其中偏移的原因是什么导致的呢？

一般对于MO这个化合物来说
当M的价态越高，那么O的结合能就越低
但是也有很多的例外
如CoO和Co3O4就不是
但是没有听说过Si有特殊的
所以可能准守这个原则

但是有一个需要注意大的地方SiO这个化合物很少
所以能够分出这个峰你必须要有充足的理由去证明他的存在
最好其他的仪器表征也能够证明是它。

PS：不同的问题，最好重新开贴
那样大家有相同的问题
也可以很容易的找到

感谢feixiong版主的热情回复，
我也知道SiO不稳定，Si的氧化物一般是以SiO2的形式存在的，但我做的XPS样品的Si 2p特征峰拟合中有个峰不好解释，我查了下SiO的Si 2p特征峰差不多正好处在这个位置，所以我想这个峰应该对应SiO吧。
所以我就有了关于“不同的Si 2p峰的O 1s峰是不是也不同”这样一个问题。



好的，以后我注意些啊，
呵呵！

H很多物质的结合能必须的查论文才能找到
实在不行
那只有做表样

做表样？版主大人，俺对这方面没怎么接触，知道的就更少了，呵呵，
您的这个“做表样”是怎么个意思来？
麻烦恁方便时给俺说下吧，非常感谢啊。