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【原创】PVD与CVD的主要区别

xgq_2001

2010/06/18

其他仪器综合讨论

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在化学气相沉积（CVD）过程中，基体表面发生化学反应所需能量来源于外界热源对于基体表面的加热作用，因此CVD过程温度很高。物理气相沉积（PVD）不同于化学气相沉积（CVD），在物理气相沉积（PVD）过程中，基体表面发生化学反应所需能量来源于等离子体粒子（电子、离子与中性粒子），或电子束能量，或激光束能量等，并且等离子体粒子、电子束、激光束起到了化学反应的催化剂的作用，可使外界热源对于基体表面的加热作用大大减轻，因此PVD过程温度很低。

近30年来，物理气相沉积（PVD）发展非常迅速，物理气相沉积技术除传统的真空蒸发和溅射沉积技术外，还包括各种离子束沉积、离子镀、和离子束辅助沉积技术

3.1.2物理气相沉积（PVD）技术的基本环节

物理气相沉积（PVD）技术有多种多样，但是它们都必须实现气相沉积三个环节，即：镀料（靶材）气化---气相运输---沉积成膜。

3.2等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）

等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）是物理气相沉积（PCVD）中最为广泛的一种，是一种典型的等离子体工业应用和等离子体工业加工方法。在PACVD过程中，由于等离子体中的活性成分（如荷能粒子）参预了基体表面的化学反应，使化学反应过程温度明显降低，化学反应显著加快，这与低温等离子体特性有密切关系。

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