【求助】XPS谱图中关于SiO的峰位，及是否存在SiO？

我不敢确定你小峰是什么物质
但是有一点我向说明
si和O不能用二者的比值来确定二者的定量关系。
因为既然你有污染C
那么C就有一部分和O结合
所以这样一定会造成si：o的比列小于2

你的物质一定是si的一种化合物
因为从你的宽扫图看就没有其他物质
但是因为我对Si不熟悉
所以不能给你什么好的建议

老大，您的第一句话已经给了我我一颗定心丸吃了，
真地非常非常地感谢您啊！
虽然依然没得到想要的答案，但是至少自己的猜想没得到否定，呵呵

你的Si2p谱图中，有两个Si2p的谱峰，这说明在你的样品中Si是以两种化学状态存在的，高结合能处的Si2p归属于SiO2中的Si，而在低结合能处的Si2p（即那个小峰）应该是Si的另外一种化学状态，可能是硅酸盐或者硅树脂。这一点您要结合您的实验过程来分析！

另外，如果您确实想要知道Si与O的比例的话，可以先对样品做XPS的表面清洁，然后来测Si和O的比例，这样可以消除表面污染物中的C和O的影响，含量比会更准确一点.

感谢icecutie的热情回复，可是我的样品只是溅射上一层Si，之后
空气中热氧化生成SiO2，然后做XPS的，这个过程的产物不应该过于复杂的呀，您说是不是呢？

不知您考虑可能是哪一种基团导致的呢？
感谢您的不吝赐教啊！~

我的样品后来又用Ar+对表面轰击了5min，重新做的Si-2p和O-1s的图谱，
从生成的报告来看，好像轰击之后的氧含量比轰击之前的更多了，您说这个应该怎么理解呢？我都快崩溃了。
我算的是Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
未经轰击的O：Si=2.324
经轰击的O：Si=2.367

另外还做了一组相对来说温度较低的样品，其中Atomic Conc % 这一项对应的二者的比例，
大致结果如下：
未经轰击的O：Si=2.159
经轰击的O：Si=2.197


您说这个该怎么理解呢？

感谢icecutie的热心回复和热心指导。

因为Ar离子轰击
有择优溅射的问题

很多人做过Si膜的溅射
你可以查查论文